雙系統(tǒng)啟動菜單修復工具
上傳時間： 2013-10-31
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超級單片機開發(fā)工具,包含:模擬/數(shù)字轉換表計算,LED 編碼器,色環(huán)電阻阻值計算,Hex/Bin轉換,串口調試器,端口監(jiān)視器等實用功能 單片機開發(fā)過程中用到的多功能工具，包括熱敏電阻RT值--HEX數(shù)據(jù)轉換；3種LED編碼；色環(huán)電阻計算器；HEX/BIN 文件互相轉換；eeprom數(shù)據(jù)到C/ASM源碼轉換；CRC校驗生成；串口調試，帶簡單而實用的數(shù)據(jù)分析功能；串口/并口通訊監(jiān)視等功能. 用C++ Builder開發(fā)，無須安裝，直接運行，不對注冊表進行操作。純綠色軟件。 1. 模擬/數(shù)字轉換表計算 本功能主要用于準備用于查表計算的 R/T 表格，主要用于溫度、濁度等模擬量的測量，根據(jù)電路分壓電阻的位置分為兩種，可以參看圖示選擇正確的電路連接形式；可自定義分壓電阻阻值；目前支持8位 /10位轉換精度；可選擇生成匯編/C源代碼格式的數(shù)據(jù)等。 2. LED 編碼器 本功能主要用于自動根據(jù)圖形信息、段位置信息生成可保存在單片機程序存儲器中供查表使用的數(shù)據(jù)。可自行定義字符的圖形及各段的位置信息；可以選擇LED類型，目前有 7段、14段、16段三種類型；自帶圖形定義，也可自定義并能保存自定義方案；自定義位置信息并可保存；可以生成 8位、4位編碼，4位編碼主要針對一些有 4個COM端的LED/LCD驅動器；同樣可以保存為C/ASM格式數(shù)據(jù)。 3. 色環(huán)電阻阻值計算 本功能主要為記不住色環(huán)值的人（像我）用的，比較簡單，單擊相應環(huán)的相應顏色，阻值將實時給出。 4. Hex/Bin轉換 Intel Hex格式文件和Bin格式文件相互轉換，本功能使用機會較少。 Hex/Bin文件轉換為文本方式（變量定義方式），將Hex文件或Bin文件轉換為C/ASM源代碼格式的數(shù)據(jù)。 CRC計算，提供3種計算方法。 5. 串口調試器 可以通過串口接收/發(fā)送數(shù)據(jù)，作為普通的串口調試器，可以手動發(fā)送所填內容，也可以發(fā)送整個文件； 內存映射功能，對于監(jiān)控單片機內存非常方便，還可以定義內存變量，自動從接收到的數(shù)據(jù)中提取變量值，支持字節(jié)型、整型、長整型、浮點型、雙精度型、位掩碼（可用于位變量）、數(shù)組型（其他不規(guī)則變量）等，同時支持10進制、16進制、2進制顯示；可以自由選擇需要實時監(jiān)測的變量；變量方案可以存盤等等；可以設為固定長度或定義首/尾標志，設置內存中實際起始地址，顯示時和計算變量時用；由map文件自動讀取內存變量（因條件所限，目前只支持由 ImageCraft C(ICC) 編譯器產生的map文件，歡迎提供其他編譯器的map文件樣本）； 變量組合，適用于文本方式的變量監(jiān)測，例如： Var1=1111#var2=2222#var3=333.333 通訊時可以選擇二進制、文本方式顯示；可設置自動滾屏；設置最大顯示行數(shù)； 可以選擇多命令交互方式通訊，且可以作為主發(fā)方、從發(fā)方；主發(fā)時可以循環(huán)發(fā)送所選命令；從發(fā)時可以定義自動應答命令，即接收到表中所列的命令后，自動用相應內容應答，是不是很實用？ 可以設為手動發(fā)送或定時發(fā)送。 可自定義通訊超時時間。 可以保存歷史數(shù)據(jù)，包括發(fā)送和接收數(shù)據(jù)！ 計劃加入調制解調器控制。 6. 端口監(jiān)視器 監(jiān)視所選串口/并口的一切通訊活動而不占用其資源，可以設置過濾條件，可同時監(jiān)視多個端口，可以保存數(shù)據(jù)，可以直接記錄到文件中。
上傳時間： 2013-10-29
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附件是一款PCB阻抗匹配計算工具，點擊CITS25.exe直接打開使用，無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計算方法，連板的排法和PCB聯(lián)板的設計驗驗。 PCB設計的經(jīng)驗建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時注意For FuJi Machine:a.最大進板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向為優(yōu)先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時,需加補強邊. 5.陰陽板的設計需作特殊考量. 6.工藝邊需根據(jù)實際需要作設計調整,軌道邊一般不少於6mm,實際中需考量板邊零件的排布,軌道設備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實際要求下的連板經(jīng)濟性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學定位點,一般設計在對角處,為2個或4個,同時MARK點面需平整,無氧化,脫落現(xiàn)象;定位孔設計在板邊,為對稱設計,一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據(jù)連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設計的同時,需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯(lián)接：需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機上的夾具穩(wěn)定工作,還應考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.
上傳時間： 2013-10-15
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AL-FGB系列復合式過電壓保護器 AL-FGB型三相復合式過電壓保護器（簡稱AL-FGB）是我公司針對現(xiàn)行各類過電壓保護器保護弱點而研制的新一代專利產品，將組容吸收器和避雷器的功能有機結合在一起，專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中，主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負載時產生的高頻操作過電壓，同時具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過電壓保護器無法比擬的優(yōu)點。可廣泛地應用于真空斷路器操作的電動機、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產品使過電壓保護器的整體功能實現(xiàn)了重大突破，是目前功能最全面、保護最完善的產品。符合國家產業(yè)政策及國家電氣產品無油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢，具有顯著的技術經(jīng)濟效益和廣泛的社會效益，是我國電力建設尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產品。 該產品廣泛應用于發(fā)電廠、變（配）電站、各種水利設施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害，功能強大，保護更全面 在中壓電網(wǎng)中，由于真空電器產品（真空斷路器、真空接觸器、真空負荷開關、真空重合器等）的滅弧能力特別強，在關、合感性負載（發(fā)電機、變壓器、電抗器和電動機等）時，容易引發(fā)截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達105～106HZ），對感性負載的危害性極大，被稱為“電機殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值，只限幅不限頻，用來防雷能起到好的效果，但對操作過電壓只治標不治本。 AL-FGB內部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設計，功能互補，相互保護 操作過電壓保護阻容回路Ⅰ和避雷保護回路Ⅱ有機結合，保護功能互不干涉，還能相互保護。如圖2-1。 當雷電波侵入時，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實線路徑，經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地；同時保護了阻容回路中電容器，避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當高頻振蕩的操作過電壓侵入時，則按虛線路徑，經(jīng)阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時減少避雷回路的動作次數(shù)，保護閥片，延長產品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險性； 感性負載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過電壓陡度極高，對匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現(xiàn)場許多事故實例都證明，在操作過電壓作用下，電機和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進線端的匝間為主，這說明高陡度對帶繞組的電氣設備危害極大。 AL-FGB設計的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機率，成功抑制高陡度對電氣設備的危害。 目前同類的過電壓保護設備，如避雷器、各類組合式過電壓保護器等，對改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力，即不能防治高陡度對感性負載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環(huán)保節(jié)能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運行時僅通過μA級電流，不僅節(jié)約電能，而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流，保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設計保證其在需要時能夠迅速接入電網(wǎng)，保護即時，而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設置自控接入裝置對消除諧振過電壓（注：不超過AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當諧振過電壓幅值高至危害電氣設備時，AL-FGB接入電網(wǎng)，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵擾，適應的電網(wǎng)運行環(huán)境更廣； 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過熱，對過電壓保護設備的正常運行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵擾:因為它增加了自控接入裝置,在正常運行或發(fā)生單相接地異常運行時都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應的電網(wǎng)運行環(huán)境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統(tǒng)過電壓，持續(xù)時間長、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過電壓極易損壞過電壓保護設備，出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實現(xiàn)自我保護功能。當系統(tǒng)過電壓超過AL-FGB的承受能力時，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護本體，避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象，控制事故范圍，延長使用壽命，運行更安全更經(jīng)濟。 7、既可保護相對地，又可保護相間； 四極式聯(lián)接（如圖2-2），具體參數(shù)設計保證：不僅能保護相對地絕緣，而且能保護相間絕緣。本身為連體結構，體積小，性能穩(wěn)定，而價格不高。 8、吸收容量大，保護范圍更廣； 針對35KV電網(wǎng)系統(tǒng)，AL-FGB電容容量高達0.05μF，保護范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設備，且裕量充足；針對35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng)，其電容容量高達0.1μF，吸收容量更大，保護范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級阻燃材質； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達到了防護型電容器的各項技術指標，其絕緣水平完全達到了GB311.1—1997標準的要求，該產品能在環(huán)境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長期運行，在2UN下連續(xù)運行4小時不出現(xiàn)閃絡和擊穿；極間選用國外進口的優(yōu)質、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質；各個電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹脂灌封；電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統(tǒng)運行的可靠性和安全性，使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應特性，殘壓低、容量大、保護大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級別達到最高級別的VO級進口材質，使用更放心。 10、動態(tài)記錄，清晰掌控設備運行狀況； 可根據(jù)用戶要求選裝放電動作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動作狀況。
上傳時間： 2013-10-16
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雙系統(tǒng)啟動菜單修復工具
上傳時間： 2013-10-23
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2013雙面板制版流程
上傳時間： 2014-03-01
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QuartusII中利用免費IP核的設計 作者：雷達室 以設計雙端口RAM為例說明。 Step1：打開QuartusII，選擇File—New Project Wizard，創(chuàng)建新工程，出現(xiàn)圖示對話框，點擊Next；
上傳時間： 2013-10-18
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基于Actel FPGA 的雙端口RAM 設計雙端口RAM 芯片主要應用于高速率、高可靠性、對實時性要求高的場合，如實現(xiàn)DSP與PCI 總線芯片之間的數(shù)據(jù)交換接口電路等。但普通雙端口RAM 最大的缺點是在兩個CPU發(fā)生競爭時，有一方CPU 必須等待，因而降低了訪問效率。IDT 公司推出的專用雙端口RAM 芯片解決了普通雙端口RAM 內部競爭問題，并融合了中斷、旗語、主從功能。它具有存取速度快、功耗低、可完全異步操作、接口電路簡單等優(yōu)點，但缺點也非常明顯，那就是價格太昂貴。為解決IDT 專用雙端口RAM 芯片的價格過高問題，廣州致遠電子有限公司推出了一種全新的基于Actel FPGA 的雙端口RAM 的解決方案。該方案采用Actel FPGA 實現(xiàn)，不僅具有IDT 專用雙端口RAM 芯片的所有性能特點，更是在價格上得到了很大改善，以A3P060雙端口RAM 為例，在相同容量（2K 字節(jié)）下，其價格僅為IDT 專用芯片的六分之一。
上傳時間： 2013-10-19
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介紹了基于Xilinx Spartan- 3E FPGA XC3S250E 來完成分辨率為738×575 的PAL 制數(shù)字視頻信號到800×600 的VGA 格式轉換的實現(xiàn)方法。關鍵詞: 圖像放大; PAL; VGA; FPGA 目前, 絕大多數(shù)監(jiān)控系統(tǒng)中采用的高解析度攝像機均由47 萬像素的CCD 圖像傳感器采集圖像, 經(jīng)DSP 處理后輸出的PAL 制數(shù)字視頻信號不能直接在VGA 顯示器上顯示, 而在許多場合需要在VGA 顯示器上實時監(jiān)視, 這就需要將隔行PAL 制數(shù)字視頻轉換為逐行視頻并提高幀頻, 再將每幀圖像放大到800×600 或1 024×768。常用的圖像放大的方法有很多種, 如最臨近賦值法、雙線性插值法、樣條插值法等[ 1] 。由于要對圖像進行實時顯示, 本文采用一種近似的雙線性插值方法對圖像進行放大。隨著微電子技術及其制造工藝的發(fā)展, 可編程邏輯器件的邏輯門密度有了很大提高, 現(xiàn)場可編程邏輯門陣列( FPGA) 有著邏輯資源豐富和可重復以及系統(tǒng)配置的靈活性, 同時隨著微處理器、專用邏輯器件以及DSP 算法以IP Core 的形式嵌入到FPGA 中[ 2] , FPGA 的功能越來越強, 因此FPGA 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中發(fā)揮著越來越重要的作用。本課題的設計就是采用VHDL 描述, 基于FPGA 來實現(xiàn)的。
上傳時間： 2014-02-22
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現(xiàn)代的電子設計和芯片制造技術正在飛速發(fā)展，電子產品的復雜度、時鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢，但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產品投放市場的時間要求給設計師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產品的一次性成功就必須能預見設計中可能出現(xiàn)的各種問題，并及時給出合理的解決方案，對于高速的數(shù)字電路來說，最令人頭大的莫過于如何確保瞬時跳變的數(shù)字信號通過較長的一段傳輸線，還能完整地被接收，并保證良好的電磁兼容性，這就是目前頗受關注的信號完整性（SI）問題。本章就是圍繞信號完整性的問題，讓大家對高速電路有個基本的認識，并介紹一些相關的基本概念。 第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設計流程剖析...............................................................61.3 相關的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質.................................................................................142.3.2 特征阻抗相關計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導.............................................................................182.5 趨膚效應和集束效應.................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章 串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設計.............................................................................................855.3 同步開關噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內部開關噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結構...................................................................1096.2.2 源同步時序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設計理論在實際中的運用.............................................................1228.1 疊層設計方案...........................................................................................1228.2 過孔對信號傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134
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上傳時間： 2013-11-01
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