該文提出一種新顆的三電平LLc串聯(lián)電流諧振型Dc，Dc變換器。每個(gè)主開(kāi)關(guān)電壓應(yīng)力是輸入電壓的一半，并且全范圍實(shí)現(xiàn)zvs而不用附加任何電路。整流二極管工作在zcs狀態(tài)。該變換器通過(guò)_次諧振的手段使得以較小的頻率變化范圍就可以實(shí)現(xiàn)較大的輸入輸出調(diào)節(jié)范圍。整個(gè)變換器只需一顆磁元件。
標(biāo)簽： DC_DC 三電平 軟開(kāi)關(guān) 諧振
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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In a recent discussion with a system designer, the requirementfor his power supply was to regulate 1.5Vand deliver up to 40A of current to a load that consistedof four FPGAs. This is up to 60W of power that must bedelivered in a small area with the lowest height profi lepossible to allow a steady fl ow of air for cooling. Thepower supply had to be surface mountable and operateat high enough effi ciency to minimize heat dissipation.He also demanded the simplest possible solution so histime could be dedicated to the more complex tasks. Asidefrom precise electrical performance, this solution had toremovethe heat generated during DC to DC conversionquickly so that the circuit and the ICs in the vicinity do notoverheat. Such a solution requires an innovative designto meet these criteria:
標(biāo)簽： FPGA DCDC 集成 穩(wěn)壓器
上傳時(shí)間： 2013-11-24
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從超級(jí)電容器儲(chǔ)能系統(tǒng)的運(yùn)行機(jī)理出發(fā)，設(shè)計(jì)了含雙向DC-AC-DC 變換器的超級(jí)電容器儲(chǔ)能系統(tǒng)主電路結(jié)構(gòu)，并建立了其統(tǒng)一模型。仿真結(jié)果證明了所建統(tǒng)一模型的正確性和有效性, 并表明超級(jí)電容器儲(chǔ)能系統(tǒng)提高了分布式發(fā)電系統(tǒng)的運(yùn)行穩(wěn)定性。
標(biāo)簽： 超級(jí)電容器 儲(chǔ)能系統(tǒng) 模型
上傳時(shí)間： 2013-12-23
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/*--------- 8051內(nèi)核特殊功能寄存器 -------------*/ sfr ACC = 0xE0; //累加器 sfr B = 0xF0; //B 寄存器 sfr PSW = 0xD0; //程序狀態(tài)字寄存器 sbit CY = PSW^7; //進(jìn)位標(biāo)志位 sbit AC = PSW^6; //輔助進(jìn)位標(biāo)志位 sbit F0 = PSW^5; //用戶標(biāo)志位0 sbit RS1 = PSW^4; //工作寄存器組選擇控制位 sbit RS0 = PSW^3; //工作寄存器組選擇控制位 sbit OV = PSW^2; //溢出標(biāo)志位 sbit F1 = PSW^1; //用戶標(biāo)志位1 sbit P = PSW^0; //奇偶標(biāo)志位 sfr SP = 0x81; //堆棧指針寄存器 sfr DPL = 0x82; //數(shù)據(jù)指針0低字節(jié) sfr DPH = 0x83; //數(shù)據(jù)指針0高字節(jié) /*------------ 系統(tǒng)管理特殊功能寄存器 -------------*/ sfr PCON = 0x87; //電源控制寄存器 sfr AUXR = 0x8E; //輔助寄存器 sfr AUXR1 = 0xA2; //輔助寄存器1 sfr WAKE_CLKO = 0x8F; //時(shí)鐘輸出和喚醒控制寄存器 sfr CLK_DIV = 0x97; //時(shí)鐘分頻控制寄存器 sfr BUS_SPEED = 0xA1; //總線速度控制寄存器 /*----------- 中斷控制特殊功能寄存器 --------------*/ sfr IE = 0xA8; //中斷允許寄存器 sbit EA = IE^7; //總中斷允許位 sbit ELVD = IE^6; //低電壓檢測(cè)中斷控制位 8051
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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具備處理外部模擬信號(hào)功能是很多電子設(shè)備的基本要求。為了將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信 號(hào)，就需要藉助A/D 轉(zhuǎn)換器。將A/D 功能和MCU 整合在一起，就可減少電路的元件數(shù)量和 電路板的空間使用。 HT45F23 微控制器內(nèi)建6 通道，12 位解析度的A/D 轉(zhuǎn)換器。在本應(yīng)用說(shuō)明中，將介紹如何 使用HT45F23 微控制器的A/D 功能。
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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#include<iom16v.h> #include<macros.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uint a,b,c,d=0; void delay(c) { for for(a=0;a<c;a++) for(b=0;b<12;b++); }; uchar tab[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,
標(biāo)簽： AVR 單片機(jī) 數(shù)碼管
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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TDK公司的子公司TDK-EPC推出了愛(ài)普科斯PQ鐵氧體磁芯的擴(kuò)展系列。新加入了PQ40/40和PQ50/50磁芯后，PQ磁芯系列覆蓋了PQ16/11.6至PQ50/50的全部尺寸。 PQ磁芯專為開(kāi)關(guān)電源的變壓器研制。這些磁芯的插入高度可以調(diào)節(jié)，同時(shí)可以通過(guò)適當(dāng)調(diào)整磁芯保存相同的占用面積。新款鐵氧體磁芯可用于AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器中的標(biāo)準(zhǔn)繞線變壓器以及平面變壓器。 與傳統(tǒng)ETD/ER/E磁芯設(shè)計(jì)相比，PQ磁芯的主要優(yōu)勢(shì)在于擁有穩(wěn)定的圓形中心支腳和更大的外表面。憑借該圓形中心支腳和更大的繞組表面積，銅線的長(zhǎng)度得以縮短。因此，變壓器生產(chǎn)的成本也得以降低。此外，更大的外表面可以保證更好的散熱。PQ磁芯外形經(jīng)過(guò)優(yōu)化，從而可以更小的尺寸和重量獲得與e磁芯相同的變壓器性能。PQ磁芯可由多種鐵氧體材料制成，如：N49、N51、N87、N92、N95和N97。
標(biāo)簽： 鐵氧體 PQ芯 產(chǎn)品系列 擴(kuò)展
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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三種方法讀取鍵值 使用者設(shè)計(jì)行列鍵盤(pán)介面，一般常採(cǎi)用三種方法讀取鍵值。 中斷式 在鍵盤(pán)按下時(shí)產(chǎn)生一個(gè)外部中斷通知CPU，並由中斷處理程式通過(guò)不同位址讀資料線上的狀態(tài)判斷哪個(gè)按鍵被按下。 本實(shí)驗(yàn)採(cǎi)用中斷式實(shí)現(xiàn)使用者鍵盤(pán)介面。 掃描法 對(duì)鍵盤(pán)上的某一行送低電位，其他為高電位，然後讀取列值，若列值中有一位是低，表明該行與低電位對(duì)應(yīng)列的鍵被按下。否則掃描下一行。 反轉(zhuǎn)法 先將所有行掃描線輸出低電位，讀列值，若列值有一位是低表明有鍵按下；接著所有列掃描線輸出低電位，再讀行值。 根據(jù)讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤(pán)按4行4列組成如圖電路結(jié)構(gòu)。按鍵按下將會(huì)使行列連成通路，這也是見(jiàn)的使用者鍵盤(pán)設(shè)計(jì)電路。 //-----------4X4鍵盤(pán)程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時(shí)去抖動(dòng) if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復(fù)位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開(kāi) { display(data); } i=4; //計(jì)算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤(pán)碼 } } else return 17; //沒(méi)有按鍵按下 }
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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Single-Ended and Differential S-Parameters Differential circuits have been important incommunication systems for many years. In the past,differential communication circuits operated at lowfrequencies, where they could be designed andanalyzed using lumped-element models andtechniques. With the frequency of operationincreasing beyond 1GHz, and above 1Gbps fordigital communications, this lumped-elementapproach is no longer valid, because the physicalsize of the circuit approaches the size of awavelength.Distributed models and analysis techniques are nowused instead of lumped-element techniques.Scattering parameters, or S-parameters, have beendeveloped for this purpose [1]. These S-parametersare defined for single-ended networks. S-parameterscan be used to describe differential networks, but astrict definition was not developed until Bockelmanand others addressed this issue [2]. Bockelman’swork also included a study on how to adapt single-ended S-parameters for use with differential circuits[2]. This adaptation, called “mixed-mode S-parameters,” addresses differential and common-mode operation, as well as the conversion betweenthe two modes of operation.This application note will explain the use of single-ended and mixed-mode S-parameters, and the basicconcepts of microwave measurement calibration.
上傳時(shí)間： 2014-03-25
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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