FPGA設(shè)計(jì)管腳分配注意點(diǎn)
上傳時(shí)間： 2014-12-28
上傳用戶：franktu
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請(qǐng)問專家：1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對(duì)DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請(qǐng)教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：han_zh
十二屆挑戰(zhàn)杯三等獎(jiǎng)--智能路燈
標(biāo)簽： 智能路燈
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：kang1923
紅外發(fā)射接收對(duì)管的資料
標(biāo)簽： 紅外 發(fā)射接收對(duì)管
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：zhqzal1014
特點(diǎn) 最高輸入頻率 10KHz 計(jì)數(shù)速度 50/10000脈波/秒可選擇 四種輸入模式可選擇(加算,減算,加減算,90度相位差加減算) 90度相位差加減算具有提高解析度4倍功能 輸入脈波具有預(yù)設(shè)刻度功能 前置量設(shè)定功能(二段設(shè)定)可選擇 數(shù)位化指撥設(shè)定操作簡(jiǎn)易 計(jì)數(shù)暫時(shí)停止功能 3組報(bào)警功能 2:主要規(guī)格 脈波輸入型式: Jump-pin selectable current sourcing(NPN) or current sinking (PNP) 脈波觸發(fā)電位: HI bias (CMOS) (VIH=7.5V, VIL=5.5V) LO bias (TTL) (VIH=3.7V, VIL=2.0V) 最高輸入頻率: <10KHz (up,down,up/down mode) <5KHz (quadrature mode) 輸出動(dòng)作時(shí)間 : 0.1 to 99.9 second adjustable 輸出復(fù)歸方式: Manual(N) or automatic (R or C) can be modif 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 顯示值范圍: -199999 to 999999 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 9.2mm (.36") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 感應(yīng)器電源: 12VDC +/-3%(<60mA) ( 感應(yīng)器電源 ) 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
標(biāo)簽： 72 mm 微電腦 計(jì)數(shù)器
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：909000580
利用開關(guān)電容濾波器LTC1068進(jìn)行光纖電流互感器二次側(cè)信號(hào)處理的設(shè)計(jì)方法。給出的測(cè)試結(jié)果表明,利用LTC1068進(jìn)行二次側(cè)信號(hào)的處理方法實(shí)用有效,完全滿足測(cè)量要求。
標(biāo)簽： 1068 LTC 光纖 信號(hào)處理
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶：15736969615
單片機(jī)實(shí)現(xiàn)溫度傳感器18B20溫度的讀取在單片機(jī)數(shù)碼管上顯示溫度
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：z1191176801
慢波結(jié)構(gòu)是微波管重要的部件，它是電子注與高頻場(chǎng)相互作用進(jìn)行能量交換以實(shí)現(xiàn)微波振蕩或放大的場(chǎng)所。隨著對(duì)微波管性能越來越高的要求，微波管慢波結(jié)構(gòu)的效率和性能要求也隨之提高。文中首先分析了如何求解微波管慢波結(jié)構(gòu)的高頻特性，并在此基礎(chǔ)上使用了HFSS以及CST MWS等軟件對(duì)兩種新型微波管慢波結(jié)構(gòu)（環(huán)桿慢波結(jié)構(gòu)、折疊波導(dǎo)慢波結(jié)構(gòu)）的高頻特性（色散特性、耦合阻抗）進(jìn)行了初步的仿真研究，并通過對(duì)結(jié)果的分析比較了兩個(gè)結(jié)構(gòu)的特性。
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：258彼岸
二層交換技術(shù)是發(fā)展比較成熟，二層交換機(jī)屬數(shù)據(jù)鏈路層設(shè)備，可以識(shí)別數(shù)據(jù)包中的MAC 地址信息，根據(jù)MAC 地址進(jìn)行轉(zhuǎn)發(fā)，并將這些MAC 地址與對(duì)應(yīng)的端口記錄在自己內(nèi)部的一個(gè)地址表中。
標(biāo)簽： 四層交換
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：來茴
通過對(duì)二次相差法測(cè)距性能進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果表明,基于雙頻比相測(cè)距的二次相差法多篇連續(xù)波雷達(dá),只能求解速度不同的目標(biāo)的距離值,無法求解同速度不同距離目標(biāo)的距離值。
標(biāo)簽： 相差法 多頻 仿真 測(cè)距雷達(dá)
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：潛水的三貢
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