?? PN結(jié)技術(shù)資料

?? 資源總數(shù)：487
?? 技術(shù)文檔：2
?? 源代碼：5415
PN結(jié)作為半導(dǎo)體技術(shù)的核心基礎(chǔ)，是理解二極管、晶體管等電子元件工作原理的關(guān)鍵。通過本頁面豐富的487個資源，您將深入了解PN結(jié)的形成機制、電流-電壓特性及其在光電轉(zhuǎn)換、信號處理等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。無論是初學(xué)者還是經(jīng)驗豐富的工程師，這里都是深化知識、激發(fā)創(chuàng)新靈感的理想之地。立即訪問，開啟您的半導(dǎo)體技術(shù)探索之旅！

?? PN結(jié)熱門資料

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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起...

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MOS關(guān)模型 Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數(shù)。Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結(jié)電容，也是和電壓相...

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