為有效控制固態(tài)功率調(diào)制設(shè)備,提高系統(tǒng)的可調(diào)性和穩(wěn)定性,介紹了一種基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列( FPGA)和微控制器(MCU) 的多路高壓IGBT 驅(qū)動(dòng)觸發(fā)器的設(shè)計(jì)方法和實(shí)現(xiàn)電路。該觸發(fā)器可選擇內(nèi)或外觸發(fā)信號(hào),可遙控或本控,能產(chǎn)生多路頻率、寬度和延時(shí)獨(dú)立可調(diào)的脈沖信號(hào),信號(hào)的輸入輸出和傳輸都使用光纖。將該觸發(fā)器用于高壓IGBT(3300 V/ 800 A) 感應(yīng)疊加脈沖發(fā)生器中進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)試,給出了實(shí)驗(yàn)波形。結(jié)果表明,該多路高壓IGBT驅(qū)動(dòng)觸發(fā)器輸出脈沖信號(hào)達(dá)到了較高的調(diào)整精度,頻寬’脈寬及延時(shí)可分別以步進(jìn)1 Hz、0. 1μs、0. 1μs 進(jìn)行調(diào)整,滿足了脈沖發(fā)生器的要求,提高了脈沖功率調(diào)制系統(tǒng)的性能。
標(biāo)簽： FPGA IGBT 多路 驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2013-10-17
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高速串并轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)是FPGA 設(shè)計(jì)的一個(gè)重要方面,傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法由于采用FPGA 的內(nèi)部邏輯資源來實(shí)現(xiàn),從而限制了串并轉(zhuǎn)換的速度。該研究以網(wǎng)絡(luò)交換調(diào)度系統(tǒng)的FGPA 驗(yàn)證平臺(tái)中多路高速串并轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)為例,詳細(xì)闡述了1 :8DDR 模式下高速串并轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)方法和16 路1 :8 串并轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)。結(jié)果表明,采用Xilinx Virtex24 的ISERDES 設(shè)計(jì)的多路串并轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)800 Mbit/ s 輸入信號(hào)的串并轉(zhuǎn)換,并且減少了設(shè)計(jì)復(fù)雜度,縮短了開發(fā)周期,能滿足設(shè)計(jì)要求。關(guān)鍵詞:串并轉(zhuǎn)換;現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯陣列;Xilinx ; ISERDES
標(biāo)簽： FPGA 多路 串并轉(zhuǎn)換
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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本文利用Verilog HDL 語言自頂向下的設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)多功能數(shù)字鐘，突出了其作為硬件描述語言的良好的可讀性、可移植性和易理解等優(yōu)點(diǎn)，并通過Altera QuartusⅡ 4.1 和ModelSim SE 6.0 完成綜合、仿真。此程序通過下載到FPGA 芯片后，可應(yīng)用于實(shí)際的數(shù)字鐘顯示中。 關(guān)鍵詞：Verilog HDL；硬件描述語言；FPGA Abstract: In this paper, the process of designing multifunctional digital clock by the Verilog HDL top-down design method is presented, which has shown the readability, portability and easily understanding of Verilog HDL as a hard description language. Circuit synthesis and simulation are performed by Altera QuartusⅡ 4.1 and ModelSim SE 6.0. The program can be used in the truly digital clock display by downloading to the FPGA chip. Keywords: Verilog HDL；hardware description language；FPGA
標(biāo)簽： Verilog HDL 多功能 數(shù)字
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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根據(jù)半實(shí)物仿真的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，本文提出了基于半實(shí)物仿真系統(tǒng)的多假目標(biāo)航跡欺騙研究的優(yōu)勢(shì)和價(jià)值。然后從實(shí)現(xiàn)多假目標(biāo)航跡欺騙的必要條件、航跡欺騙產(chǎn)生的原理、多假目標(biāo)欺騙的參數(shù)匹配、多目標(biāo)欺騙航跡的數(shù)據(jù)預(yù)算4個(gè)方面詳細(xì)闡述了多假目標(biāo)航跡欺騙原理，以及對(duì)半實(shí)物仿真系統(tǒng)的組成、軟硬件設(shè)計(jì)特點(diǎn)進(jìn)行了介紹，最后通過半實(shí)物仿真系統(tǒng)驗(yàn)證了兩批假目標(biāo)預(yù)定航跡的真實(shí)性和置信度，結(jié)果證明這種方式對(duì)研究多假目標(biāo)航跡欺騙技術(shù)和戰(zhàn)術(shù)應(yīng)用的可行性和有效性。
標(biāo)簽： 半實(shí)物仿真
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)---多路溫度采集監(jiān)控系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 多路 溫度采集監(jiān)控系統(tǒng) 硬件設(shè)計(jì)
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上傳用戶：氣溫達(dá)上千萬的
一種快速查詢多點(diǎn)DS18B20溫度的方法
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自適應(yīng)多速率AMR技術(shù)剖析 自適應(yīng)多速率AMR技術(shù)剖析
標(biāo)簽： AMR 自適應(yīng)多速率
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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多電平PWM控制技術(shù)是多電平變換器的核心內(nèi)容，多電平PWM控制方法一般有多電平載波PWM控制方法，多電平空間矢量PWM控制方法，以及其他的優(yōu)化PWM控制方法，本文對(duì)已有的多電平PWM控制方法進(jìn)行了歸納和分析。
上傳時(shí)間： 2013-10-29
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