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Isp-V

  • 一種新型機載防浪涌電壓保護電路設(shè)計

    設(shè)計了一種新型的機載過壓保護電路。該電路以芯片LT4356和APL502L為主要器件,簡單可靠,能夠滿足防80 V/50 ms浪涌電壓要求。介紹了該防浪涌電壓保護電路主要特點和參數(shù)設(shè)計,并對該電路進行了仿真分析。相應(yīng)實驗結(jié)果表明,該電路是一種可靠有效的機載過壓保護電路。

    標簽: 機載 保護 防浪涌 電壓

    上傳時間: 2013-10-10

    上傳用戶:edward_0608

  • 基于STM32F103VC的家用型光伏逆變系統(tǒng)的研究

    為了推進光伏發(fā)電技術(shù)應(yīng)用到居民家居生活中,提出了一套適用于家用小功率電器工作的光伏逆變系統(tǒng)。系統(tǒng)采用意法半導(dǎo)體公司的STM32F103VC作為控制系統(tǒng)的核心,運用軟件方式產(chǎn)生SPWM波。逆變主拓撲回路采用兩級全橋變換器,中間環(huán)節(jié)配合高頻變壓器升壓。與傳統(tǒng)的逆變器設(shè)計思路不同,前級全橋變換器采用SPWM波控制實現(xiàn)逆變?nèi)〈酝愣}寬PWM控制,后級變換器作為頻率50 Hz翻轉(zhuǎn)開關(guān)來重構(gòu)正弦波。該系統(tǒng)可將太陽能電池板輸出的12 V電壓轉(zhuǎn)換為適用于家用電器工作的220 V/50 Hz交流電。

    標簽: F103 STM 103 32F

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:lingfei

  • 一種無片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

    電路如果存在不穩(wěn)定性因素,就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點,運用電流緩沖器頻率補償設(shè)計了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時,最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz

    標簽: LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:wangjin2945

  • IR2110驅(qū)動芯片在光伏逆變電路中的設(shè)計應(yīng)用

     IR2110是IR公司的橋式驅(qū)動集成電路芯片,它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),大大簡化了邏輯電路對功率器件的控制要求,同時提高了驅(qū)動電路的可靠性[1]。對于我設(shè)計的含有ZCS環(huán)節(jié)的單相光伏逆變電路中有6個IGBT,只需要3片芯片即可驅(qū)動,通過dsp2812控制實現(xiàn)軟開關(guān)和逆變的功能,同時只需要提供3.3 V,12 V的基準電壓即可工作,在工程上大大減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目,降低了產(chǎn)品成本,提高了系統(tǒng)可靠性。

    標簽: 2110 IR 驅(qū)動芯片 光伏逆變電路

    上傳時間: 2014-01-05

    上傳用戶:tom_man2008

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)的設(shè)計與試驗

    為降低大功率開關(guān)電源設(shè)計時功率器件的選擇、開關(guān)頻率和功率密度的提高所面臨的困難,改善單電源供電的可靠性,設(shè)計并制作程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。系統(tǒng)由2個額定輸出功率為16 W的8 V DC/DC模塊構(gòu)成的程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。以STM32F103微控制器為核心芯片,通過程序控制內(nèi)部DAC調(diào)節(jié)PWM主控芯片UC3845的反饋端電壓,使DC/DC模塊輸出電壓產(chǎn)生微小變動,進而可調(diào)整DC/DC模塊的輸出電流并實時分配各DC/DC模塊的輸出電流,軟件采用PI算法。試驗表明,系統(tǒng)滿載效率高于80.23%,電流分配誤差最大為1.54%;電源輸出在1 s內(nèi)快速達到穩(wěn)態(tài);系統(tǒng)以4.5 A為閾值實現(xiàn)過流保護和自恢復(fù)功能。

    標簽: 程控開關(guān)電源 并聯(lián)供電系統(tǒng)

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:王慶才

  • 一種無片外電容LDO的瞬態(tài)增強電路設(shè)計

    利用RC高通電路的思想,針對LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強電路結(jié)構(gòu)。該電路設(shè)計有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度,而且瞬態(tài)增強電路工作的過程中,系統(tǒng)的功耗并沒有增加。此LDO芯片設(shè)計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結(jié)果表明:整個LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在電源電壓為1.8 V,輸出電壓為1.3 V的情況下,當負載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時,其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs;而在負載電流為100 mA的條件下,電源電壓在10 ns內(nèi),由1.8 V跳變到2.3 V時,輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

    標簽: LDO 無片外電容 瞬態(tài) 電路設(shè)計

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:niumeng16

  • 高電壓輸入大電流輸出恒流源

    為了提高現(xiàn)有路燈的供電效率,開發(fā)設(shè)計了單燈恒流的供電模式,在每個路燈上安裝一個體積很小的的恒流源,以保障給LED燈提供穩(wěn)定、高效的恒流供電。在恒流源模塊中,恒流源芯片HV9910B可以實現(xiàn)了高于70 V的電壓的輸入,在不同的輸入電壓下,恒流源芯片工作在恒定關(guān)斷模式下,控制輸出BUCK電路中的開關(guān)MOSE的占空比,以輸出恒定2.2 A的電流,LED燈串聯(lián)起來作為負載,效率達到了91%以上。

    標簽: 高電壓 輸入 大電流 恒流源

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:yczrl

  • 集成信號和電源隔離的鋰離子電池組監(jiān)控器

    AD7280A菊花鏈從它監(jiān)控的電池單元獲得電源。ADuM5401集成一個DC/DC轉(zhuǎn)換器,用于向ADuM1201的高壓端供電,向AD7280A SPI接口提供VDRIVE電源,以及向AD7280A菊花鏈電路提供關(guān)斷信號。如果BMS低壓端的+5 V電源被拉低,則隔離器和AD7280A菊花鏈關(guān)斷。同樣,如果來自BMC的PD信號變?yōu)榈碗娖剑ㄟ^ADG849開關(guān)路由的ADuM5401低壓電源將被拉低,這也會使隔離器和AD7280A菊花鏈發(fā)生硬件關(guān)斷。

    標簽: 集成信號 電源隔離 鋰離子電池組 監(jiān)控器

    上傳時間: 2013-12-14

    上傳用戶:D&L37

  • 采用線補償技術(shù)的原邊反饋ACDC控制器

    基于1 μm 40V BCD 工藝,使用Cadence軟件對原邊反饋AC/DC控制器進行仿真和分析。線補償技術(shù)可以使原邊反饋AC/DC電路獲得很好的負載調(diào)整率,抵消電感上所消耗的電壓和整流二極管上的壓降,使輸出達到的最佳值。在輸入加220 V交流電壓時,輸出結(jié)果最大值為5.09 V,最小值為5 V,最大負載調(diào)整率為9.609%。

    標簽: ACDC 線補償 反饋 控制器

    上傳時間: 2013-10-20

    上傳用戶:sglccwk

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