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共源共柵

  • 高等模擬集成電路

    近年來(lái),隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步,電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個(gè)重要的變化: 一個(gè)是數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心,一個(gè)是整個(gè)電子系統(tǒng)可以集成在一個(gè)芯片上(稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用,并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。 數(shù)字電路不僅具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)模擬電路的集成規(guī)模,而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計(jì)周期短、對(duì)噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢(shì)。雖然如此,模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因?yàn)槲覀兘佑|到的外部世界的物理量主要都是模擬量,比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等,要將它們變換為數(shù)字信號(hào),需要模擬信號(hào)處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路,如果這些電路性能不夠高,將會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。其次,系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成,如微弱信號(hào)放大,很高頻率和寬頻帶信號(hào)的實(shí)時(shí)處理等。因此,雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心,但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口,其地位和作用仍然十分重要。 片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個(gè)芯片上,這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小,使MOS器件的性能不斷提高,MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流,并因此促進(jìn)了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴(kuò)展和性能的不斷提高,對(duì)模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求,促進(jìn)了新電路技術(shù)的發(fā)展。 作為研究生課程的教材,本書(shū)內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴(kuò)展,同時(shí)涉及實(shí)際設(shè)計(jì)中需要考慮的一些問(wèn)題,重點(diǎn)介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書(shū)共7章,大致可分為三個(gè)部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ),比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路,為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識(shí)。由于版圖設(shè)計(jì)與工藝參數(shù)對(duì)模擬集成電路性能的影響很大,因此第7章簡(jiǎn)單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過(guò)程和版圖設(shè)計(jì)技術(shù),讀者可以通過(guò)對(duì)該章所介紹的相關(guān)背景知識(shí)的了解,更深入地理解MOS器件和電路的特性,有助于更好地完成模擬集成電路的可實(shí)現(xiàn)性設(shè)計(jì)。第二部分為新電路技術(shù),由第2章、第3章和第5章的部分組成,包括近年來(lái)逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對(duì)數(shù)域電路,它們?cè)谔岣吖ぷ黝l率、降低電源電壓、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力,同時(shí)它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開(kāi)拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點(diǎn)和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號(hào)載體的電路不同,這是一種以電流作為信號(hào)載體的電路,雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的,但由于信號(hào)載體不同,不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點(diǎn)和開(kāi)關(guān)電容與開(kāi)關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類(lèi)似于數(shù)字電路,處理的是時(shí)間離散信號(hào),又類(lèi)似于模擬電路,處理的是幅度連續(xù)信號(hào),它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)間常數(shù),解決了模擬電路實(shí)際應(yīng)用中的一大障礙。對(duì)數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹,這類(lèi)電路除具有良好的電性能外,還提出了一種利用器件的非線性特性實(shí)現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個(gè)模擬電路的功能模塊,它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分,并且與信號(hào)和信號(hào)處理聯(lián)系密切,有助于在信號(hào)和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點(diǎn)和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計(jì)方法和主要類(lèi)型,包括連續(xù)時(shí)間濾波器、對(duì)數(shù)域?yàn)V波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路,包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因?yàn)檩d波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號(hào),射頻前端電路的性能對(duì)整個(gè)通信系統(tǒng)有直接的影響,所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書(shū)是在為研究生開(kāi)設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成,由董在望主編,第1、4、7章由李冬梅編寫(xiě),第6章由王志華編寫(xiě),第5章由李永明和董在望編寫(xiě),第2、3章由董在望編寫(xiě),李國(guó)林參加了部分章節(jié)的校核工作。 本書(shū)可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書(shū),也可作為本科教學(xué)參考書(shū)或選修課教材和供相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。 清華大學(xué)出版社多位編輯為本書(shū)的出版做了卓有成效的工作,深致謝意。 限于編者水平,難免有錯(cuò)誤和疏漏之處,歡迎批評(píng)指正。 目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號(hào)模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負(fù)載放大電路 1.4運(yùn)算放大器 1.4.1運(yùn)算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.3兩級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償 1.5模擬開(kāi)關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時(shí)鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點(diǎn) 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對(duì)頻率特性的影響 思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開(kāi)關(guān)電容電路和開(kāi)關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開(kāi)關(guān)電容電路的時(shí)域分析 3.1.2開(kāi)關(guān)電流電路的時(shí)域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開(kāi)關(guān)電容電路 3.2.1開(kāi)關(guān)電容單元電路 3.2.2開(kāi)關(guān)電容電路的特點(diǎn) 3.2.3非理想因素的影響 3.3開(kāi)關(guān)電流電路 3.3.1開(kāi)關(guān)電流單元電路 3.3.2開(kāi)關(guān)電流電路的特點(diǎn) 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類(lèi) 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類(lèi)型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過(guò)采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計(jì)的逼近方法 5.2連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.1連續(xù)時(shí)間濾波器的設(shè)計(jì)方法 5.2.2跨導(dǎo)電容(GmC)連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.3連續(xù)時(shí)間濾波器的片上自動(dòng)調(diào)節(jié)電路 5.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.3.1對(duì)數(shù)域電路概念及其特點(diǎn) 5.3.2對(duì)數(shù)域電路基本單元 5.3.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計(jì)方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開(kāi)關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開(kāi)關(guān)電流電路的方法 思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號(hào) 6.2.2復(fù)數(shù)信號(hào)處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動(dòng)態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計(jì) 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無(wú)源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計(jì) 7.1集成電路制造工藝簡(jiǎn)介 7.1.1單晶生長(zhǎng)與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴(kuò)散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積(CVD) 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無(wú)源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計(jì) 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計(jì)技術(shù) 思考題

    標(biāo)簽: 模擬集成電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶:chengxin

  • CMOS模擬電路設(shè)計(jì)_中文版

    本書(shū)是模擬集成電路設(shè)計(jì)課的一本經(jīng)典教材。全書(shū)共分5個(gè)部分。主要介紹了模擬集成電路設(shè)計(jì)的背景知識(shí)、基本MOS半導(dǎo)體制造工藝、CMOS技術(shù)、CMOS器件建模,MOS開(kāi)關(guān)、MOS二極管、有源電阻、電流阱和電流源等模擬CMOS分支電路,以及反相器、差分放大器、共源共柵放大器、電流放大器、輸出放大器等CMOS放大器的原理、特性、分析方法和設(shè)計(jì),CM0S運(yùn)算放大器、高性能CMOS運(yùn)算放大器、比較器,開(kāi)關(guān)電容電路、D/A和A/D變換器等CMOS模擬系統(tǒng)的分析方法、設(shè)計(jì)和模擬等內(nèi)容。

    標(biāo)簽: CMOS 模擬電路設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-10-30

    上傳用戶:笨小孩

  • 第三代半導(dǎo)體GaN功率開(kāi)關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)

    作者:何亮,劉揚(yáng)論文摘要:氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ,非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ,具 有 十 分 廣 闊 的 市場(chǎng)前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開(kāi) 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ,其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) (p 型 柵 )和 共 源 共 柵 級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ,并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點(diǎn) ,業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用 化 ,仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。

    標(biāo)簽: 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開(kāi)關(guān)器件

    上傳時(shí)間: 2021-12-08

    上傳用戶:XuVshu

  • 電流檢測(cè)電路中運(yùn)算放大器與ADC的設(shè)計(jì)

    電學(xué)中的測(cè)量技術(shù)涉及范圍非常廣,電流測(cè)量在電學(xué)計(jì)量中占有非常重要的位置。如何精確地進(jìn)行電流測(cè)量是精密測(cè)量的一大難題。傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電路多采用運(yùn)算放大芯片與片外電流檢測(cè)電路相結(jié)合的方式,電路集成度很低,需要較多的接口和資源才能完成對(duì)電路的檢測(cè)。本文把所有電路部分都集成在一塊芯片上,包括檢測(cè)電阻,運(yùn)算放大器電路及模擬轉(zhuǎn)數(shù)字轉(zhuǎn)換電路,從而在電路內(nèi)部可以進(jìn)行電流檢測(cè),使電路更好的集成化。前置電路使用二級(jí)共源共柵結(jié)構(gòu)的運(yùn)算放大器,減小溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)造成的電流誤差。10位SAR ADC中采用電容驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的傳輸門(mén)保證了模數(shù)轉(zhuǎn)化器的有效精度。比較器模塊采用再生鎖存器與遲滯比較器作為基礎(chǔ)單元組合解決精密測(cè)量的問(wèn)題。本設(shè)計(jì)可以作為嵌入芯片內(nèi)的一小部分而檢測(cè)芯片中的微小電流1mA~100mA,工作電壓在1.8v左右,電流檢測(cè)精度預(yù)期達(dá)到10uA的需求。The measurement technology in electricity involves a wide range,and current measurement plays a very important position in electrical measurement.How to accurately measure current is a big problem in precision measurement. The traditional current detecting circuit adopts the combination of the operational amplifier chip and theoff-chip current detecting circuit, The circuit integration is very low, and more interfaces and resources are needed tocomplete the circuit detection.This topic integrates all the circuit parts into one chip, including detection resistance, operational amplifier circuit andanalog to digital conversion circuit. Highly integrated circuit makes the external resources on the chip more intensive,so that current detection can be carried out inside the circuit, so that the circuit can be better integrated. Thefront-end circuit of this project uses two-stage cascade operational amplifier and cascade tube to reduce the currenterror caused by channel length modulation effect. In 10-bit SAR ADC, the transmission gate with strong capacitivedriving ability ensures the effective accuracy of the analog-to-digital converter. Comparator module uses regenerativelatch and hysteresis comparator as basic unit to solve the difficult problem of precision measurement. This topic can beused as a small part of the embedded chip to detect the micro-current in the chip 1 mA~100 mA, the working voltageis about 1.8v, and the current detection accuracy is expected to reach the requirement of 10 uA.

    標(biāo)簽: 電流檢測(cè) 電路 運(yùn)算放大器 adc

    上傳時(shí)間: 2022-04-03

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  • 射頻功率放大器集成電路研究

    射頻功率放大器在雷達(dá)、無(wú)線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對(duì)抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用,是現(xiàn)代無(wú)線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比,射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、壽命長(zhǎng)等一系列優(yōu)點(diǎn);由于射頻功率放大器在軍事和個(gè)人通信系統(tǒng)中的地位非常重要,使得功率放大器的研制變得十分重要,因此對(duì)該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計(jì)射頻集成功率放大器的常見(jiàn)工藝有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力,但其價(jià)格昂貴,工藝一致性差;CMOS工藝的功率輸出能力不大,很難應(yīng)用于高輸出功率的場(chǎng)合;而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間,價(jià)格相對(duì)低廉并和CMOS電路兼容,非常適合于中功率應(yīng)用場(chǎng)合.本文介紹了應(yīng)用與無(wú)線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn),分別使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三種工藝.(1)由SMIC 0.18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz,采用了兩級(jí)共源共柵電路結(jié)構(gòu),在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號(hào)增益22dB左右,1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面積為1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz,分為前置推動(dòng)級(jí)和末級(jí)功率級(jí),電源電壓為3.3V,仿真結(jié)果為小信號(hào)增益28dB左右,1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大飽和輸出功率為29.5dBm,芯片面積為1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz,使用了三級(jí)功率放大器結(jié)構(gòu),在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%,芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計(jì)、仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和芯片測(cè)試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計(jì)過(guò)程,對(duì)三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對(duì)比,并通過(guò)各自的仿真結(jié)果對(duì)出現(xiàn)的問(wèn)題進(jìn)行了詳盡的分析。

    標(biāo)簽: 射頻功率放大器 集成電路

    上傳時(shí)間: 2022-06-20

    上傳用戶:shjgzh

  • 場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路的動(dòng)態(tài)分析

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路的動(dòng)態(tài)分析   共源組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析   共漏組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析

    標(biāo)簽: 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 動(dòng)態(tài)分析 放大電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-30

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  • CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

    圖7.18所示的是一個(gè)電容性負(fù)載的兩級(jí)CMOS基本差分運(yùn)算放大器,其中,Part1為運(yùn)算放大器的電流鏡偏置電路;Part2為運(yùn)算放大器的第一級(jí)放大器;Part3為運(yùn)算放大器的第二級(jí)放大器。第一級(jí)放大器為標(biāo)準(zhǔn)基本差分運(yùn)算放大器,第二級(jí)放大器為PMOS管作為負(fù)載的NMOS共源放大器

    標(biāo)簽: CMOS 運(yùn)算 放大器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2016-06-16

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  • LED_取碼.rar

    八段數(shù)碼管的段碼選取,有共陰共陽(yáng),有無(wú)小數(shù)點(diǎn)的選擇

    標(biāo)簽: LED

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    上傳用戶:杏簾在望

  • Arduino學(xué)習(xí)筆記A10_Arduino數(shù)碼管骰子實(shí)驗(yàn)

    電路連接 由于數(shù)碼管品種多樣,還有共陰共陽(yáng)的,下面我們使用一個(gè)數(shù)碼管段碼生成器(在文章結(jié)尾) 去解決不同數(shù)碼管的問(wèn)題: 本例作者利用手頭現(xiàn)有的一位不知品牌的共陽(yáng)數(shù)碼管:型號(hào)D5611 A/B,在Eagle 找了一個(gè) 類(lèi)似的型號(hào)SA56-11,引腳功能一樣可以直接代換。所以下面電路圖使用SA56-11 做引腳說(shuō)明。 注意: 1. 將數(shù)碼管的a~g 段,分別接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的數(shù)碼管未知的話,可以通過(guò)通電測(cè)量它哪個(gè)引腳對(duì)應(yīng)哪個(gè)字段,然后找出a~g 即可。 2. 分清共陰還是共陽(yáng)。共陰的話,接220Ω電阻到電源負(fù)極;共陽(yáng)的話,接220Ω電阻到電源+5v。 3. 220Ω電阻視數(shù)碼管實(shí)際工作亮度與手頭現(xiàn)有原件而定,不一定需要準(zhǔn)確。 4. 按下按鈕即停。   源代碼 由于我是按照段碼生成器默認(rèn)接法接的,所以不用修改段碼生成器了,直接在段碼生成器選擇共陽(yáng)極,再按“自動(dòng)”生成數(shù)組就搞定。   下面是源代碼,由于偷懶不用寫(xiě)循環(huán),使用了部分AVR 語(yǔ)句。 PORTD 這個(gè)是AVR 的端口輸出控制語(yǔ)句,8 位對(duì)應(yīng)D7~D0,PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高電平。 PORTD = a;就是找出相應(yīng)的段碼輸出到D7~D0。 DDRD 這個(gè)是AVR 語(yǔ)句中控制引腳作為輸出/輸入的語(yǔ)句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作為輸出腳了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 單數(shù)碼管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定義段碼表,表中十個(gè)元素由LED 段碼生成器生成,選擇了共陽(yáng)極。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定義PortD 的低七位全部用作輸出使用。即0xFF=B11111111對(duì) 應(yīng)D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用來(lái)做骰子暫停的開(kāi)關(guān) } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //將段碼輸出PortD 的低7位,即Arduino 的引腳D0~D6,這樣需要取出PORTD 最高位,即 D7的狀態(tài),與段碼相加,之后再輸出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延時(shí)50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引腳高電平,則在此死循環(huán),暫停LED 跑 動(dòng) } }      

    標(biāo)簽: Arduino 10 數(shù)碼管 實(shí)驗(yàn)

    上傳時(shí)間: 2013-10-15

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  • 組合放大電路基礎(chǔ)知識(shí)

      共射—共基放大電路   共集—共集放大電路

    標(biāo)簽: 組合 放大電路 基礎(chǔ)知識(shí)

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