該文檔為電力電子半導(dǎo)體器件(mosFET)(精)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
標(biāo)簽： 電力電子 半導(dǎo)體器件 mosFET
上傳時(shí)間： 2022-02-06
上傳用戶(hù)：shjgzh
mosFET并聯(lián)使用介紹了并聯(lián)使用的注意事項(xiàng)，特別注意避開(kāi)Vgsth zero thermal coefficient以下的正溫特性設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2022-03-01
上傳用戶(hù)：bluedrops
這個(gè)是安世半導(dǎo)體關(guān)于mosFET的詳細(xì)應(yīng)用手冊(cè)，可以快速了解mosFET的內(nèi)容。
標(biāo)簽： mosFET
上傳時(shí)間： 2022-03-19
上傳用戶(hù)：canderile
mosFET，碳化硅的驅(qū)動(dòng)電路PCB,最高驅(qū)動(dòng)頻率可達(dá)2Mhz，帶過(guò)流保護(hù)功能，帶隔離
標(biāo)簽： mosFET 驅(qū)動(dòng)電路 pcb
上傳時(shí)間： 2022-03-30
上傳用戶(hù)：trh505
深入理解mosFET中文手冊(cè)怎么看，看哪里，哪里是重點(diǎn)，在我們選型的時(shí)候到底需要關(guān)注哪些點(diǎn)，本文很好的詮釋了中文手冊(cè)到底要看哪些東西對(duì)我們才有用，希望大家多多支持!!
標(biāo)簽： mosFET
上傳時(shí)間： 2022-04-01
上傳用戶(hù)：d1997wayne
設(shè)計(jì)功率mosFET驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需重點(diǎn)考慮寄生參數(shù)對(duì)電路的影響。米勒電容作為mosFET器件的一項(xiàng)重要參數(shù),在驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注。重點(diǎn)觀察了mosFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過(guò)程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對(duì)漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺(tái)附近產(chǎn)生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對(duì)功率mosFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)具有一定的指導(dǎo)意義。When designing the drive circuit of power mosFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of mosFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of mosFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power mosFET.
標(biāo)簽： mosFET
上傳時(shí)間： 2022-04-02
上傳用戶(hù)：默默
mosFET單相全橋無(wú)源逆變電路
上傳時(shí)間： 2022-04-04
上傳用戶(hù)：1208020161
mosFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管)工作原理，有需要的可以參考！
標(biāo)簽： mosFET MOS場(chǎng)效應(yīng)管
上傳時(shí)間： 2022-04-19
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mosFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同, 決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同.1, 由于mosFET的結(jié)構(gòu), 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點(diǎn)頻率不是太高, 目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了. 不過(guò)相對(duì)于mosFET的工作頻率還是九牛一毛,mosFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品.3, 就其應(yīng)用, 根據(jù)其特點(diǎn):mosFET應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源, 鎮(zhèn)流器, 高頻感應(yīng)加熱, 高頻逆變焊機(jī), 通信電源等等高頻電源領(lǐng)域;IGBT 集中應(yīng)用于焊機(jī), 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域開(kāi)關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴(lài)于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開(kāi)關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是mosFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 mosFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS ( 零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定mosFET或 IGBT 導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗的主要因素， 討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外， IGBT和功率mosFET的導(dǎo)通特性十分類(lèi)似。由基本的IGBT等效電路（見(jiàn)圖1）可看出，完全調(diào)節(jié)PNP BJT集電極基極區(qū)的少數(shù)載流子所需的時(shí)間導(dǎo)致了導(dǎo)通電壓拖尾（ voltage tail ）出現(xiàn)。
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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標(biāo)簽： 制造 工程師 實(shí)體 數(shù)控加工
上傳時(shí)間： 2013-07-01
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