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COM技術內(nèi)幕

  • 演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態(tài)或輸入數(shù)據(jù)

    演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態(tài)或輸入數(shù)據(jù),經(jīng)過電腦程序的有限次運算,能夠得出所要求或期望的終止狀態(tài)或輸出數(shù)據(jù)。本書介紹電腦科學中重要的演算法及其分析與設計技術

    標簽: 算法

    上傳時間: 2017-06-09

    上傳用戶:wys0120

  • FLIR 雷達產(chǎn)品簡介

    文件中詳細介紹 FLIR 雷達產(chǎn)品的各項技術數(shù)據(jù)

    標簽: FLIR 雷達

    上傳時間: 2015-03-18

    上傳用戶:戴斗笠的神秘人

  • FLIR 雷達 重要技術單元

    文件中詳細列舉出FLIR雷達產(chǎn)品所使用的頻率波段以及發(fā)射功率資訊!

    標簽: FLIR 雷達

    上傳時間: 2015-03-18

    上傳用戶:戴斗笠的神秘人

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • 高速電路設計 詳細基礎理論知識

    設計高速電路必須考慮高速訊 號所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應,所以訊號完整性 (signal  integrity)將是考量設計電路優(yōu)劣的一項重要指標,電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應,才比較可能獲得高品質且可靠的設計, 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發(fā)之 各種效應(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多,使用上很複雜,必須事先 進修學習,否則無法全盤了解儀器之功能,因而無法有效發(fā)揮儀器的量測功能。 其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規(guī)範也必須熟悉,像眼圖分析,探針 效應,抖動(jitter)測量規(guī)範及高速串列介面量測規(guī)範等實務技術,必須充分 了解研究學習,進而才可設計出優(yōu)良之教學教材及教具。

    標簽: 高速電路

    上傳時間: 2021-11-02

    上傳用戶:jiabin

  • :::::::讀心術::::::: “吉普賽人祖?zhèn)鞯纳衿孀x心術.它能測算出你的內(nèi)心感應”

    :::::::讀心術::::::: “吉普賽人祖?zhèn)鞯纳衿孀x心術.它能測算出你的內(nèi)心感應”

    標簽:

    上傳時間: 2015-08-27

    上傳用戶:s363994250

  • memory dump,可以將DOS下1M內(nèi)存的內(nèi)容全部讀出來,並列印在螢幕上.

    memory dump,可以將DOS下1M內(nèi)存的內(nèi)容全部讀出來,並列印在螢幕上.

    標簽: memory dump DOS 內(nèi)存

    上傳時間: 2013-12-10

    上傳用戶:plsee

  • C++BUILDER 6.0 delphi 7 串口控件 由www.cppfans.com網(wǎng)站所提供 內(nèi)涵說明 非常好用

    C++BUILDER 6.0 delphi 7 串口控件 由www.cppfans.com網(wǎng)站所提供 內(nèi)涵說明 非常好用

    標簽: BUILDER cppfans delphi 6.0

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:wab1981

  • 《Java ME手機應用開發(fā)大全》源碼 書籍內(nèi)容簡介: http://www.china-pub.com/410

    《Java ME手機應用開發(fā)大全》源碼 書籍內(nèi)容簡介: http://www.china-pub.com/410

    標簽: china-pub Java http 410

    上傳時間: 2017-02-10

    上傳用戶:gdgzhym

  • pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗

    PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:pei5

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