·《手把手教你學(xué)單片機(jī)的C程序設(shè)計(jì)》及實(shí)驗(yàn)程序作 者：周興華編著出 版 社：北京航空航天大學(xué)出版社出版時(shí)間： 2007-10-1字 數(shù)： 570000版 次： 1頁 數(shù)： 345印刷時(shí)間： 2007/10/01I S B N ： 9787811242140包 裝： 平裝內(nèi)容簡介以實(shí)踐為主線，以生動(dòng)短小的實(shí)例為靈魂，穿插介紹C語言的語法及其針對單片機(jī)的特別定義，使理論與實(shí)踐結(jié)合，使讀者掌握單
標(biāo)簽： 手把手 單片機(jī) C程序設(shè)計(jì) 實(shí)驗(yàn)
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·作 者： [美]Douglas Boling 著出 版 社： 北京大學(xué)出版社出版時(shí)間： 1999-8-1字 數(shù)： 1040000版 次： 1頁 數(shù)： 746印刷時(shí)間： 1999/08/01開 本：印 次：紙 張： 膠版紙I S B N ： 9787301041864 內(nèi)容簡介我是在1996年秋MicrosoftWindows CE發(fā)行之前開始了解這個(gè)軟件的。作為
標(biāo)簽： Windows WinCE nbsp CE
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·作 者： 楊宗德 編著出 版 社： 北京大學(xué)出版社出版時(shí)間： 2007-9-1 字 數(shù)： 351000 版 次： 1 頁 數(shù)： 233 印刷時(shí)間： 2007/09/01 紙 張： 膠版紙 I S B N ： 9787301125304 包 裝： 平裝 內(nèi)容簡介本書是一本介紹ARM處理器原理與底層程序開發(fā)實(shí)例的教材，涉及嵌入式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、嵌入式處理器及操作系統(tǒng)基本概念、ARM處理器原理及應(yīng)
標(biāo)簽： ARM 嵌入式 系統(tǒng)原理
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·作 者： 袁任光 I S B N： 7111144716 頁 數(shù)： 676 開 本： 32開 重 量： 460克 封面形式： 簡裝本 出 版 社： 機(jī)械工業(yè)出版社 本社特價(jià)書 出版日期： 2004-7-1 定 價(jià)： 30元
標(biāo)簽： 258 電動(dòng)機(jī) 控制電路
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·作 者： 三菱電機(jī)株式會(huì)社 I S B N： 7118019917 頁 數(shù)： 176 開 本： 大16開 封面形式： 簡裝本 出 版 社： 國防工業(yè)出版社 本社特價(jià)書 出版日期： 2001-7-1 定 價(jià)： 40元 變頻器原理與應(yīng)用教程 內(nèi)容簡介本書
標(biāo)簽： 變頻器原理 應(yīng)用教程
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M AT L A B是一個(gè)可視化的計(jì)算程序，被廣泛地使用于從個(gè)人計(jì)算機(jī)到超級計(jì)算機(jī)范圍內(nèi) 的各種計(jì)算機(jī)上。 M AT L A B包括命令控制、可編程，有上百個(gè)預(yù)先定義好的命令和函數(shù)。這些函數(shù)能通過 用戶自定義函數(shù)進(jìn)一步擴(kuò)展。 M AT L A B有許多強(qiáng)有力的命令。例如， M AT L A B能夠用一個(gè)單一的命令求解線性系統(tǒng)， 能完成大量的高級矩陣處理。 M AT L A B有強(qiáng)有力的二維、三維圖形工具。 M AT L A B能與其他程序一起使用。例如， M AT L A B的圖形功能，可以在一個(gè) F O RT R A N 程序中完成可視化計(jì)
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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
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高的工作電壓高達(dá)100V N雙N溝道MOSFET同步驅(qū)動(dòng) The D810DCDC is a synchronous step-down switching regulator controller that can directly step-down voltages from up to 100V, making it ideal for telecom and automotive applications. The D810DCDC uses a constant on-time valley current control architecture to deliver very low duty cycles with accurate cycle-by-cycle current limit, without requiring a sense resistor. A precise internal reference provides 0.5% DC accuracy. A high bandwidth (25MHz) error amplifi er provides very fast line and load transient response. Large 1Ω gate drivers allow the D810DCDC to drive multiple MOSFETs for higher current applications. The operating frequency is selected by an external resistor and is compensated for variations in VIN and can also be synchronized to an external clock for switching-noise sensitive applications. Integrated bias control generates gate drive power from the input supply during start-up and when an output shortcircuit occurs, with the addition of a small external SOT23 MOSFET. When in regulation, power is derived from the output for higher effi ciency.
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為了改變目前電網(wǎng)現(xiàn)場作業(yè)管理的變電巡檢、變電檢修試驗(yàn)、輸電線路巡檢檢修等管理系統(tǒng)各自獨(dú)立運(yùn)行，信息不能共享，功能、效率受限，建設(shè)和維護(hù)成本高的現(xiàn)狀，提出了采用B/S+C/S構(gòu)架模式，將各現(xiàn)場作業(yè)管理模塊和生產(chǎn)MIS（管理系統(tǒng)）集成為一體的現(xiàn)場作業(yè)管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，做到各子系統(tǒng)和生產(chǎn)MIS軟硬資源共享，做到同一數(shù)據(jù)唯一入口、一處錄入多處使用。各子系統(tǒng)設(shè)備人員等基礎(chǔ)信息來源于生產(chǎn)管理系統(tǒng)，各子系統(tǒng)又是生產(chǎn)管理系統(tǒng)的作業(yè)數(shù)據(jù)、缺陷信息的重要來源。經(jīng)過研究試用成功和推廣應(yīng)用，目前該系統(tǒng)已在江西電網(wǎng)220 kV及以上變電站全面應(yīng)用。 Abstract: In order to improve the status that the substation field inspection system， substation equipments maintenance and testing system， power-line inspection and maintenance system are running independent with each other. They can?蒺t share the resource information which accordingly constrains their functions and efficiency， and their construction and maintenance costs are high. This paper introduces a field standardized work management system based on B/S+C/S mode， integrating all field work management systems based on MIS and share the equipments and employee?蒺s data of MIS，the field work data of the sub systems are the source information of MIS， by which the same single data resouce with one-time input can be utilized in multiple places. After the research and testing， this system is triumphantly using in all 220kV and above substations in Jiangxi grid.
標(biāo)簽： 電網(wǎng) 信息化 管理系統(tǒng)
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