關于MOSFET應用時的熱設計方法。
標簽： MOSFET 散熱 設計方法
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：shen954166632
本文是關于電路中的 BJT 與 MOSFET開關應用的討論。 前段時間，一同學跟我說，他用單片機做了一個簡單的 LED 臺燈，用 PWM的方式控制燈的亮度，但是發現 BJT 總是很燙。他給我的電路圖如圖一，我問他3V 時 LED 的發光電流是多大，他說大概十幾到二十 mA，我又問他電阻多大，他說 10KΩ。于是我笑笑說你把電阻小一點就好了。他回去一試，說用了個 1KΩ的電阻，就沒有任何問題了。 我很失望他沒有問我為什么要這么做，這可能是大多數電子愛好初學者存在的問題，他們的動手能力很強，但是并不注重基本的理論知識。他們大多數情況下都是“依葫蘆畫瓢”，借用現成的電路使用，就連參數和器件型號的選擇都疏于考慮。
標簽： MOSFET BJT 開關應用
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：ZJX5201314
分析了對功率MOSFET器件的設計要求；設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實際應用證明，該電路驅動能力及保護功能效果良好。
標簽： MOSFET 功率 驅動保護電路 方案
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：hz07104032
開通過程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態，t0 時，MOSFET 被驅動開通； -- [t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs 充電而上升，在t1 時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電；
標簽： MOSFET 功率 關斷
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：ks201314
摘要：從功率MOSFET內部結構和極間電容的電壓依賴關系出發，對功率MOSFET的開關現象及其原因進行了較深入分析。從實際應用的角度，對功率MOSFET開關過程的功率損耗和所需驅動功率進行了研究，提出了有關參數的計算方法，并對多種因素對開關特性的影響效果進行了實驗研究，所得出的結論對于功率MOSFET的正確運用和設計合理的MOSFET驅動電路具有指導意義．
標簽： MOSFET Power 實際應用 條件下
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：wfeel
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，對驅動電路進行了參數計算并且選擇應用了實用可靠的驅動電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯山于不同的參數影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。
標簽： MOSFET 高頻 功率 驅動電路
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：lijinchuan
從線路布線和參數配置等方面分析了導致MOSFET并聯時電壓和電流不均衡的原因，并聯MOSFET易產生振蕩的原因作了詳細的分析，并輔以仿真說明振蕩產生的原因。
標簽： MOSFET 功率 并聯
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：xiaohanhaowei
結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
功率MOSFET的驅動電路和保護技術
標簽： MOSFET 功率 保護技術 驅動電路
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：wutong
深入理解理解功率MOSFET的RDSON
標簽： MOSFET RDS 功率
上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：zjwangyichao
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