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功率開(kāi)關(guān)器件

  • WCDMA系統功率控制與發射分集算法FPGA實現研究

    該文為WCDMA系統功率控制環路與閉環發射分集算法FPGA實現研究.主要內容包括功率控制算法與閉環發射分集算法的分析與討論,在分析討論的基礎上進行了FPGA實現方案的設計以及系統的實現.另外在文中還介紹了可編程器件方面的常識、FPGA的設計流程以及同步電路設計方面的有關技術.

    標簽: WCDMA FPGA 功率控制

    上傳時間: 2013-05-18

    上傳用戶:shinnsiaolin

  • 可編程邏輯器件是一種可以通過編程

    可編程邏輯器件是一種可以通過編程,改變系統連線,達到系統重構的器件,該器件\\\\\\\\r\\\\\\\\n可以現場編程,就是說當該器件安裝到電路板上后,可以對它的功能進行重新設置,這樣\\\\\\\\r\\\\\\\\n就可以非常方便的進行數字系統的設計與制作

    標簽: 可編程邏輯器件 編程

    上傳時間: 2013-08-10

    上傳用戶:stella2015

  • LCD CPLD(復雜可編程邏輯器件)

    LCD 因其輕薄短小,低功耗,無輻射,平面直角顯示,以及影像穩定等特點,當今應用非常廣泛。CPLD(復雜可編程邏輯器件) 是一種具有豐富可編程功能引腳的可編程邏輯器件,不僅可實現常規的邏輯器件功能,還可以實現復雜而獨特的時序邏輯功能。并且具有ISP (在線可編\\r\\n程) [1 ] 功能,便于進行系統設計和現場對系統進行功能修改、調試、升級。通常CPLD 芯片都有著上萬次的重寫次數,即用CPLD[ 2 ] 進行硬件設計,就像軟件設計一樣靈活、方便。而現今LCD的控制大都采用

    標簽: CPLD LCD 可編程邏輯器件

    上傳時間: 2013-08-16

    上傳用戶:zhliu007

  • Proteus 是目前最好的模擬單片機外圍器件的工具

    Proteus 是目前最好的模擬單片機外圍器件的工具,真的很不錯。可以仿真51 系列、AVR,PIC 等常用的MCU 及其外\\r\\n圍電路(如LCD,RAM,ROM,鍵盤,馬達,LED,AD/DA,部分SPI 器件,部分IIC 器件,...)

    標簽: Proteus 模擬 單片機 外圍器件

    上傳時間: 2013-08-20

    上傳用戶:吾學吾舞

  • 可編程邏輯器件的開發與應用實驗教學大綱

    可編程邏輯器件的開發與應用實驗教學大綱\r\n本課程是高等院校電氣、信息、通信類專業的一門技術基礎課。通過本課程的學習,使學生獲得數字系統設計和可編程邏輯器件方面的基本概念、基本知識和基本技能,培養他們對數字系統的分析與設計的能力,為后續課程的學習及今后的實際工作打下良好的基礎。

    標簽: 可編程邏輯器件 實驗 教學大綱

    上傳時間: 2013-08-26

    上傳用戶:shinesyh

  • protel的常用器件庫

    protel的常用器件庫\r\n protel的常用器件庫\r\nprotel的常用器件庫

    標簽: protel 常用器件

    上傳時間: 2013-09-19

    上傳用戶:奔跑的雪糕

  • 大功率固態高功放功率合成失效分析

    功率合成器是大功率固態高功放的重要組成器件。應用散射參數原理對功率合成器的合成效率進行了研究,對一路或者幾路功率合成器輸入失效時的合成效率進行了分析,并在某型大功率固態高功放功率合成器中進行了驗證。

    標簽: 大功率 功率 合成 高功放

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:nem567397

  • 汽車防撞雷達系統功率放大器仿真設計

    設計了用于汽車防撞雷達的功率放大器,為了消除在K波段的寄生效應的影響,設計了直流偏置、輸入輸出匹配網絡、耦合隔直和電源濾波的微帶網絡。通過ADS仿真,得到了噪聲系數為2.33,最大輸出功率為18.5 dBm,增益為8.5 dB的功率放大器。文中設計的功率放大器適用于FMCW雷達系統。

    標簽: 汽車防撞 功率放大器 仿真設計 雷達系統

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:bpgfl

  • CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。

    標簽: CoolMOS VDMOS 導通電阻

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:1427796291

  • 功率MOSFET驅動保護電路方案

    分析了對功率MOSFET器件的設計要求;設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單,實用性強,響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實際應用證明,該電路驅動能力及保護功能效果良好。

    標簽: MOSFET 功率 驅動保護電路 方案

    上傳時間: 2014-01-25

    上傳用戶:hz07104032

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