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mosFET

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,mosFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effecttransistor）。[1]mosFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱為NmosFET與PmosFET，其他簡(jiǎn)稱上包括NMOS、PMOS等。

  • 關(guān)于mosFET應(yīng)用時(shí)的散熱設(shè)計(jì)方法

    關(guān)于mosFET應(yīng)用時(shí)的熱設(shè)計(jì)方法。

    標(biāo)簽： mosFET 散熱 設(shè)計(jì)方法

    上傳時(shí)間： 2013-10-31

    上傳用戶：shen954166632

  • BJT與mosFET的開(kāi)關(guān)應(yīng)用

    　　本文是關(guān)于電路中的 BJT 與 mosFET開(kāi)關(guān)應(yīng)用的討論。 　　前段時(shí)間，一同學(xué)跟我說(shuō)，他用單片機(jī)做了一個(gè)簡(jiǎn)單的 LED 臺(tái)燈，用 PWM的方式控制燈的亮度，但是發(fā)現(xiàn) BJT 總是很燙。他給我的電路圖如圖一，我問(wèn)他3V 時(shí) LED 的發(fā)光電流是多大，他說(shuō)大概十幾到二十 mA，我又問(wèn)他電阻多大，他說(shuō) 10KΩ。于是我笑笑說(shuō)你把電阻小一點(diǎn)就好了。他回去一試，說(shuō)用了個(gè) 1KΩ的電阻，就沒(méi)有任何問(wèn)題了。 　　我很失望他沒(méi)有問(wèn)我為什么要這么做，這可能是大多數(shù)電子愛(ài)好初學(xué)者存在的問(wèn)題，他們的動(dòng)手能力很強(qiáng)，但是并不注重基本的理論知識(shí)。他們大多數(shù)情況下都是“依葫蘆畫瓢”，借用現(xiàn)成的電路使用，就連參數(shù)和器件型號(hào)的選擇都疏于考慮。

    標(biāo)簽： mosFET BJT 開(kāi)關(guān)應(yīng)用

    上傳時(shí)間： 2013-11-02

    上傳用戶：ZJX5201314

  • 功率mosFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案

    分析了對(duì)功率mosFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動(dòng)模塊的功率mosFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測(cè)功機(jī)勵(lì)磁線圈驅(qū)動(dòng)電路中的實(shí)際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。

    標(biāo)簽： mosFET 功率 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路 方案

    上傳時(shí)間： 2014-01-25

    上傳用戶：hz07104032

  • 功率mosFET的開(kāi)通和關(guān)斷原理

    開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，mosFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時(shí)，mosFET 被驅(qū)動(dòng)開(kāi)通； -- [t0-t1]區(qū)間，mosFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對(duì)Cgs 充電而上升，在t1 時(shí)刻，到達(dá)維持電壓Vth，mosFET 開(kāi)始導(dǎo)電；

    標(biāo)簽： mosFET 功率 關(guān)斷

    上傳時(shí)間： 2013-10-14

    上傳用戶：ks201314

  • 實(shí)際應(yīng)用條件下Power+mosFET開(kāi)關(guān)特性研究

    摘要：從功率mosFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對(duì)功率mosFET的開(kāi)關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對(duì)功率mosFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的功率損耗和所需驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)行了研究，提出了有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法，并對(duì)多種因素對(duì)開(kāi)關(guān)特性的影響效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，所得出的結(jié)論對(duì)于功率mosFET的正確運(yùn)用和設(shè)計(jì)合理的mosFET驅(qū)動(dòng)電路具有指導(dǎo)意義．

    標(biāo)簽： mosFET Power 實(shí)際應(yīng)用 條件下

    上傳時(shí)間： 2013-11-10

    上傳用戶：wfeel

  • 高頻功率mosFET驅(qū)動(dòng)電路及并聯(lián)特性研究

    本文主要研究高頻功率mosFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率mosFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率mosFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外，對(duì)功率mosFET在兆赫級(jí)并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問(wèn)題做了仿真研究及分析。

    標(biāo)簽： mosFET 高頻 功率 驅(qū)動(dòng)電路

    上傳時(shí)間： 2013-11-22

    上傳用戶：lijinchuan

  • 功率mosFET并聯(lián)應(yīng)用

    從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致mosFET并聯(lián)時(shí)電壓和電流不均衡的原因，并聯(lián)mosFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細(xì)的分析，并輔以仿真說(shuō)明振蕩產(chǎn)生的原因。

    標(biāo)簽： mosFET 功率 并聯(lián)

    上傳時(shí)間： 2014-12-23

    上傳用戶：xiaohanhaowei

  • 開(kāi)關(guān)電源中功率mosFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率mosFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率mosFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率mosFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率mosFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開(kāi)通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率mosFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。

    標(biāo)簽： mosFET 開(kāi)關(guān)電源 功率 分

    上傳時(shí)間： 2013-11-14

    上傳用戶：dongqiangqiang

  • 功率mosFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)

    功率mosFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)

    標(biāo)簽： mosFET 功率 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電路

    上傳時(shí)間： 2013-10-22

    上傳用戶：wutong

  • 理解功率mosFET的RDS

    深入理解理解功率mosFET的RDSON

    標(biāo)簽： mosFET RDS 功率

    上傳時(shí)間： 2013-10-12

    上傳用戶：zjwangyichao

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