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90度公針

  • 常用產(chǎn)品抗擾度標準和測試方法

    主要講述靜電放電、射頻輻射電磁場、電快速瞬變脈 沖群、雷擊浪涌、由射頻場引起的傳導干擾、工頻磁場、 電壓跌落和衰減振蕩波等八項抗擾度試驗,其中前七項試 驗在通用抗擾度標準中已經(jīng)見到;后一項試驗(衰減振蕩 波抗擾度試驗)則在電力系統(tǒng)設備的抗擾度試驗中經(jīng)常可 以見到。考慮到國內(nèi)在引進生產(chǎn)家用電器的企業(yè)中經(jīng)常采 用的高頻噪聲模擬器,本章予以補充介紹。此外,汽車工 業(yè)在我國的迅速發(fā)展,拉動了與之配套的汽車電子與電器 行業(yè)的迅速發(fā)展。對后者的質(zhì)量控制與檢測問題便成為業(yè) 內(nèi)人士所關注的一個熱點。

    標簽: 抗擾度 標準 測試方法

    上傳時間: 2013-05-24

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  • 360度全角鏡頭圓形圖像自動展開成全景圖像

    ·360度全角鏡頭圓形圖像自動展開成全景圖像

    標簽: 360 鏡頭 圖像 全景圖像

    上傳時間: 2013-07-17

    上傳用戶:caiiicc

  • 用MATLAB曲線擬合工具箱計算藥物溶出度Weibull分布參數(shù)

    ·用MATLAB曲線擬合工具箱計算藥物溶出度Weibull分布參數(shù)

    標簽: Weibull MATLAB 曲線擬合 工具箱

    上傳時間: 2013-05-24

    上傳用戶:qulele

  • ucos2/2.90-STM32

    基于STM32的ucos-ii/2.90

    標簽: ucos 2.90 STM 32

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:dbs012280

  • 高線性度元件簡化了直接轉(zhuǎn)換接收器的設計

    凌力爾特公司的 LT®5575 直接轉(zhuǎn)換解調(diào)器實現(xiàn)了超卓線性度和噪聲性能的完美結合。

    標簽: 高線性度 元件 直接轉(zhuǎn)換 接收器

    上傳時間: 2013-11-10

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  • 數(shù)字容性隔離器的磁場抗擾度

    數(shù)字容性隔離器的應用環(huán)境通常包括一些大型電動馬達、發(fā)電機以及其他產(chǎn)生強電磁場的設備。暴露在這些磁場中,可引起潛在的數(shù)據(jù)損壞問題,因為電勢(EMF,即這些磁場形成的電壓)會干擾數(shù)據(jù)信號傳輸。由于存在這種潛在威脅,因此許多數(shù)字隔離器用戶都要求隔離器具備高磁場抗擾度 (MFI)。許多數(shù)字隔離器技術都聲稱具有高 MFI,但容性隔離器卻因其設計和內(nèi)部結構擁有幾乎無窮大的MFI。本文將對其設計進行詳細的介紹。

    標簽: 數(shù)字 隔離器 磁場抗擾度

    上傳時間: 2013-10-26

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  • 數(shù)字預失真系統(tǒng)反饋通道增益平坦度的補償

    針對數(shù)字預失真系統(tǒng)對反饋鏈路平坦度的要求,提出一種在不斷開模擬鏈路的前提下,采用單音測量WCDMA&LTE混模基站射頻拉遠單元反饋鏈路的增益平坦度,并采用最小二乘法,分別擬合射頻、本振和中頻的增益的方法。采用MATLAB工具產(chǎn)生濾波器系數(shù),在基本不增加復雜度的基礎上,通過DPD軟件離線補償中頻的增益不平坦度。實際應用取得良好的補償效果。

    標簽: 數(shù)字預失真 反饋 增益

    上傳時間: 2013-10-18

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  • 電位計訊號轉(zhuǎn)換器

    電位計訊號轉(zhuǎn)換器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1.產(chǎn)品說明 AT系列轉(zhuǎn)換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉(zhuǎn)換與隔離;如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號,機種齊全。 此款薄型設計的轉(zhuǎn)換器/分配器,除了能提供兩組訊號輸出(輸出間隔離)或24V激發(fā)電源供傳送器使用外,切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現(xiàn)場施工及工作狀態(tài)檢視。 2.產(chǎn)品特點 可選擇帶指撥開關切換,六種常規(guī)輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離,可選擇不同信號。 設計了電源、輸入及輸出LED指示燈,方便現(xiàn)場工作狀態(tài)檢視。 規(guī)格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。 依據(jù)CE國際標準規(guī)范設計。 3.技術規(guī)格 用途:信號轉(zhuǎn)換及隔離 過載輸入能力:電流:10×額定10秒 第二組輸出:可選擇 輸入范圍:P1:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ P2:0 Ω ~ 2.0 KΩ / ~ 100.0 KΩ 精確度: ≦±0.2% of F.S. ≦±0.1% of F.S. 偵測電壓:1.6V 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調(diào)整 零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調(diào)整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻:DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規(guī)格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露 溫度系數(shù): ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質(zhì): ABS防火材料,UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規(guī)范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規(guī)格:AT-PM1-P1-DN-ADL 電位計訊號轉(zhuǎn)換器,一組輸出,輸入范圍:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ,輸出一組輸出4-20mA,工作電源AC/DC20-56V

    標簽: 電位計 訊號 轉(zhuǎn)換器

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:feitian920

  • 信號完整性知識基礎(pdf)

    現(xiàn)代的電子設計和芯片制造技術正在飛速發(fā)展,電子產(chǎn)品的復雜度、時鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢,但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小,所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場的時間要求給設計師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預見設計中可能出現(xiàn)的各種問題,并及時給出合理的解決方案,對于高速的數(shù)字電路來說,最令人頭大的莫過于如何確保瞬時跳變的數(shù)字信號通過較長的一段傳輸線,還能完整地被接收,并保證良好的電磁兼容性,這就是目前頗受關注的信號完整性(SI)問題。本章就是圍繞信號完整性的問題,讓大家對高速電路有個基本的認識,并介紹一些相關的基本概念。 第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設計流程剖析...............................................................61.3 相關的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導.............................................................................182.5 趨膚效應和集束效應.................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩:.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章 串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設計.............................................................................................855.3 同步開關噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開關噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結構...................................................................1096.2.2 源同步時序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設計理論在實際中的運用.............................................................1228.1 疊層設計方案...........................................................................................1228.2 過孔對信號傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134

    標簽: 信號完整性

    上傳時間: 2014-05-15

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  • 一種無片外電容LDO的瞬態(tài)增強電路設計

    利用RC高通電路的思想,針對LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應速度,而且瞬態(tài)增強電路工作的過程中,系統(tǒng)的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明:整個LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在電源電壓為1.8 V,輸出電壓為1.3 V的情況下,當負載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時,其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs;而在負載電流為100 mA的條件下,電源電壓在10 ns內(nèi),由1.8 V跳變到2.3 V時,輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

    標簽: LDO 無片外電容 瞬態(tài) 電路設計

    上傳時間: 2013-12-20

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