SP1596是一款ESOP8封裝DC-DC升壓控制器，內建10A低內阻MOSFET，保證了轉換器的高效率。 聯系人：唐云先生（銷售工程） 手機：13530452646(微信同號) 座機：0755-33653783 （直線） Q Q: 2944353362
標簽： SP1223F 5V3.4A降壓芯片
上傳時間： 2019-03-25
上傳用戶：lryang
AEC-Q100 qualified ? 12 V and 24 V battery systems compliance ? 3.3 V and 5 V logic compatible I/O ? 8-channel configurable MOSFET pre-driver – High-side (N-channel and P-channel MOS) – Low-side (N-channel MOS) – H-bridge (up to 2 H-bridge) – Peak & Hold (2 loads) ? Operating battery supply voltage 3.8 V to 36 V ? Operating VDD supply voltage 4.5 V to 5.5 V ? All device pins, except the ground pins, withstand at least 40 V ? Programmable gate charge/discharge currents for improving EMI behavior
標簽： configurable Automotive pre-driver suitable channel systems MOSFET fully High side
上傳時間： 2019-03-27
上傳用戶：guaixiaolong
SVPWM 寬度調制是一種模擬控制方式，其根據相應載荷的變化來調制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現開關穩壓電源輸出的改變
標簽： svpwm
上傳時間： 2019-07-09
上傳用戶：sjjy0220
本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
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74HC595 A4950 MAX3232 ULN2003AD STM32F207VCT6 AD集成封裝庫，原理圖庫器件型號列表：Library Component Count : 53Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1N4148 High Conductance Fast Diode1N4448 High Conductance Fast Diode1N914 High Conductance Fast Diode1N914A High Conductance Fast Diode1N914B High Conductance Fast Diode1N916 High Conductance Fast Diode1N916A High Conductance Fast Diode1N916B High Conductance Fast Diode2N3904 NPN General Purpose Amplifier74ALS86 74HC595 8M貼片晶振 A4950 直流電機驅動AO4805CAP CapacitorCAP SMD CapacitorCON2 ConnectorCON2*10 ConnectorCON2*12P ConnectorCON2*7 ConnectorCON2*9 ConnectorCON3 ConnectorCON4 ConnectorCON5 ConnectorCON7 ConnectorCap Pol 極性電解電容DIODE DiodeFUSE1 FuseFUSE2 FuseINDUCTOR2 IRF7351PbF N-MOSJS1-12V-FLED MAX487 MAX809RD R0.125 Less than 1/4 Watt Power Resistor.RES2 RGRPI*4 Res1 ResistorSGM8955XN5G/TR 測量放大器SM712 SN74LV4052AD SP3232ESST25VF016B-50-4I-S2AFI2C Real-Time Clock.STM32F107VTC6 STM32F107VTC6SW DIP-4 編碼開關SW-PB SwitchTPS54302 45UA靜態電流 3ATVS SMBJ30CAULN2003 XC6214XTAL Crystal OscillatorPCB封裝庫列表：Component Count : 40Component Name-----------------------------------------------4G模塊-外置7D181K0603-LED0603C0603R0805C12061210181232255569-2*1P直針5569-2*2P直針AT-26CAP-D8DO-214AANHSOP-8J-SPDT-5JTAGL
上傳時間： 2021-11-15
上傳用戶：ttalli
文章中包含了MOS管開通和關斷的詳細過程，MOS管各參數之間的聯系，損耗計算及驅動電路設計，非常利于MOS管學習的啟蒙.
上傳時間： 2021-12-05
上傳用戶：kent
反激式開關電源設計的初級側部分，包括變壓器，電容，電感，MOS管，RCD緩沖電路，參數計算寄詳細設計
標簽： 反激式開關電源
上傳時間： 2021-12-11
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STM32F407單片機開發板PDF原理圖+AD集成封裝庫+主要器件技術手冊資料:AD集成封裝庫列表：Library Component Count : 54Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256 AMS1117ATK-HC05 ATK-HC05BAT BEEP BUTTONC CAPCH340G USB2UARTDDB9 DHT11 數字溫濕度傳感器HEAD2HEAD2*22 HR911105 HS0038Header 16 Header, 16-PinHeader 2 Header, 2-PinHeader 2X2 Header, 2-Pin, Dual rowHeader 3X2 Header, 3-Pin, Dual rowHeader 4 Header, 4-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowIS62WV51216 JTAG KEY_M L LAN8720 ETH PHYLED2 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDLSENS LIGHT SENSL_SOP MAX3232 MAX3485 MIC MOS-P IRLML6401/SI2301MP2359 DC DC Step Down ICMPU6050 9軸運動處理傳感器NPN 8050/BCW846/BCW847NRF24L01 PHONE_M PNP 8550/BCW68POW R SMBJ TVSSN65HVD230D STM32F407ZET6 STM32F407ZET6TEST-POINT 測試點TFT_LCD TPAD ALIENTEK TPADUSB5USB_A_90 USB-A-90W25X16
上傳時間： 2021-12-15
上傳用戶：ttalli
protel99se原理圖庫+封裝庫電路設計protel庫合集（包括2000多個封裝文件），包括已經分類的原理圖和PCB封裝庫文件，LIB后綴+DDB后綴工程封裝庫文件，包括電阻電容電感保險絲二極管三極管繼電器插口接口器件SOP SOIC QFN TQFP SOJ SOL SO BGA 等各類常用芯片封裝，各類開關，變壓器，MOS管，晶振等，基本上包括了市面上的常用器件，可以直接用于你的電路設計。
標簽： protel99se 封裝 電路設計 protel
上傳時間： 2021-12-19
上傳用戶：XuVshu
主要對MOS參數對比翻譯和講解各個參數的含義，以及對這些參數的使用和計算
標簽： MOSfet
上傳時間： 2021-12-28
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