為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
標簽：
CoolMOS
VDMOS
導通電阻
分
上傳時間：
2013-10-21
上傳用戶：1427796291
PCB Layout Rule Rev1.70, 規範內容如附件所示, 其中分為:
(1) ”PCB LAYOUT 基本規範”:為R&D Layout時必須遵守的事項, 否則SMT,DIP,裁板時無法生產.
(2) “錫偷LAYOUT RULE建議規範”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球.
(3) “PCB LAYOUT 建議規範”:為製造單位為提高量產良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout.
(4) ”零件選用建議規範”: Connector零件在未來應用逐漸廣泛, 又是SMT生產時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.
標簽：
LAYOUT
PCB
設計規范
上傳時間：
2013-10-28
上傳用戶：zhtzht
