產品型號：VK2C21A/B/C/D 產品品牌：VINKA/永嘉微/永嘉微電 封裝形式：SOP28/24/20/16 裸片:DICE（邦定COB）/COG（邦定玻璃用） 產品年份：新年份 聯 系 人：許碩 原廠直銷，工程服務，技術支持，價格最具優勢！QT446 VK2C21A/B/C/D概述： VK2C21是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大80點（20SEGx4COM）或者最大128點（16SEGx8COM）的LCD屏。單片機可通過I2C接口配置顯示參數和讀寫顯示數據，也可通過指令進入省電模式。其高抗干擾，低功耗的特性適用于水電氣表以及工控儀表類產品。 特點： ★ 工作電壓 2.4-5.5V ★ 內置32 kHz RC振蕩器 ★ 偏置電壓（BIAS）可配置為1/3、1/4 ★ COM周期（DUTY）可配置為1/4、1/8 ★ 內置顯示RAM為20x4位、16x8位 ★ 幀頻可配置為80Hz、160Hz ★ 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入）
標簽： VK2C 21 LCD 應用于 抗干擾 環境 液晶驅動
上傳時間： 2022-06-07
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j1939 附錄a附錄b
標簽： j1939
上傳時間： 2022-06-09
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產品型號：VK2C21A/B/C/D 產品品牌：VINKA/永嘉微/永嘉微電 封裝形式：SOP28/24/20/16 裸片:DICE（邦定COB）/COG（邦定玻璃用） 產品年份：新年份 聯 系 人：許碩 Q Q：191 888 5898 聯系手機：18898582398（信） 原廠直銷，工程服務，技術支持，價格最具優勢！QT459 VK2C21A/B/C/D概述： VK2C21是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大80點（20SEGx4COM）或者最大128點（16SEGx8COM）的LCD屏。單片機可通過I2C接口配置顯示參數和讀寫顯示數據，也可通過指令進入省電模式。其高抗干擾，低功耗的特性適用于水電氣表以及工控儀表類產品。 特點： ★ 工作電壓 2.4-5.5V ★ 內置32 kHz RC振蕩器 ★ 偏置電壓（BIAS）可配置為1/3、1/4 ★ COM周期（DUTY）可配置為1/4、1/8 ★ 內置顯示RAM為20x4位、16x8位 ★ 幀頻可配置為80Hz、160Hz ★ 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入）
標簽： VK2C21 VK2C21A VK2C21B VK2C21C VK2C21D LCD抗干擾段碼屏驅動 段碼屏驅動抗干擾
上傳時間： 2022-06-09
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描述了NTC使用B值計算出實際溫度與輸出的電壓之間的關系。
標簽： ntc計算
上傳時間： 2022-06-15
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BC20-TE-B NB-Iot 評估板評估板原廠原理圖V1.2。完整對應實物裝置。
上傳時間： 2022-06-17
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ASR M08-B設置軟件 V3.2 arduino 2560+ASRM08-B測試程序 arduino UNO+ASRM08-B測試程序語音控制臺燈電路圖及C51源碼(不帶校驗碼) 繼電器模塊設置。 ASR M08-B是一款語音識別模塊。首先對模塊添加一些關鍵字，對著該模塊說出關鍵字，串口會返回三位的數，如果是返回特定的三位數字，還會引起ASR M08-B的相關引腳電平的變化。【測試】①打開“ASR M08-B設置軟件 V3.2.exe”。②選擇“串口號”、“打開串口”、點選“十六進制顯示”。③將USB轉串口模塊連接到語音識別模塊上。接線方法如下：語音模塊TXD --> USB模塊RXD語音模塊RXD --> USB模塊TXD語音模塊GND --> USB模塊GND語音模塊3V3 --> USB模塊3V3（此端為3.3V電源供電端。）④將模塊的開關撥到“A”端，最好再按一次上面的大按鈕（按一次即可，為了確保模塊工作在正確的模式）。⑤對著模塊說“開燈”、“關燈”模塊會返回“0B”、“0A”，表示正常(注意：0B對應返回值010，0B對應返回值010，返回是16進制顯示的嘛，設置的時候是10進制設置的)。
標簽： ASR M08-B
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本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧，以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優化設計方法。這些方法提高了設計效率，縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統中的功率放大器設計。 本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師，他曾經任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網絡參數 1.1 傳統的網絡參數 1.2 散射參數 1.3 雙口網絡參數間轉換 1.4 雙口網絡的互相連接 1.5 實際的雙口電路 1.5.1 單元件網絡 1.5.2 π形和T形網絡 1.6 具有公共端口的三口網絡 1.7 傳輸線 參考文獻 第2章 非線性電路設計方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數法 2.2 時域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設計 4.4.2 寬帶高功率放大器設計 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導 參考文獻 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網絡 5.3 四口網絡 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻 第6章 功率放大器設計基礎 6.1 主要特性 6.2 增益和穩定性 6.3 穩定電路技術 6.3.1 BJT潛在不穩定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩定的頻域 6.3.3 一些穩定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別：A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實際外形 參考文獻 第7章 高效率功率放大器設計 7.1 B類過激勵 7.2 F類電路設計 7.3 逆F類 7.4 具有并聯電容的E類 7.5 具有并聯電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設計 7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準則 8.2 具有集中元件的匹配網絡 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網絡 8.4 具有傳輸線的匹配網絡 8.5 有耗匹配網絡 8.6 實際設計一瞥 參考文獻 第9章 通信系統中的功率放大器設計 9.1 Kahn包絡分離和恢復技術 9.2 包絡跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術 9.7 預失真線性化技術 9.8 手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻
上傳時間： 2013-04-24
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基本信息 ·出版社：清華大學出版社 ·頁碼：360 頁 ·出版日期：2005年10月 ·ISBN：7302115095 ·條形碼：9787302115090 ·版本：第1版 ·裝幀：平裝 ·開本：16開 Pages Per Sheet -------------------------------------------------------------------------------- 內容簡介 《電子設計從零開始》全書分為三大部分，共17章。第1章至第8章深入淺出地介紹了模擬電路的相關知識；第9章至第11章是數字電路部分，介紹了一些基本概念和系統開發過程中經常使用的器件；從第12章到結束是以51單片機為例的單片機應用技術介紹，其中有大量的實例和完整的程序。 電子設計涉及的知識面廣、難度大，初學者往往不知從何入手。《電子設計從零開始》結合了作者多年的學習與輔導經驗，全面系統地介紹了進行電子設計與制作所需要的各種知識，包括模擬電路、數字電路和單片機應用基礎，并結合Multisim仿真軟件對大部分實例進行了演示。 -------------------------------------------------------------------------------- 編輯推薦 《電子設計從零開始》通過“講故事”的形式將這三部分內容逐步展開，并結合電路仿真軟Multisim 2001對一些實例進行了演示和驗證。著眼技術的應用，并不苛求計算和深刻的理論理解正是《電子設計從零開始》編寫時的目的；講求通俗易懂，在閱讀時應當注意提取知識點和實例中蘊含的技巧。書中還有一個特點就是插圖豐富，這對理解所講內容是很有幫助的。 《電子設計從零開始》適合電類本、專科學生作為全面掌握電子設計基礎知識的參考書；也可作為無線電愛好者的實例參考用書；對于學有余力的非電類工科學生以及對電子設計感興趣的中學生朋友來說，也是一本很好的全面了解電子設計基礎知識的入門讀物。 -------------------------------------------------------------------------------- 目錄 第一章 走進電子技術 第二章 收音機里蘊含知識 第三章 制作第一件電子作品 第四章 從擴音機中學放大器 第五章 制作一臺多媒體音箱 第六章 振蕩器豐富多彩 第七章 集成電路ABC 第八章 傳感器及其他器件 第九章 數字啟航 第十章 邏輯門應用 第十一章 翻轉與計數 第十二章 單片機就在我們身邊 第十三章 單片機和LED 第十四章 單片機下命令 第十五章 跑馬燈 第十六章 馬表與時鐘 第十七章 采集我們的聲音 附錄A Multisim2001的安裝 附錄B Multisim2001的菜單欄 附錄C Multisim2001中的虛擬儀表 附錄D 數字電路綜合設計——數字鐘 附錄E ASCⅡ碼表 參考文獻 ……
上傳時間： 2013-06-05
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為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
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當你認為你已經掌握了PCB 走線的特征阻抗Z0，緊接著一份數據手冊告訴你去設計一個特定的差分阻抗。令事情變得更困難的是，它說：“……因為兩根走線之間的耦合可以降低有效阻抗，使用50Ω的設計規則來得到一個大約80Ω的差分阻抗！”這的確讓人感到困惑！這篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外，還討論了為什么是這樣，并且向你展示如何正確地計算它。 單線：圖1(a)演示了一個典型的單根走線。其特征阻抗是Z0，其上流經的電流為i。沿線任意一點的電壓為V=Z0*i（ 根據歐姆定律）。一般情況，線對：圖1(b)演示了一對走線。線1 具有特征阻抗Z11，與上文中Z0 一致，電流i1。線2具有類似的定義。當我們將線2 向線1 靠近時，線2 上的電流開始以比例常數k 耦合到線1 上。類似地，線1 的電流i1 開始以同樣的比例常數耦合到線2 上。每根走線上任意一點的電壓，還是根據歐姆定律，
標簽： 差分阻抗
上傳時間： 2013-10-20
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