IC-Ucc28950改進(jìn)的相移全橋控制設(shè)計(jì)UcC28950是T公司進(jìn)一步改進(jìn)的相移全橋控制C，它比原有標(biāo)準(zhǔn)型UCC2895主要改進(jìn)為Zvs能力范圍加寬，對二次側(cè)同步整流直接控制，提高了輕載空載轉(zhuǎn)換效率，而且此時(shí)可以O(shè)N/OFF控制同步整流成為綠色產(chǎn)品。既可以作電流型控制，也可以作電壓型控制。增加了閉環(huán)軟啟動(dòng)及使能功能。低啟動(dòng)電流，逐個(gè)周期式限流過流保護(hù)，開關(guān)頻率可達(dá)1MHz UCC28950基本應(yīng)用電路如圖1所示，內(nèi)部等效方框電路如圖2所示。*啟動(dòng)中的保護(hù)邏輯UCC28950啟動(dòng)前應(yīng)該首先滿足下列條件：*VDD電壓要超過UvLo閾值，73V*5V基準(zhǔn)電壓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)*芯片結(jié)溫低于140℃。*軟啟動(dòng)電容上的電壓不低于0.55V。如果滿足上述條件，一個(gè)內(nèi)部使能信號(hào)EN將產(chǎn)生出來，開始軟啟動(dòng)過程。軟啟動(dòng)期間的占空比，由Ss端電壓定義，且不會(huì)低于由Twm設(shè)置的占空比，或由逐個(gè)周期電流限制電路決定的負(fù)載條件電壓基準(zhǔn)精確的（±1.5%5V基準(zhǔn)電壓，具有短路保護(hù)，支持內(nèi)部電路，并能提供20mA外部輸出電流，其用于設(shè)置DCDC變換器參數(shù)，放置一個(gè)低ESR，ESL瓷介電容（1uF-2.2uF旁路去耦，從此端接到GND，并緊靠端子，以獲得最佳性能。唯一的關(guān)斷特性發(fā)生在C的VDD進(jìn)入U(xiǎn)VLo狀態(tài)。*誤差放大器（EA+EA，COMP）誤差放大器有兩個(gè)未提交的輸入端，EA+和EA-。它具有3MHz帶寬具有柔性的閉環(huán)反饋環(huán)。EA+為同相端，EA-為反向端。COMP為輸出端輸入電壓共模范圍保證在0.5V-3.6V。誤差放大器的輸出在內(nèi)部接到pWM比較器的同相輸入端，誤差放大器的輸出范圍為0.25V4.25V，遠(yuǎn)超出PwM比較器輸入上斜信號(hào)范圍，其從0.8v-2.8V。軟啟動(dòng)信號(hào)作為附加的放大器的同相輸入，當(dāng)誤差放大器的兩個(gè)同相輸入為低，是支配性的輸入，而且設(shè)置的占空比是誤差放大器輸出信號(hào)與內(nèi)部斜波相比較后放在PWM比較器的輸入處。
標(biāo)簽： ucc2895
上傳時(shí)間： 2022-03-31
上傳用戶：
設(shè)計(jì)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需重點(diǎn)考慮寄生參數(shù)對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項(xiàng)重要參數(shù),在驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注。重點(diǎn)觀察了MOSFET的開通和關(guān)斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺(tái)附近產(chǎn)生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)具有一定的指導(dǎo)意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-OFF of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
標(biāo)簽： mosfet
上傳時(shí)間： 2022-04-02
上傳用戶：默默
電源設(shè)計(jì)資料現(xiàn)代逆變技術(shù)及其應(yīng)用.pdf - 6.63MB現(xiàn)代高頻感應(yīng)加熱電源工程設(shè)計(jì)與應(yīng)用.pdf - 23.81MB現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)大全.pdf - 7.16MB仙童開關(guān)電源設(shè)計(jì)軟件OFF-lineSMPSDesignTools1.6.zip - 5.32MB特種集成電源最新應(yīng)用技術(shù).pdf - 7.60MB實(shí)用電池充電器與保護(hù)器電路集錦.pdf - 6.56MB劉堅(jiān)強(qiáng)電源維修視頻.zip - 2.19GB開源力量新版在線學(xué)習(xí)網(wǎng)站開通啦！.txt - 5.72KB開關(guān)穩(wěn)壓電源--原理、設(shè)計(jì)與實(shí)用電路.pdf - 7.40MB開關(guān)電源知識(shí).rar - 478.56KB開關(guān)電源原理與設(shè)計(jì).pdf - 4.05MB開關(guān)電源原理與設(shè)計(jì)-經(jīng)典.pdf - 682.32KB開關(guān)電源抑制噪聲技術(shù).pdf - 283.13KB
標(biāo)簽： 開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-06-05
上傳用戶：
高通藍(lán)牙芯片qcc5127詳細(xì)規(guī)格書datasheet.pdf英文版，共97頁 詳細(xì)說明:1 Package information(pin allocations, pios terminal functions)2 Bluetooth subsystem 3 Cystal oscillator4 System powerstates (Idel,Active,Sleep, OFF)5 Host Interface subsystem6 Applications subsystem ( QSPI Flash controller)7 Audio subsystem(Dual core Kalimba, ROM, RAM and caches, Data, engine)8 Audio interfaces ( Analog, Digital, Simultaneous audio routing)9 Peripheral interfaces (PIOs, LED, USB, SPI, UART)10 Boot manager11 System manager12 example application schematic13 Electrical characteristics14 Audio performance15 Bluetooth performance16 Power consumption
上傳時(shí)間： 2022-06-12
上傳用戶：
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-OFF1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut OFF electron current (base current, le, of pnp transistor)
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：wangshoupeng199
一、IGBT 驅(qū)動(dòng)1 驅(qū)動(dòng)電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。典型的驅(qū)動(dòng)電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路示意圖Q1，Q2 為驅(qū)動(dòng)功率推挽放大，通過光耦隔離后的信號(hào)需通過Q1，Q2 推挽放大。選擇Q1，Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需考慮幾個(gè)因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大，因此IGBT 關(guān)斷時(shí)，最好加一個(gè)負(fù)偏電壓，且負(fù)偏電壓比MOSFET 大， IGBT 負(fù)偏電壓最好在-5V~-10V 之內(nèi)；開通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓最佳值為15V 10％ ,15V 的驅(qū)動(dòng)電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時(shí)通態(tài)壓降也比較低，同時(shí)又能有效地限制短路電流值和因此產(chǎn)生的應(yīng)力。若驅(qū)動(dòng)電壓低于12V ，則IGBT 通態(tài)損耗較大， IGBT 處于欠壓驅(qū)動(dòng)狀態(tài)；若 VGE >20V ，則難以實(shí)現(xiàn)電流的過流、短路保護(hù)，影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算由于IGBT 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，需要的驅(qū)動(dòng)功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅(qū)動(dòng)功率問題。但對于大功率IGBT ，或要求并聯(lián)運(yùn)行的IGBT 則需要考慮驅(qū)動(dòng)功率。IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)功率受到驅(qū)動(dòng)電壓即開通VGE( ON )和關(guān)斷 VGE( OFF ) 電壓，柵極總電荷 QG 和開關(guān) f 的影響。柵極驅(qū)動(dòng)電源的平均功率 PAV 計(jì)算公式為：PAV =（VGE(ON ) +VGE( OFF ) ）* QG *f對一般情況 VGE( ON ) =15V，VGE( OFF ) =10V，則 PAV 簡化為： PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關(guān)頻率。柵極峰值電流 I GP 為：
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶：
This example shows how you can use signal functions in the Visiondebugger to simulate a signal that is coming into one of the analog inputs of the LPC21xx.The Measure example is described in detail in the Getting StartedUser's Guide.The MEASURE example program is available for several targets:Simulator: uVision Simulator for LPC2129MCB2100: Keil MCB2100 evaluation board with ULINK debugger - Application is loaded to internal Flash. - Switch S2 (INT1) is used as GPIO and sampled (jumper positions: J1= OFF, J7= on) - potentiometer POT1 is sampled as AIN0 (jumper position: J2= on) - serial port COM1 parameters: 9600 baud, no parity, 8-bits, 1 stop bit, flow control noneMCB2130: Keil MCB2130 evaluation board with ULINK debugger - Application is loaded to internal Flash. - Switch S2 (INT1) is used as GPIO and sampled (jumper positions: J1= OFF, J7= on) - potentiometer POT1 is sampled as AIN1 (jumper position: J2= on) - serial port COM1 parameters: 9600 baud, no parity, 8-bits, 1 stop bit, flow control none
標(biāo)簽： dac8568
上傳時(shí)間： 2022-06-28
上傳用戶：
帶顯示屏的CWM500的測量操作可完全通過前面板的按鍵完成，該文檔中常用按鍵如下圖所示，更詳細(xì)的按鍵使用信息請參閱CMW500用戶手冊：任務(wù)按鍵（TASKS）：顯示或隱藏任務(wù)欄菜單（類似電腦操作系統(tǒng)的任務(wù)欄菜單），CMW500任務(wù)欄菜單最多可顯示8個(gè)信號(hào)源和測量功能任務(wù)。測量按鍵（MEASURE）：打開測量控制對話框，通過測量控制對話框可以選擇需要的測量功能。信號(hào)源按鍵（SIGNALGEN）：打開信號(hào)源控制對話框，通過信號(hào)源控制對話框可以選擇需要的信號(hào)源功能。ON/OFF 按鍵：用于控制信號(hào)源功能或測量功能的啟動(dòng)和停止RESTART/STOP 按鍵：用于啟動(dòng)處于RDY 狀態(tài)或停止單次或連續(xù)測量功能ESC按鍵可關(guān)閉當(dāng)前彈出窗口數(shù)字按鍵區(qū)：用于數(shù)字輸入，如設(shè)置頻率，參考功率等。旋鈕：用于控制界面光標(biāo)在各個(gè)控件間的移動(dòng)；用于數(shù)值微調(diào)：用于列表控件中滾動(dòng)選項(xiàng)；按下相當(dāng)于ENTER鍵四向?qū)Ш芥I：用于控制界面光標(biāo)在各個(gè)控件間的移動(dòng)；上下間還可用于數(shù)值微調(diào)：
上傳時(shí)間： 2022-07-18
上傳用戶：shjgzh
三極管除了可以當(dāng)做交流信號(hào)放大器之外， 也可以做為開關(guān)之用。嚴(yán)格說起來， 三極管與一般的機(jī)械接點(diǎn)式開關(guān)在動(dòng)作上并不完全相同， 但是它卻具有一些機(jī)械式開關(guān)所沒有的特點(diǎn)。圖1所示，即為三極管電子開關(guān)的基本電路圖。由下圖可知，負(fù)載電阻被直接跨接于三極管的集電極與電源之間，而位居三極管主電流的回路上。輸入電壓Vin 則控制三極管開關(guān)的開啟(open) 與閉合(closed) 動(dòng)作，當(dāng)三極管呈開啟狀態(tài)時(shí)， 負(fù)載電流便被阻斷， 反之， 當(dāng)三極管呈閉合狀態(tài)時(shí)， 電流便可以流通。詳細(xì)的說，當(dāng)Vin 為低電壓時(shí)，由于基極沒有電流，因此集電極亦無電流，致使連接于集電極端的負(fù)載亦沒有電流，而相當(dāng)于開關(guān)的開啟，此時(shí)三極管乃勝作于截止(cut OFF) 區(qū)。
標(biāo)簽： 三極管 開關(guān)電路
上傳時(shí)間： 2022-07-25
上傳用戶：
VME has been the de-facto bus standard for Commercial OFF the Shelf(COTS ) Circuit Card Assemblies since the 1980's. VME boards have proven to be remarkably capable of evolving to support newer technologies with innovations such as VME Subsystem Bus, PCI Mezzanine Cards(PMC's) and VME320.However, advances in technologies, appearing particularly in interconnects, have demonstratedthe need for an advance in system development. This advance needs to accommodate high speed interconnect, particularly serial interconnects, and higher power delivery in concert with better heat removal.
標(biāo)簽： vpx標(biāo)準(zhǔn)
上傳時(shí)間： 2022-07-27
上傳用戶：bluedrops
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
