本文講述了一種運(yùn)用于功率型MOSfet 和IGBT 設(shè)計(jì)性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關(guān)應(yīng)用場合。不同經(jīng)驗(yàn)的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用中
標(biāo)簽： 6076 AN 高電壓 柵極驅(qū)動(dòng)器IC
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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CR6221 combines a dedicated current mode PWM controller with a high voltage power MOSfet. It is opti
標(biāo)簽： Current Switch Power 6221
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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CR6228 combines a dedicated current mode PWM controller with a high voltage power MOSfet. It is opti
標(biāo)簽： Current Switch Power 6228
上傳時(shí)間： 2013-05-17
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HT6298A 為開關(guān)型單節(jié)或兩節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池充電管理芯片，非常適合于便攜式設(shè)備的充電管理應(yīng)用。HT6298A 集內(nèi)置功率MOSfet、高精度電壓和電流調(diào)節(jié)器、預(yù)充、充電狀態(tài)指示和充電截止等功
標(biāo)簽： 開關(guān) 充電管理芯片 鋰離子 鋰聚合物
上傳時(shí)間： 2013-06-22
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APT的IGBT和MOSfet設(shè)計(jì)選型參考，一目了然，擁有它，很方便
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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直流電動(dòng)機(jī)由于具有良好的調(diào)速特性，寬廣的調(diào)速范圍，在某些要求調(diào)速的地方，特別是對(duì)調(diào)速性能指標(biāo)要求較高的場合，如軋鋼機(jī)、龍門刨床、高精度機(jī)床、電動(dòng)汽車等中，得到了廣泛地應(yīng)用。國外這類調(diào)速系統(tǒng)的價(jià)格高，而國內(nèi)的同類產(chǎn)品性能指標(biāo)不夠穩(wěn)定，因此設(shè)計(jì)一個(gè)性能價(jià)格比較高的直流調(diào)速系統(tǒng)，對(duì)工業(yè)生產(chǎn)具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。 本文采用ARM S3C2410為控制芯片，以模糊PID為智能控制方法，設(shè)計(jì)了基于實(shí)時(shí)嵌入式操作系統(tǒng)μC/OS-Ⅱ的直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)。首先對(duì)模糊控制及嵌入式系統(tǒng)作了簡單介紹，構(gòu)建了模糊PID控制的直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)模型，并在MATLAB環(huán)境下，對(duì)設(shè)計(jì)模型進(jìn)行了仿真，在仿真的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了控制系統(tǒng)硬、軟件，主要包括MOSfet驅(qū)動(dòng)、光電隔離、鍵盤顯示、轉(zhuǎn)速測量、H橋可逆控制部分等，并將嵌入式操作系統(tǒng)μC/OS-Ⅱ移植到該系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)了對(duì)直流電機(jī)的良好調(diào)速性能。 控制系統(tǒng)硬件實(shí)現(xiàn)模塊化設(shè)計(jì)，線路簡單，可靠性高。軟件設(shè)計(jì)采用可讀性強(qiáng)的C語言，自底層向上層的原則設(shè)計(jì)，程序邏輯性強(qiáng)、易于修改維護(hù)。以ARM為核心的控制系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)簡單，抗干擾能力強(qiáng)，性價(jià)比高。仿真和試驗(yàn)表明：基于模糊PID智能控制的直流電機(jī)調(diào)速方法是可行的，有很好的應(yīng)用前景。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)晶體管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，一般由PWM（脈沖寬度調(diào)制）控制IC和 MOSfet構(gòu)成。本文利用開關(guān)電源芯片UC3842設(shè)計(jì)制作一款新穎的單端反激式、寬電壓輸入范圍、12V8A固定電壓輸出的96W 開關(guān)穩(wěn)壓電源,適用于需要較大電流的直流場合（如對(duì)汽車電瓶充電）。
標(biāo)簽： 3842 UC 反激式開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2013-06-10
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摘要：介紹并分析研究了幾種較簡單實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電路,給出了電路圖,部分仿真波形或?qū)嶒?yàn)波。 關(guān)鍵詞：高頻驅(qū)動(dòng)電路
標(biāo)簽： MOSfet 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2013-06-04
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSfet的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSfet驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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The MAX17600–MAX17605 devices are high-speedMOSfet drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greater flexibility incontrolling the MOSfet. The devices have internal logiccircuitry that prevents shoot-through during output-statchanges. The logic inputs are protected against voltagespikes up to +14V, regardless of VDD voltage. Propagationdelay time is minimized and matched between the dualchannels. The devices have very fast switching time,combined with short propagation delays (12ns typ),making them ideal for high-frequency circuits. Thedevices operate from a +4V to +14V single powersupply and typically consume 1mA of supply current.The MAX17600/MAX17601 have standard TTLinput logic levels, while the MAX17603 /MAX17604/MAX17605 have CMOS-like high-noise margin (HNM)input logic levels. The MAX17600/MAX17603 are dualinverting input drivers, the MAX17601/MAX17604 aredual noninverting input drivers, and the MAX17602 /MAX17605 devices have one noninverting and oneinverting input. These devices are provided with enablepins (ENA, ENB) for better control of driver operation.
標(biāo)簽： 17600 MAX 數(shù)據(jù)資料
上傳時(shí)間： 2013-12-20
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