文中設(shè)計研制了一種新型的基于仿射變換模型的實時圖像跟蹤系統(tǒng)。本跟蹤系統(tǒng)已經(jīng)通過實踐檢驗,能夠穩(wěn)定的、準(zhǔn)確的、快速的跟蹤目標(biāo)。并且系統(tǒng)有很大的升級潛力,除了能夠滿足仿射變換跟蹤的要求之外,還能適用于其他的一些算法,構(gòu)成魯棒性更強的圖像跟蹤系統(tǒng)。實踐證明該跟蹤系統(tǒng)性能優(yōu)于經(jīng)典的相關(guān)跟蹤系統(tǒng)。
標(biāo)簽: 仿射變換 模型 圖像跟蹤系統(tǒng)
上傳時間: 2013-10-12
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為了提高圖像去噪效果,提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先將待去噪圖像進行循環(huán)平移,使用Contourlet域HMT模型對平移后的圖像進行降噪處理,然后將降噪后的圖像進行循環(huán)反平移,最后將不同循環(huán)平移量下的降噪圖像進行平均處理,以減少去噪后圖像的失真。實驗結(jié)果表明,該方法不僅可以提高降噪后圖像峰值信噪比,而且可以提高降噪后圖像的視覺效果。
標(biāo)簽: Contourlet Spinning Cycle HMT
上傳時間: 2014-12-23
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整流濾波電路是直流穩(wěn)壓電源設(shè)備中常用電路,其中濾波電容的設(shè)計選取,直接影響到紋波電壓的大小,關(guān)系到輸出直流電壓的質(zhì)量。本文通過在設(shè)定條件下,依據(jù)整流濾波電路原理,闡述了紋波電壓產(chǎn)生的過程,給出了一種濾波電容設(shè)計與選取計算方法,建立了電容選取的計算模型,描繪出了紋波電壓、負(fù)載電阻與濾波電容之間關(guān)系曲線,并通過實驗驗證其科學(xué)性,有利于濾波電容的設(shè)計與選用。
標(biāo)簽: 整流濾波 電容 方法研究
上傳時間: 2013-11-11
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主要介紹場效應(yīng)管H參數(shù)的模型
標(biāo)簽: 場效應(yīng)管 h參數(shù) 等效模型
上傳時間: 2014-01-09
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本文依據(jù)微波電磁場理論概述了微帶鐵氧體器件在毫米波頻率下的工作模式, 探討了毫米波微帶鐵氧體器件的電參數(shù)的設(shè)計考慮, 對從事毫米波微帶鐵氧體器件的研究, 提供了基本的設(shè)計模型, 以期引起進一步的探討。
標(biāo)簽: 亳米波 微帶環(huán)行器 模型
上傳時間: 2013-10-07
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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間: 2013-10-31
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采用三維泊松方程和二維薛定諤方程自洽求解方法,建立量子點接觸器件(QPC)內(nèi)的電勢分布和二維電子氣層的電子密度分布的準(zhǔn)三維模型及模擬方法,并將模擬結(jié)果與傳統(tǒng)的Buttiker鞍型電勢分布進行比較。
標(biāo)簽: 量子點 接觸器 電勢 數(shù)值
上傳時間: 2013-10-18
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走線寬度電流關(guān)系對照表
標(biāo)簽: 走線 寬 電流 對照表
上傳時間: 2014-01-08
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PCB線寬過孔與電流關(guān)系
標(biāo)簽: PCB 寬 過孔 電流
上傳時間: 2013-11-07
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PCB線寬和電流關(guān)系公式 先計算Track的截面積,大部分PCB的銅箔厚度為35um(即 1oz)它乘上線寬就是截面積,注意換算成平方毫米。 有一個電流密度經(jīng)驗值,為15~25安培/平方毫米。把它稱上截面積就得到通流容量。 I=KT(0.44)A(0.75), 括號里面是指數(shù), K為修正系數(shù),一般覆銅線在內(nèi)層時取0.024,在外層時取0.048 T為最大溫升,單位為攝氏度(銅的熔點是1060℃) A為覆銅截面積,單位為square mil. I為容許的最大電流,單位為安培。 一般 10mil=0.010inch=0.254mm 1A , 250mil=6.35mm 8.3A ?倍數(shù)關(guān)系,與公式不符 ?
標(biāo)簽: PCB 寬 電流
上傳時間: 2013-10-11
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