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90度雙塑公針

  • 數字容性隔離器的磁場抗擾度

    數字容性隔離器的應用環境通常包括一些大型電動馬達、發電機以及其他產生強電磁場的設備。暴露在這些磁場中,可引起潛在的數據損壞問題,因為電勢(EMF,即這些磁場形成的電壓)會干擾數據信號傳輸。由于存在這種潛在威脅,因此許多數字隔離器用戶都要求隔離器具備高磁場抗擾度 (MFI)。許多數字隔離器技術都聲稱具有高 MFI,但容性隔離器卻因其設計和內部結構擁有幾乎無窮大的MFI。本文將對其設計進行詳細的介紹。

    標簽: 數字 隔離器 磁場抗擾度

    上傳時間: 2013-10-26

    上傳用戶:litianchu

  • 數字預失真系統反饋通道增益平坦度的補償

    針對數字預失真系統對反饋鏈路平坦度的要求,提出一種在不斷開模擬鏈路的前提下,采用單音測量WCDMA&LTE混?;旧漕l拉遠單元反饋鏈路的增益平坦度,并采用最小二乘法,分別擬合射頻、本振和中頻的增益的方法。采用MATLAB工具產生濾波器系數,在基本不增加復雜度的基礎上,通過DPD軟件離線補償中頻的增益不平坦度。實際應用取得良好的補償效果。

    標簽: 數字預失真 反饋 增益

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:haohaoxuexi

  • 電位計訊號轉換器

    電位計訊號轉換器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1.產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離;如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號,機種齊全。 此款薄型設計的轉換器/分配器,除了能提供兩組訊號輸出(輸出間隔離)或24V激發電源供傳送器使用外,切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現場施工及工作狀態檢視。 2.產品特點 可選擇帶指撥開關切換,六種常規輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離,可選擇不同信號。 設計了電源、輸入及輸出LED指示燈,方便現場工作狀態檢視。 規格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。 依據CE國際標準規范設計。 3.技術規格 用途:信號轉換及隔離 過載輸入能力:電流:10×額定10秒 第二組輸出:可選擇 輸入范圍:P1:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ P2:0 Ω ~ 2.0 KΩ / ~ 100.0 KΩ 精確度: ≦±0.2% of F.S. ≦±0.1% of F.S. 偵測電壓:1.6V 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻:DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露 溫度系數: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質: ABS防火材料,UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規格:AT-PM1-P1-DN-ADL 電位計訊號轉換器,一組輸出,輸入范圍:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ,輸出一組輸出4-20mA,工作電源AC/DC20-56V

    標簽: 電位計 訊號 轉換器

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:feitian920

  • 信號完整性知識基礎(pdf)

    現代的電子設計和芯片制造技術正在飛速發展,電子產品的復雜度、時鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢,但系統的電壓卻不斷在減小,所有的這一切加上產品投放市場的時間要求給設計師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產品的一次性成功就必須能預見設計中可能出現的各種問題,并及時給出合理的解決方案,對于高速的數字電路來說,最令人頭大的莫過于如何確保瞬時跳變的數字信號通過較長的一段傳輸線,還能完整地被接收,并保證良好的電磁兼容性,這就是目前頗受關注的信號完整性(SI)問題。本章就是圍繞信號完整性的問題,讓大家對高速電路有個基本的認識,并介紹一些相關的基本概念。 第一章 高速數字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設計流程剖析...............................................................61.3 相關的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質.................................................................................142.3.2 特征阻抗相關計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導.............................................................................182.5 趨膚效應和集束效應.................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩:.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章 串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設計.............................................................................................855.3 同步開關噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內部開關噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統...........................................................................................1006.1.1 時序參數的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時序系統.......................................................................................1086.2.1 源同步系統的基本結構...................................................................1096.2.2 源同步時序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設計理論在實際中的運用.............................................................1228.1 疊層設計方案...........................................................................................1228.2 過孔對信號傳輸的影響...........................................................................1278.3 一般布局規則...........................................................................................1298.4 接地技術...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134

    標簽: 信號完整性

    上傳時間: 2014-05-15

    上傳用戶:dudu1210004

  • 一種無片外電容LDO的瞬態增強電路設計

    利用RC高通電路的思想,針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度,而且瞬態增強電路工作的過程中,系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明:整個LDO是靜態電流為3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在電源電壓為1.8 V,輸出電壓為1.3 V的情況下,當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時,其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs;而在負載電流為100 mA的條件下,電源電壓在10 ns內,由1.8 V跳變到2.3 V時,輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

    標簽: LDO 無片外電容 瞬態 電路設計

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:niumeng16

  • 交直流轉換器

    交直流轉換器 AT-VA2-D-A3-DD-ADL 1.產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離;如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號,機種齊全。 此款薄型設計的轉換器/分配器,除了能提供兩組訊號輸出(輸出間隔離)或24V激發電源供傳送器使用外,切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現場施工及工作狀態檢視。 2.產品特點 可選擇帶指撥開關切換,六種常規輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離,可選擇不同信號。 設計了電源、輸入及輸出LED指示燈,方便現場工作狀態檢視。 規格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。 依據CE國際標準規范設計。 3.技術規格 用途:信號轉換及隔離 過載輸入能力:電流:10×額定10秒 第二組輸出:可選擇 精確度: 交流: ≦±0.5% of F.S. 直流: ≦±0.2% of F.S. 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻:DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露 溫度系數: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質: ABS防火材料,UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規格:AT-VA2-D-A3-DD-ADL 交直流轉換器,2組輸出,輸入交流輸入0-19.99mA,輸出1:4-20mA,輸出2:4-20mA,工作電源AC/DC20-56V

    標簽: 交直流 轉換器

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:nem567397

  • N79E8132移動電源方案

    N79E8132移動電源方案功能介紹     本方案的特色是采用新唐生產的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機,可以在-40度到85度溫度范圍內安全工作,具備4K FLASH,4K DATAFLASH,512B RAM,高精度10位ADC,內置帶隙電壓可省去外部參考電壓,內置22.1184M、11.0592M振蕩器,并具有可分頻的時鐘供單片機核心使用,可以根據性能需要靈活選擇工作時鐘,提高工作效率,具備外部中斷、按鍵中斷,可以靈活實現單片機進入掉電模式后的喚醒功能,具備停機、掉電模式,在產品不使用的時候進入掉電模式,實現環保節能,支持ICE仿真工具,ICP、串口ISP燒寫,開發硬件成本低。軟件開發可以使用KEIL C,容易上手。     充電部分采用通用的TP4056,價格便宜,容易采購,可以通過外部元件靈活配置充電電流。     升壓部分采用日本精工的S8365,工作頻率1.2M,外置MOS,容易實現大電流,高效率,電感小型化節省成本。 技術參數 1. 輸入: USB 5V/1A ,充電電流可達500-850mA,可根據需要進行設置 2. 輸出: USB 5V/1A,效率最高可達到90%以上,可根據需要提高到2A 3. 電量指示: (可根據需要自行設定)     四燈全亮 75%-100%     三個指示燈亮 50%-75%     兩個燈亮 25%-55%     一個指示燈亮 5%-25%     無指示燈亮 5%以下 4.充電指示:     25%以下 一個指示燈閃     25%-50% 一個指示燈亮 第二個閃     50%--75% 二個指示燈亮 第三個閃     75%-99% 三個指示燈亮 第四個閃     100% 四個指示燈長亮。 5.智能保護:     低電保護:電池電壓低于3V時自動關閉升壓     放電保護:放電電流大于額定電流自動關閉升壓輸出(1A模式設置為1.5A保護)     溫度保護:檢測電池溫度,高于55度自動關閉升壓輸出(可選)     低電流關機:當外部設備的電流需求小于100mA時,關閉升壓輸出以節省電力。 6.按鍵操作:     短按按鍵,4個LED顯示剩余電量3~5秒自動關閉   按鍵長按, LED點亮,閃爍3次后開啟升壓,顯示電量,30秒內沒有連接外部設備自動關機。   開機狀態長按,點亮照明LED,再長按熄滅照明LED,照明LED點亮狀態不會進入自動關機 帶照明功能。(可選)8.原理圖 9.BOM 序號 類型 參數 位號 封裝 數量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 R16 0603 2 17 貼片電阻 220KF R17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說明

    標簽: N79E8132 移動電源 方案

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:sxdtlqqjl

  • 礦區供電

    淮南煤礦區地跨淮河兩岸,轄有大通、田家庵、謝家集、八公山、潘集5個行政區,人口106.30萬,是國家大型煤炭生產基地之一?;茨瞎╇娛加诿駠?9年(1930年)4月,當時僅有1臺7.5千瓦直流發電機發電,供九龍崗礦場地面照明。民國25年,九龍崗東西兩礦,有1路1.70公里的2.3千伏送電線相聯,各裝1臺10千伏安變壓器。民國27年后,日本侵略軍占領淮南,在大通、九龍崗兩區建礦采煤,掠奪煤炭資源,民國32年,建成下窯(田家庵)發電所,架設經大通至九龍崗22千伏同桿(鐵塔)雙固路輸電線,和大通、九龍崗2個變電所,以3.3千伏向礦井配電??谷諔馉巹倮?,民國36年4月,淮南路礦公司架設田家庵至八公山22千伏輸電線。至此22千伏線路全長37.10公里,變電所4個,降壓變壓器11臺,總容量7500千伏安。民國37年售電量1189.60萬千瓦·時,主要供煤礦用電。建國后,先后對謝一、謝二、謝三礦和李咀孜礦進行勘探建井。1954年,原22千伏線路和變電所升壓為35千伏供電。1958年起以110千伏電壓供電。至1972年,發展成為工商業區和政治文化中心的東部地區,也升壓為110千伏供電。1975年淮河北岸潘集礦區開始建設,負荷中心北移,由田家庵電廠出線跨越淮河至潘集礦區的110千伏輸變電工程同時投運。1978~1982年間,淮南礦區又先后建成田家庵電廠經西山變電所至淮河北岸蘆集變電所的220千伏系統。1985年,田家庵、洛河電廠裝機總容量達90.10萬千瓦,市內供電網相應加強,全礦區已形成主要由田家庵電廠110千伏母線和220千伏西山變電所、蘆集變電所3點分片供電,以220千伏和110千伏高壓配電網聯合供電的格局。同時,一些大型廠礦都有自備35千伏及以上變電所,并向附近中小企業轉供電,形成東部田家庵、大通兩區,中部望峰崗地區,西部謝集、八公山兩區,淮河北岸潘集區組成的4個公用中低壓配電網絡。1985年,全市最高負荷19.55萬千瓦,供電量16億多千瓦·時。其中,煤炭工業最高負荷9.34萬千瓦,用電量4.99億千瓦·時,占全市用電量的三分之一。

    標簽: 礦區供電

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:fandeshun

  • 基于TLC1549的閥門開度儀設計

    摘 要: 閥門開度儀以AT89C51單片機為核心, 通過在閥門電機軸上安裝的電位計傳感器獲得閥 門電機軸的轉動角位移, 從而得出閥門的開度, 達到自動檢測的目的。詳細介紹了串行控制的10 位A /D轉換器TLC1549的特點和功能, 說明了TLC1549與AT89C51單片機在閥門開度儀中的硬件 電路和軟件程序。實踐證明, 該閥門開度儀數據采集準確可靠、工作穩定。 關鍵詞: TLC1549; AT89C51單片機; 閥門開度    

    標簽: 1549 TLC 閥門開度儀

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:行者Xin

  • Atmel 90系列AVR單片機燒錄器

    AVRPRO燒錄器,是針對ATMEL公司的90系列AVR精簡指令單片機設計的專用燒錄工具該產品只有軟件部分,無需硬件支持,僅僅只需4根線,將計算機并口和用戶板相連,這都是因為采用了ISP串行編程。軟件支持擦、寫、校驗、寫保護位以及批處理。使用極其方便。 該產品的最大優點有: 1.  使用串行編程,達到了在線編程,節省了購買萬用編程器和適配器的費用(萬用編程器需2千元左右,適配器需3、4百元,并各個芯片和封裝需不同適配器)。用戶板也無需在焊插座(帶來可靠性下降),而且為軟件升級帶來了極大的便利。 2.  使用方便,無需硬件,給現場調試帶來了極大的便利,不用再帶笨重的編程器,而且為AVR單片機的使用上帶來了方便。 3.  價格實在太便宜,為您省了不少錢。 硬件使用說明:        并口和用戶板連接說明               并口2腳<―――>用戶板單片機MOSI               并口3腳<―――>用戶板單片機SCK               并口12腳<―――>用戶板單片機MISO               并口25腳<―――>用戶板單片機GND 軟件使用說明:       軟件名是AVRPRO.EXE,支持DOS,WIN9x,支持.hex(intel)格式,可直接運行AVRPRO.EXE,也可以鍵入AVRPRO.EXE 目錄\文件名.HEX,直接運行時可進入菜單,可選擇擦、寫、校驗、寫保護位以及批處理。鍵入文件名時,軟件運行批處理,自動完成擦、寫、校驗、寫保護位

    標簽: Atmel AVR 單片機 燒錄器

    上傳時間: 2014-12-27

    上傳用戶:zhang97080564

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