IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導通壓降兩方面的優點。IGB綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。成為功率半導體器件發展的主流，廣泛應用于風電、光伏、電動汽車、智能電網等行業中。在電動汽車行業中，電機控制器、輔助動力系統，電動空調中，IGBT有著廣泛的使用，大功率IGB多應用于電機控制器中，由于電動汽車電機控制器工作環境干擾比較大，IGBT的門極分布電容及實際開關中存在的米勒效應等寄生參數的直接影響到驅動電路的可靠性1電機控制器在使用過程中，在過流、短路和過壓的情況下要對1GBT實行比較完善的保護。過流會引起電機控制器的溫度上升，可通過溫度傳感器來進行檢測，并由相應的電路來實現保護；過壓一般發生在IGBT關斷時，較大的di/dt會在寄生電感上產生了較高的電壓，可通過采用緩沖電路來鉗制，或者適當降低開關速率。短路故障發生后瞬時就會產生極大的電流，很快就會損壞1GBT，主控制板的過流保護根本來不及，必須由硬件電路控制驅動電路瞬間加以保護。因此驅動器的設計過程中，保護功能設計得是否完善，對系統的安全運行尤其重要。
標簽： 新能源汽車 電機控制器 igbt
上傳時間： 2022-06-22
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CCD（ Charge Coupled Device ）全稱為電荷耦合器件，是70 年代發展起來的新型半導體器件。它是在MOS集成電路技術基礎上發展起來的，為半導體技術應用開拓了新的領域。它具有光電轉換、信息存貯和傳輸等功能，具有集成度高、功耗小、結構簡單、壽命長、性能穩定等優點，故在固體圖像傳感器、信息存貯和處理等方面得到了廣泛的應用。CCD圖像傳感器能實現信息的獲取、轉換和視覺功能的擴展，能給出直觀、真實、多層次的內容豐富的可視圖像信息，被廣泛應用于軍事、天文、醫療、廣播、電視、傳真通信以及工業檢測和自動控制系統。實驗室用的數碼相機、光學多道分析器等儀器，都用了CCD作圖象探測元件。一個完整的CCD器件由光敏單元、轉移柵、移位寄存器及一些輔助輸入、輸出電路組成。CCD工作時，在設定的積分時間內由光敏單元對光信號進行取樣，將光的強弱轉換為各光敏單元的電荷多少。取樣結束后各光敏元電荷由轉移柵轉移到移位寄存器的相應單元中。移位寄存器在驅動時鐘的作用下，將信號電荷順次轉移到輸出端。將輸出信號接到示波器、圖象顯示器或其它信號存儲、處理設備中，就可對信號再現或進行存儲處理。由于CCD光敏元可做得很小（約10um），所以它的圖象分辨率很高。
標簽： ccd 圖像傳感器
上傳時間： 2022-06-23
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邏輯電平設計規范教材邏輯電平設計規范1、邏輯電平簡介 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12、TTL器件和CMOS器件的邏輯電平 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32.1：邏輯電平的一些概念 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32.2：常用的邏輯電平 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42.3：TTL和CMOS的邏輯電平關系 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43、TTL和CMOS邏輯器件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63.1：TTL和CMOS器件的功能分類 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63.2：TTL和MOS邏輯器件的工藝分類特點 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.3：TTL和CMOS邏輯器件的電平分類特點 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.4：包含特殊功能的邏輯器件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.5：TTL和CMOS邏輯器件的選擇 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93.6：邏輯器件的使用指南 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94、TTL、CMOS器件的互連 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .............
標簽： 華為 邏輯電平
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近年來，隨著電子技術的快速發展，使得低電壓、大電流電路為未來主要發展趨勢。低電壓、大電流工作有利于提高工作電路的整體功率，但同時也給電路設計帶來了新的問題。傳統的變換器中常采用普通二極管或肖特基二極管整流方式，在低壓、大電流輸出的電路中，應用傳統二極管整流的電路，其整流的損耗比較大，工作效率比較低。一般普通二極管的壓降為1.0-1.3V，即便應用壓降較低的肖特基二極管（SBD），產生壓降一般也要有0.5V左右，從而使整流的損耗增加，電源的工作效率降低，己經不能滿足現代開關電源高性能的需求。因此，應用同步整流（SR）技術可達到此要求，即應用功率MOS管代替傳統的二極管整流。由于功率MOS管具有導通電阻很低、開關時間較短、輸入阻抗很高的特點，很大程度的減少了開關功率MOS管整流時的損耗，使得工作效率有一個顯著提高，因此功率MOS管以成為低壓大電流功率變換器首選的整流器件。要想得到經濟、高效的變換器，同步整流技術與反激變換器電路結合將會是一個很好的選擇。反激變換器拓撲電路的優點是電路結構簡單、輸入與輸出電氣隔離、輸入、輸出工作電壓范圍較寬，可以實現多路的輸出，因而在高電壓、低電流的場合應用廣泛，特別是在5~200W電源中一般采用反激變換器。
標簽： 開關電源
上傳時間： 2022-06-25
本文的主要介紹了逆變器電路 DIY制作過程，并介紹了逆變器工作原理、逆變器電路圖及逆變器的性能測試。本文制作的的逆變器（見圖1）主要由MOS場效應管，普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業余制作中采用。下面介紹該逆變器的工作原理及制作過程。這里采用六反相器 CD4069構成方波信號發生器。電路中 R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而引起的振蕩頻率不穩。電路的振蕩是通過電容 C1充放電完成的。其振蕩頻率為 f=122RC.圖示電路的最大頻率為：fmax=1/2.2 ×3.3 ×103x22 ×10-6-62.6Hz，最小頻率min-12.2 x.3 x03x22 x0-6-48.0Hz由于元件的誤差，實際值會略有差異。其它多余的反相器，輸入端接地避免影響其它電路。#p#場效應管驅動電路#e#
標簽： 逆變器
上傳時間： 2022-06-26
<h2>原理圖schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nMOS（pMOS）和nMOS4（pMOS4）兩種nMOS（pMOS）。其中nMOS（pMOS）表示襯底（B）和源極（S）相連。MOS和MOS4能調整的屬性不同，如圖：本例中要設置MOS管的W-0.18u，L=0.18u，選用nMOS4和pMOS4.<h3>布線<h3>如圖1，其中，MOS管Gate靠近的那一極好像是 Source，所以PMOS要ctrl+R，ctrl+R，Ctr+.2，注意加電路名稱，功能（如果需要），參數設定。<h2>封裝<h2>電路設計采用層次化的方式，為了上層電路的調用，往往把底層的電路做好后進行封裝，其實進行封裝不僅有利于上層電路調用，還有利于測試。建一個New Symbol，該Symbol里的pin的名稱必須和封裝電路中的一樣。ctrl + A（Attribute Editor中Symbol Type選Block，其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意：令.asy和.asc文件命名相同，并放在一個文件夾下即可，不需特別關聯。
標簽： ltspice MOSfet
上傳時間： 2022-06-27
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系統的講解開關電源幾項最新技術，BUCK模式的PFC-IC,ICC控制方式的DC-DC,控制功率MOS源極的反激變換器;
上傳時間： 2022-06-29
大瓦數降壓型LED驅動推薦，80V耐壓，外掛MOS，主打調光，0.1%~100%電流控制，支援PWM調光，模擬調光，內置LED短路保護
標簽： 大功率LED驅動 大瓦數LED驅動
《模擬CMOS集成電路設計》介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計。從直觀和嚴密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時還闡述了在SOC中模擬電路設計遇到的新問題及電路技術的新發展?！赌MCMOS集成電路設計》由淺入深，理論與實際結合，提供了大量現代工業中的設計實例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運放及其頻率響應和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準、開關電容電路以及電路的非線性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和沒相環。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應及其模型、CMOS制造工藝和混合信號電路的版圖與封裝。
標簽： CMOS 集成電路 模擬集成電路
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標簽： MOS管 電路
上傳時間： 2022-07-02
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