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n-body

  • CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

    對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu), Rdson與BV存在矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢? 對于常規(guī)VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié),對于一個PN結(jié),耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積,也就是下圖中的淺綠色部分,就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS,P body濃度要大于N EPI, PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴散,所以此結(jié)構(gòu)下,P body區(qū)域一側(cè),耗盡區(qū)擴展很小,基本對承壓沒有多大貢獻,承壓主要是P body--N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域,這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的,越是靠近PN結(jié)面(a圖的A結(jié)),電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

    標簽: CoolMos 制造

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:小眼睛LSL

  • 采用歸零法的N進制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數(shù)器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • (N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展,通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大,系統(tǒng)越來越復雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中,傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發(fā)達的國家,各大通信運營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。

    標簽: 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時間: 2014-03-24

    上傳用戶:alan-ee

  • 51單片機串口發(fā)N字節(jié)

    適用于51單片機的串口發(fā)n

    標簽: 51單片機 串口 字節(jié)

    上傳時間: 2014-12-25

    上傳用戶:qingzhuhu

  • 一種用N+1條線實現(xiàn)矩陣鍵盤

    89c51一種用N+1條線實現(xiàn)矩陣鍵盤

    標簽: 矩陣鍵盤

    上傳時間: 2014-12-26

    上傳用戶:lhw888

  • 求N皇后問題回溯算法

    求N皇后問題回溯算法

    標簽: 回溯算法

    上傳時間: 2014-07-13

    上傳用戶:yph853211

  • n皇后

    n皇后

    標簽:

    上傳時間: 2014-02-18

    上傳用戶:lili123

  • N*N的陀螺方陣存入一個二維數(shù)

    N*N的陀螺方陣存入一個二維數(shù)

    標簽: 陀螺 二維

    上傳時間: 2013-12-28

    上傳用戶:84425894

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