先進的系統架構和集成電路設計技術，使得模數轉換器 (ADC) 制造商得以開發出更高速率和分辨率，更低功耗的產品。這樣，當設計下一代的系統時，ADC設計人員已經簡化了很多系統平臺的開發。例如，同時提高ADC采樣率和分辨率可簡化多載波、多標準軟件無線電系統的設計。這些軟件無線電系統需要具有數字采樣非常寬頻范圍，高動態范圍的信號的能力，以同步接收遠、近端發射機的多種調制方式的高頻信號。同樣，先進的雷達系統也需要提高ADC采樣率和分辨率，以改善靈敏度和精度。在滿足了很多應用的具體需求，ADC的主要性能有了很大的提高的同時，ADC的功耗也有數量級的下降，進一步簡化了系統散熱設計和更小尺寸產品的設計。
標簽： FemtoCharge ADC 高分辨率 低功耗
上傳時間： 2013-10-22
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數電五版習題、數電四版教師手冊、電路考研例題
標簽： 數電 電路
上傳時間： 2013-11-20
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計算二階有源濾波、一階有源濾波、阻容充放電。
標簽： 有源濾波 計算 二階 充放電
上傳時間： 2013-11-17
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OPA2227 高精度、低噪聲運算放大器
標簽： 2227 OPA 高精度 低噪聲
上傳時間： 2013-11-09
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555芯片用于組成單穩態觸發器、施密特觸發器以及多諧振蕩器。
標簽： 555 芯片 單穩態觸發器 施密特觸發器
上傳時間： 2013-10-19
上傳用戶：fredguo
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
標簽： CoolMos 制造
上傳時間： 2013-11-11
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M進制可逆計數器的設計、仿真及實驗
標簽： 進制 計數器 仿真 實驗
上傳時間： 2013-10-17
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多路復用器、模擬開關設計指南
標簽： 多路復用器 模擬開關 設計指南
上傳時間： 2013-11-22
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Altium.Designer.6（6.6含破解文件）安裝、升級總結
標簽： Designer Altium Crack 6.6
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Allegro學習筆記之3—電源層、地層分割
標簽： Allegro 電源 地層分割
上傳時間： 2013-11-15
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