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PT-IGBT

  • 幾種用于IGBT驅(qū)動的集成芯片

    在一般較低性能的三相電壓源逆變器中, 各種與電流相關(guān)的性能控制, 通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可,如變頻器中的自動轉(zhuǎn)矩補償、轉(zhuǎn)差率補償?shù)取M瑫r, 這一檢測結(jié)果也可以用來完成對逆變單元中IGBT 實現(xiàn)過流保護等功能。因此在這種逆變器中, 對IGBT 驅(qū)動電路的要求相對比較簡單, 成本也比較低。這種類型的驅(qū)動芯片主要有東芝公司生產(chǎn)的TLP250,夏普公司生產(chǎn)的PC923等等。這里主要針對TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個GaAlAs 光發(fā)射二極管和一個集成光探測器, 8腳雙列封裝結(jié)構(gòu)。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅(qū)動電路。圖2為TLP250 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡圖, 表1 給出了其工作時的真值表。TLP250 的典型特征如下:1) 輸入閾值電流( IF) : 5 mA( 最大) ;2) 電源電流( ICC) : 11 mA( 最大) ;3) 電源電壓( VCC) : 10~ 35 V;4) 輸出電流( IO) : ± 0.5 A( 最小) ;5) 開關(guān)時間( tPLH /tPHL ) : 0.5 μ( s 最 大 ) ;6) 隔離電壓: 2500 Vpms(最?。?。表2 給出了TLP250 的開關(guān)特性,表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注: 使 用 TLP250 時 應 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來穩(wěn)定高增益線性放大器的工作, 提供的旁路作用失效會損壞開關(guān)性能, 電容和光耦之間的引線長度不應超過1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應用電路。

    標簽: igbt

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 50khz+igbt串聯(lián)諧振感應加熱電源研制

    目前以IGBT為開關(guān)器件的串聯(lián)諧振感應加熱電源在大功率和高頻下的研究是一個熱點和難點,為彌補采用模擬電路搭建而成的控制系統(tǒng)的不足,對感應加熱電源數(shù)字化控制研究是必然趨勢。本文以串聯(lián)諧振型感應加熱電源為研究對象,采用T公司的TMS320F2812為控制芯片實現(xiàn)電源控制系統(tǒng)的數(shù)字化。首先分析了串聯(lián)諾振型感應加熱電源的負載特性和調(diào)功方式,確定了采用相控整流調(diào)功控制方式,接著分析了串聯(lián)諾振逆變器在感性和容性狀態(tài)下的工作過程確定了系統(tǒng)安全可靠的運行狀態(tài)。本文設(shè)計了電源主電路參數(shù)并在Matlab/Simulink仿真環(huán)境下搭建了整個系統(tǒng),仿真分析了串聯(lián)譜振型感應加熱電源的半壓啟動模式及鎖相環(huán)頻率跟蹤能力和功率調(diào)節(jié)控制。針對感應加熱電源的數(shù)字控制系統(tǒng),在討論了晶閘管相控觸發(fā)和鎖相環(huán)的工作原理及研究現(xiàn)狀下詳細地分析了本課題基于DSP晶閘管相控脈沖數(shù)字觸發(fā)和數(shù)字鎖相環(huán)(DPL)的實現(xiàn),得出它們各自的優(yōu)越性,同時分析了感應加熱電源的功率控制策略,得出了采用數(shù)字PI積分分離的控制方法。本文采用T1公司的TMS320F2812作為系統(tǒng)的控制芯片,搭建了控制系統(tǒng)的DSP外圍硬件電路,分析了系統(tǒng)的運行過程并編寫了整個控制系統(tǒng)的程序。最后對控制系統(tǒng)進行了試驗,驗證了理論分析的正確性和控制方案的可行性。

    標簽: igbt 串聯(lián)諧振 電源

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動電路的分析.

    摘要:對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動專用集成電路進行了詳細的分析,對TLP250,EXB系列和M579系列進行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖,還給出了它們的典型應用電路。討論了它們的使用要點及注意事項,對每種驅(qū)動芯片進行了IGBT的驅(qū)動實驗,通過有關(guān)的波形驗證了它們的特點,最后得出結(jié)論:IGBT驅(qū)動集成電路的發(fā)展趨勢是集過流保護、驅(qū)動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強抗干擾能力等于一體的復合型電路。關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過流保護1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀80年代,為了給高電壓應用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個MoS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計中,它是日前最為常見的一種器件。

    標簽: 三相逆變器 igbt 驅(qū)動電路

    上傳時間: 2022-06-21

    上傳用戶:jiabin

  • MOSFET和IGBT區(qū)別

    MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同, 決定了其應用領(lǐng)域的不同.1, 由于MOSFET的結(jié)構(gòu), 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品.3, 就其應用, 根據(jù)其特點:MOSFET應用于開關(guān)電源, 鎮(zhèn)流器, 高頻感應加熱, 高頻逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領(lǐng)域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領(lǐng)域開關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply ;SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇,即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題,但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較,確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進行探討,如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS ( 零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗,并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導通損耗、傳導損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外,還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET或 IGBT 導通開關(guān)損耗的主要因素, 討論二極管恢復性能對于硬開關(guān)拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外, IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路(見圖1)可看出,完全調(diào)節(jié)PNP BJT集電極基極區(qū)的少數(shù)載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾( voltage tail )出現(xiàn)。

    標簽: mosfet igbt

    上傳時間: 2022-06-21

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  • 一種基于IGBT的雙管正激軟開關(guān)電源的研究與設(shè)計

    隨著全控型器件(目前主要是功率MOSPET與IGBT)的廣泛使用以及脈寬調(diào)制技術(shù)的成熟,高頻軟開關(guān)電源也獲得了極快地發(fā)展。變換電能的電源是以滿足人們使用電源的要求為出發(fā)點的,根據(jù)不同的使用要求和特點對發(fā)出電能的電源再進行一次變換。這種變換是把種形態(tài)的電能變換為另一種形態(tài)的電能,它可以是交流電和直流電之間的變換,也可以是電壓或電流幅值的變換,或者是交流電的頻率、相位等變換,軟開關(guān)電源輸入和輸出都是電能,它屬于變換電能的電源。本論文研究了一種新型雙管正激軟開關(guān)DC/DC變換器電路拓撲。主功率器件采用IGBT元件,由功率二極管、電感、電容組成的諧振網(wǎng)絡改善IGBT的開關(guān)條件,克服了傳統(tǒng)開關(guān)在開通和閉合過程中會產(chǎn)生功率損耗,并且降低開關(guān)靈敏性的弊端。該論文對IGBT的軟開關(guān)電源進行了總體設(shè)計和仿真,最后設(shè)計出了一臺輸出電壓為48V、輸出功率為1.5kW、工作頻率為80kHz、諧振頻率為350kHz的開關(guān)電源理論模型。

    標簽: igbt 開關(guān)電源

    上傳時間: 2022-06-21

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  • 變頻器維修之IGBT模塊的原理和測量及判斷

    本文只是論述由單只IGBT管子或雙管做成的逆變模塊,及其有關(guān)測量和判斷好壞的方法。IPM模塊不在本文討論內(nèi)容之內(nèi)。場效應管子有開關(guān)速度快、電壓控制的優(yōu)點,但也有導通壓降大,電壓與電流容量小的缺點。而雙極型器件恰恰有與其相反的特點,如電流控制、導通壓降小,功率容量大等,二者復合,正所謂優(yōu)勢互補。IGBT管子,或者1GBT模塊的由來,即基于此。從結(jié)構(gòu)上看,類似于我們都早已熟悉的復合放大管,輸出管為一只PNP型三極管,而激勵管是一只場效應管,后者的漏極電流形成了前者的基極電流。放大能力是兩管之積。IGBT管子的等效電路及符號如下圖:

    標簽: 變頻器 igbt模塊

    上傳時間: 2022-06-21

    上傳用戶:jiabin

  • concept的IGBT驅(qū)動板原理解讀

    MOD(模式選擇)MOD 輸入,可以選擇工作模式直接模式如果MOD 輸入沒有連接(懸空) ,或連接到VCC,選擇直接模式,死區(qū)時間由控制器設(shè)定。該模式下,兩個通道之間沒有相互依賴關(guān)系。輸入INA 直接影響通道1,輸入INB直接影響通道2。在輸入( INA 或INB )的高電位, 總是導致相應IGBT 的導通。每個IGBT接收各自的驅(qū)動信號。半橋模式如果MOD 輸入是低電位(連接到GND),就選擇了半橋模式。死區(qū)時間由驅(qū)動器內(nèi)部設(shè)定, 該模式下死區(qū)時間Td 為3us。輸入INA 和INB 具有以下功能: 當INB 作為使能輸入時, INA 是驅(qū)動信號輸入。當輸入INB 是低電位,兩個通道都閉鎖。如果INB 電位變高,兩個通道都使能,而且跟隨輸入INA 的信號。在INA 由低變高時,通道2 立即關(guān)斷, 1 個死區(qū)時間后,通道1 導通。只

    標簽: concept igbt 驅(qū)動

    上傳時間: 2022-06-21

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  • IGBT過流保護電路設(shè)計

    摘要:為解決絕緣柵雙極性品體管(ICET)在實際應用中經(jīng)常出現(xiàn)的過流擊穿問題,在分析了ICET過流特性和過流檢測方法的基礎(chǔ)上,根據(jù)過流時IGBT集電極電流的大小分別設(shè)計了過載保護電路和短路保護電路。過載保護電路在檢測到過載時立即關(guān)斷ICBT.根據(jù)不同的過載保護要求可實現(xiàn)持續(xù)封鎖、固定時間封鎖及單周期封鎖ICBT的驅(qū)動信號;短路保護電路通過檢測IGBT通態(tài)壓降判別短路故障,利用降柵壓、軟關(guān)斷和降頓綜合保護技術(shù)降低短路電流并安全關(guān)斷IGBT,詳細闡述了保護電路的保護機制及電路原理,最后對設(shè)計的所有保護電路進行了對應的過流保護測試,給出了測試波形圖。試驗結(jié)果表明,IGBT保護電路能及時進行過流檢測并準確動作,IGBT在不同的過流情況下都得到了可靠保護關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極性晶體管;過流保護;降棚壓;軟關(guān)斷

    標簽: igbt 過流保護

    上傳時間: 2022-06-21

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  • IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護電路的應用研究

    IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用.IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點。但是,IGBT和其它電力電子器件一樣,其應用還依賴于電路條件和開關(guān)環(huán)境。因此,IGBT的驅(qū)動和保護電路是電路設(shè)計的難點和重點,是整個裝置運行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。為解決IGBT的可靠驅(qū)動問題,國外各IGBT生產(chǎn)廠家或從事IGBT應用的企業(yè)開發(fā)出了眾多的IGBT驅(qū)動集成電路或模塊,如國內(nèi)常用的日本富士公司生產(chǎn)的EXB8系列,三菱電機公司生產(chǎn)的M579系列,美國IR公司生產(chǎn)的1R21系列等。但是,EXB8系列、M579系列和IR21系列沒有軟關(guān)斷和電源電壓欠壓保護功能,而惠普生產(chǎn)的HCLP-316]有過流保護、欠壓保護和1GBT軟關(guān)斷的功能,且價格相對便宜,因此,本文將對其進行研究,并給出1700v,200~300A IGBT的驅(qū)動和保護電路。

    標簽: igbt

    上傳時間: 2022-06-21

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  • IGBT驅(qū)動器驅(qū)動能力計算

    引言我們在選擇和設(shè)計IGBT驅(qū)動器時經(jīng)常會碰到一些問題和不確定因素。部分原因是廠家對IGBT描述的不夠充分;另一方面是由于IGBT手冊中所給的輸入結(jié)電容Ciss值與在應用中的實際的輸入結(jié)電容值相差甚遠。依據(jù)手冊中的Ciss值作設(shè)計,令許多開發(fā)人員走入歧途。下面給出了不同功率等級的驅(qū)動電路選擇和設(shè)計的正確計算的步驟。1 確定IGBT門極電荷以及門極電容對于設(shè)計一個驅(qū)動器來講,最重要的參數(shù)是門極電荷,在很多情況下,IGBT數(shù)據(jù)手冊中這個參數(shù)沒有給出,另外,門極電壓在上升過程中的充電過程也未被描述。無論如何,門極的充電過程相對而言能夠簡單地通過測量得到。因而要驅(qū)動一個IGBT,我們最好使用一個專用的驅(qū)動器。除此之外,在設(shè)計中至少我們知道在應用中所需的門極電壓(例如±15V)首先,在負載端沒有輸出電壓的情況下,我們可以作如下計算。門極電荷可以利用公式計算

    標簽: igbt 驅(qū)動器 驅(qū)動

    上傳時間: 2022-06-21

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