IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGB綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。成為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的主流，廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、光伏、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等行業(yè)中。在電動(dòng)汽車行業(yè)中，電機(jī)控制器、輔助動(dòng)力系統(tǒng)，電動(dòng)空調(diào)中，IGBT有著廣泛的使用，大功率IGB多應(yīng)用于電機(jī)控制器中，由于電動(dòng)汽車電機(jī)控制器工作環(huán)境干擾比較大，IGBT的門極分布電容及實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)等寄生參數(shù)的直接影響到驅(qū)動(dòng)電路的可靠性1電機(jī)控制器在使用過程中，在過流、短路和過壓的情況下要對(duì)1GBT實(shí)行比較完善的保護(hù)。過流會(huì)引起電機(jī)控制器的溫度上升，可通過溫度傳感器來進(jìn)行檢測，并由相應(yīng)的電路來實(shí)現(xiàn)保護(hù)；過壓一般發(fā)生在IGBT關(guān)斷時(shí)，較大的di/dt會(huì)在寄生電感上產(chǎn)生了較高的電壓，可通過采用緩沖電路來鉗制，或者適當(dāng)降低開關(guān)速率。短路故障發(fā)生后瞬時(shí)就會(huì)產(chǎn)生極大的電流，很快就會(huì)損壞1GBT，主控制板的過流保護(hù)根本來不及，必須由硬件電路控制驅(qū)動(dòng)電路瞬間加以保護(hù)。因此驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)過程中，保護(hù)功能設(shè)計(jì)得是否完善，對(duì)系統(tǒng)的安全運(yùn)行尤其重要。
標(biāo)簽： 新能源汽車 電機(jī)控制器 igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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CCD（ Charge Coupled Device ）全稱為電荷耦合器件，是70 年代發(fā)展起來的新型半導(dǎo)體器件。它是在MOS集成電路技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，為半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用開拓了新的領(lǐng)域。它具有光電轉(zhuǎn)換、信息存貯和傳輸?shù)裙δ埽哂屑啥雀摺⒐男 ⒔Y(jié)構(gòu)簡單、壽命長、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，故在固體圖像傳感器、信息存貯和處理等方面得到了廣泛的應(yīng)用。CCD圖像傳感器能實(shí)現(xiàn)信息的獲取、轉(zhuǎn)換和視覺功能的擴(kuò)展，能給出直觀、真實(shí)、多層次的內(nèi)容豐富的可視圖像信息，被廣泛應(yīng)用于軍事、天文、醫(yī)療、廣播、電視、傳真通信以及工業(yè)檢測和自動(dòng)控制系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)室用的數(shù)碼相機(jī)、光學(xué)多道分析器等儀器，都用了CCD作圖象探測元件。一個(gè)完整的CCD器件由光敏單元、轉(zhuǎn)移柵、移位寄存器及一些輔助輸入、輸出電路組成。CCD工作時(shí)，在設(shè)定的積分時(shí)間內(nèi)由光敏單元對(duì)光信號(hào)進(jìn)行取樣，將光的強(qiáng)弱轉(zhuǎn)換為各光敏單元的電荷多少。取樣結(jié)束后各光敏元電荷由轉(zhuǎn)移柵轉(zhuǎn)移到移位寄存器的相應(yīng)單元中。移位寄存器在驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘的作用下，將信號(hào)電荷順次轉(zhuǎn)移到輸出端。將輸出信號(hào)接到示波器、圖象顯示器或其它信號(hào)存儲(chǔ)、處理設(shè)備中，就可對(duì)信號(hào)再現(xiàn)或進(jìn)行存儲(chǔ)處理。由于CCD光敏元可做得很小（約10um），所以它的圖象分辨率很高。
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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邏輯電平設(shè)計(jì)規(guī)范教材邏輯電平設(shè)計(jì)規(guī)范1、邏輯電平簡介 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12、TTL器件和CMOS器件的邏輯電平 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32.1：邏輯電平的一些概念 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32.2：常用的邏輯電平 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42.3：TTL和CMOS的邏輯電平關(guān)系 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43、TTL和CMOS邏輯器件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63.1：TTL和CMOS器件的功能分類 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63.2：TTL和MOS邏輯器件的工藝分類特點(diǎn) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.3：TTL和CMOS邏輯器件的電平分類特點(diǎn) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.4：包含特殊功能的邏輯器件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.5：TTL和CMOS邏輯器件的選擇 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93.6：邏輯器件的使用指南 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94、TTL、CMOS器件的互連 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .............
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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近年來，隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，使得低電壓、大電流電路為未來主要發(fā)展趨勢。低電壓、大電流工作有利于提高工作電路的整體功率，但同時(shí)也給電路設(shè)計(jì)帶來了新的問題。傳統(tǒng)的變換器中常采用普通二極管或肖特基二極管整流方式，在低壓、大電流輸出的電路中，應(yīng)用傳統(tǒng)二極管整流的電路，其整流的損耗比較大，工作效率比較低。一般普通二極管的壓降為1.0-1.3V，即便應(yīng)用壓降較低的肖特基二極管（SBD），產(chǎn)生壓降一般也要有0.5V左右，從而使整流的損耗增加，電源的工作效率降低，己經(jīng)不能滿足現(xiàn)代開關(guān)電源高性能的需求。因此，應(yīng)用同步整流（SR）技術(shù)可達(dá)到此要求，即應(yīng)用功率MOS管代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二極管整流。由于功率MOS管具有導(dǎo)通電阻很低、開關(guān)時(shí)間較短、輸入阻抗很高的特點(diǎn)，很大程度的減少了開關(guān)功率MOS管整流時(shí)的損耗，使得工作效率有一個(gè)顯著提高，因此功率MOS管以成為低壓大電流功率變換器首選的整流器件。要想得到經(jīng)濟(jì)、高效的變換器，同步整流技術(shù)與反激變換器電路結(jié)合將會(huì)是一個(gè)很好的選擇。反激變換器拓?fù)潆娐返膬?yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡單、輸入與輸出電氣隔離、輸入、輸出工作電壓范圍較寬，可以實(shí)現(xiàn)多路的輸出，因而在高電壓、低電流的場合應(yīng)用廣泛，特別是在5~200W電源中一般采用反激變換器。
標(biāo)簽： 開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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本文的主要介紹了逆變器電路 DIY制作過程，并介紹了逆變器工作原理、逆變器電路圖及逆變器的性能測試。本文制作的的逆變器（見圖1）主要由MOS場效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該逆變器的工作原理及制作過程。這里采用六反相器 CD4069構(gòu)成方波信號(hào)發(fā)生器。電路中 R1是補(bǔ)償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而引起的振蕩頻率不穩(wěn)。電路的振蕩是通過電容 C1充放電完成的。其振蕩頻率為 f=122RC.圖示電路的最大頻率為：fmax=1/2.2 ×3.3 ×103x22 ×10-6-62.6Hz，最小頻率min-12.2 x.3 x03x22 x0-6-48.0Hz由于元件的誤差，實(shí)際值會(huì)略有差異。其它多余的反相器，輸入端接地避免影響其它電路。#p#場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路#e#
標(biāo)簽： 逆變器
上傳時(shí)間： 2022-06-26
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<h2>原理圖schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nMOS（pMOS）和nMOS4（pMOS4）兩種nMOS（pMOS）。其中nMOS（pMOS）表示襯底（B）和源極（S）相連。MOS和MOS4能調(diào)整的屬性不同，如圖：本例中要設(shè)置MOS管的W-0.18u，L=0.18u，選用nMOS4和pMOS4.<h3>布線<h3>如圖1，其中，MOS管Gate靠近的那一極好像是 Source，所以PMOS要ctrl+R，ctrl+R，Ctr+.2，注意加電路名稱，功能（如果需要），參數(shù)設(shè)定。<h2>封裝<h2>電路設(shè)計(jì)采用層次化的方式，為了上層電路的調(diào)用，往往把底層的電路做好后進(jìn)行封裝，其實(shí)進(jìn)行封裝不僅有利于上層電路調(diào)用，還有利于測試。建一個(gè)New Symbol，該Symbol里的pin的名稱必須和封裝電路中的一樣。ctrl + A（Attribute Editor中Symbol Type選Block，其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意：令.asy和.asc文件命名相同，并放在一個(gè)文件夾下即可，不需特別關(guān)聯(lián)。
上傳時(shí)間： 2022-06-27
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系統(tǒng)的講解開關(guān)電源幾項(xiàng)最新技術(shù)，BUCK模式的PFC-IC,ICC控制方式的DC-DC,控制功率MOS源極的反激變換器;
標(biāo)簽： 開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-06-29
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大瓦數(shù)降壓型LED驅(qū)動(dòng)推薦，80V耐壓，外掛MOS，主打調(diào)光，0.1%~100%電流控制，支援PWM調(diào)光，模擬調(diào)光，內(nèi)置LED短路保護(hù)
標(biāo)簽： 大功率LED驅(qū)動(dòng) 大瓦數(shù)LED驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2022-06-29
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《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)。從直觀和嚴(yán)密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時(shí)還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計(jì)遇到的新問題及電路技術(shù)的新發(fā)展。《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》由淺入深，理論與實(shí)際結(jié)合，提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計(jì)實(shí)例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運(yùn)放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準(zhǔn)、開關(guān)電容電路以及電路的非線性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和沒相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號(hào)電路的版圖與封裝。
上傳時(shí)間： 2022-06-29
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