?? 擊穿技術資料

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提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化，結果表明，在保證LDMOS器件參數不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。 ...

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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意...

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電磁爐燒壞IGBT 功率管的八種因素在電磁爐維修中，功率管的損壞占有相當大的比例，若在沒有查明故障原因的情況下貿然更換功率管會引起再次燒毀。一：諧振電容和濾波電容損壞0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容損壞或容量不足若0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電...

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隨著電力電子技術的發展，高壓換流設備在工業應用中日益廣泛。其核心元件晶閘管（SCR）的電壓與電流越來越高（已達到10KV/10KA以上），應用場合要求也越來越高。在國際上，晶閘管的光控技術發展日益成熟。根據對國內晶閘管技術發展前景和需求的展望，本文采用自供電驅動技術與光控技術相結合，研發光控自供電晶...

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