?? 碳化硅器件技術資料

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碳化硅器件以其卓越的高溫穩定性、高電壓耐受能力和低導通電阻特性，在電力電子領域展現出巨大潛力。廣泛應用于新能源汽車、光伏發電、軌道交通及工業電源等領域，是實現高效能轉換的關鍵技術之一。本頁面匯集了3883份精選資源，涵蓋最新研究成果、設計指南與應用案例分析，為工程師提供全面深入的學習資料，助力您掌握前沿科技，推動項目創新。

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本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和...

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半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術，對...

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