功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用；但它承受短時過載的能力較弱，使 其應用受到一定的限制。分析了mosFET 器件驅動與保護電路的設計要求；計算了mosFET 驅動器的功耗及mosFET 驅動器與mosFET 的匹配；設計了基于IR2130 驅動模塊的 mosFET 驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在驅動無 刷直流電機的應用中證明，該電路驅動能力及保護功能效果良好。
標簽： mosFET 保護
上傳時間： 2016-01-11
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mosFET驅動器資料,很好的資料,值得下載學習,性能較好
標簽： mosFET驅動器
上傳時間： 2016-11-25
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高速雙mosFET驅動器及在開關電源中應用
標簽： mosFET 驅動器 開關電源
上傳時間： 2019-07-31
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RC吸收電路設計mosFET吸收電路設計
標簽： rc吸收電路 mosFET
上傳時間： 2021-10-16
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ROHM最近推出了SiCmosFET的新系列產品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低35%左右。此次，針對SiCmosFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會社的應用工程師。關于SiCmosFET的SCT3xxxxR系列，除了導通電阻很低，還通過采用4引腳封裝使開關損耗降低了35%，對此我們非常感興趣。此次，想請您以4引腳封裝為重點介紹一下該產品。首先，請您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善SiCmosFET的開關損耗。包括SiCmosFET在內的電源開關用mosFET和IGBT，被作為開關元件廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開關元件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來發布了一種4引腳的新型封裝，即在mosFET的源極、漏極、柵極三個引腳之外，另外設置了驅動器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過采用最新的溝槽柵極結構，實現更低的導通電阻和傳導損耗；通過采用4引腳封裝，進一步發揮出SiC本身具有的高速開關性能，并降低開關損耗。那么，我想詳細了解一下剛剛您的概述中出現的幾個要點。首先，什么是“驅動器源極引腳”？驅動器源極引腳是應用了開爾文連接原理的源極引腳。開爾文連接是通過電阻測量中的4個引腳或四線檢測方式，在電流路徑基礎上加上兩條測量電壓的線路，以極力消除微小電阻測量或大電流條件下測量時不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過使連接柵極驅動電路返回線的源極電壓引腳與流過大電流的電源源極引腳獨立，來消除ID對柵極驅動電路的影響。
標簽： sic mosFET 封裝
上傳時間： 2021-11-07
該文檔為電力電子半導體器件(mosFET).講解文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： 電力電子 半導體器件 mosFET
上傳時間： 2021-11-11
高速mosFET柵極驅動電路的設計與應用指南
標簽： mosFET 柵極 驅動電路
上傳時間： 2021-12-15
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基于SiC mosFET的20kW全橋LLC變換器 分享一個基于SiC mosFET的20kW全橋LLC變換器 Demo
標簽： sic mosFET LLC變換器
上傳時間： 2021-12-21
DIY 1000W純正弦波12v-220v逆變器（EGS002 16 mosFET板）DIY 1000W純正弦波12v-220v逆變器（EGS002 16 mosFET板）
標簽： 逆變器 mosFET
上傳時間： 2021-12-28
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標簽： hm8205 塑料封裝 mosFET
上傳時間： 2022-01-16
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