該文檔為電力電子半導體器件(MOSfet)(精)總結文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時間： 2022-02-06
上傳用戶：shjgzh
MOSfet并聯使用介紹了并聯使用的注意事項，特別注意避開Vgsth zero thermal coefficient以下的正溫特性設計
上傳時間： 2022-03-01
上傳用戶：bluedrops
這個是安世半導體關于MOSfet的詳細應用手冊，可以快速了解MOSfet的內容。
標簽： MOSfet
上傳時間： 2022-03-19
上傳用戶：canderile
MOSfet，碳化硅的驅動電路PCB,最高驅動頻率可達2Mhz，帶過流保護功能，帶隔離
上傳時間： 2022-03-30
上傳用戶：trh505
深入理解MOSfet中文手冊怎么看，看哪里，哪里是重點，在我們選型的時候到底需要關注哪些點，本文很好的詮釋了中文手冊到底要看哪些東西對我們才有用，希望大家多多支持!!
標簽： MOSfet
上傳時間： 2022-04-01
上傳用戶：d1997wayne
設計功率MOSfet驅動電路時需重點考慮寄生參數對電路的影響。米勒電容作為MOSfet器件的一項重要參數,在驅動電路的設計時需要重點關注。重點觀察了MOSfet的開通和關斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSfet的驅動設計具有一定的指導意義。When designing the drive circuit of power MOSfet,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSfet device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSfet were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSfet.
標簽： MOSfet
上傳時間： 2022-04-02
上傳用戶：默默
MOSfet單相全橋無源逆變電路
上傳時間： 2022-04-04
上傳用戶：1208020161
MOSfet(MOS場效應管)工作原理，有需要的可以參考！
上傳時間： 2022-04-19
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MOSfet和IGBT內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.1, 由于MOSfet的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了. 不過相對于MOSfet的工作頻率還是九牛一毛,MOSfet可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品.3, 就其應用, 根據其特點:MOSfet應用于開關電源, 鎮流器, 高頻感應加熱, 高頻逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領域開關電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSfet的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSfet進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS ( 零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSfet或 IGBT 導通開關損耗的主要因素， 討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSfet的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調節PNP BJT集電極基極區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾（ voltage tail ）出現。
上傳時間： 2022-06-21
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上傳時間： 2013-07-01
上傳用戶：eeworm
