飛思卡爾MC9S08AW60是一款高性能的微控制器遙評(píng)估板包含最小系統(tǒng),寫入調(diào)試接口,串行通信接口與擴(kuò)展板連接的擴(kuò)展插口介紹最小系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)及軟 件調(diào)試并給出軟件程序設(shè)計(jì)思想主體流程
上傳時(shí)間： 2013-12-24
上傳用戶：hasan2015
摘要：文章闡述了8031單片機(jī)較小系統(tǒng)的制作原理,系統(tǒng)分析了單片機(jī)較小系統(tǒng)是否正常工作的檢測(cè)方法，說明制作該單片機(jī)較小系統(tǒng)的實(shí)際意義．關(guān)鍵詞：8031單片機(jī)：2764程序存儲(chǔ)器；LED顯示器:12M晶體振蕩器
標(biāo)簽： 8031 單片機(jī) 小系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：herog3
摘要：隨著電子技術(shù)的發(fā)展，鎳鎘和鎳氫等充電電池的使用愈來愈多，購買和使用充電電池時(shí)，電池容量(Ah)成為人們關(guān)注的指標(biāo).本文采用一種基于AT89C2051單片機(jī)制作的電池容量測(cè)試電路，可對(duì)鎳鎘和鎳氫等充電電池的容量進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，并以數(shù)字形式顯示其測(cè)試結(jié)果，測(cè)量范圍為0.01—9.99Ah.分析了電路硬件與軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，具有一定的實(shí)用價(jià)值.關(guān)鍵詞：電池容量；單片機(jī)；硬件；軟件
標(biāo)簽： 單片機(jī)控制 充電電池 容量測(cè)試 電路
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：wsf950131
當(dāng)前，USB接口技術(shù)的應(yīng)用已十分成熟和普遍，尤其是已FLASH作為存儲(chǔ)介質(zhì)的U盤更是帶動(dòng)了一個(gè)IT行業(yè)新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。在整個(gè)IT經(jīng)濟(jì)相對(duì)低迷的情況下，U盤能脫身而出，獨(dú)秀一枝，主要?dú)w功于其把握了好的行業(yè)方向：USB接口技術(shù)高速、穩(wěn)定、即插即用，注定了是未來接口技術(shù)的主流；FLASH存儲(chǔ)媒體穩(wěn)定、可靠是新一代移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的首選。但美中缺憾的是現(xiàn)在的U盤都只能在PC上使用，許多其它需要直接進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和交換的地方卻不能直接使用U盤。如數(shù)據(jù)采集和工控行業(yè)中諸多設(shè)備都還是利用軟磁盤，以太網(wǎng)等方式。軟盤穩(wěn)定性差，容量小，以太網(wǎng)成本太高，移動(dòng)性不好。所以要在工控和嵌入式行業(yè)中實(shí)現(xiàn)對(duì)U盤的讀寫是一件非常有意義和前景的事情。本開發(fā)板就是在傳統(tǒng)的單片機(jī)單片機(jī)實(shí)現(xiàn)了對(duì)U盤的讀寫。本開發(fā)板的核心技術(shù)是USBHOST的實(shí)現(xiàn)，包括USB批量傳輸、海量存儲(chǔ)、文件系統(tǒng)等協(xié)議內(nèi)容較多，協(xié)議復(fù)雜，開發(fā)難度比較高。開發(fā)板的對(duì)象主要是面對(duì)二次開發(fā)和USB初步學(xué)習(xí)的朋友，提供所有硬件，源代碼，開發(fā)文檔和調(diào)試軟件。使大家最快掌握這一核心技術(shù)，進(jìn)入U(xiǎn)SB技術(shù)的天堂。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 讀寫U盤 開發(fā)板
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：jx_wwq
單片機(jī)小精靈工具下載
標(biāo)簽： 單片機(jī)小精靈
上傳時(shí)間： 2013-10-29
上傳用戶：AbuGe
用C18編譯器進(jìn)行Microwire串行EEPROM與PIC18單片機(jī)的接口設(shè)計(jì) AN1004中文資料 目前市場(chǎng)上有許多種單片機(jī)用在嵌入式控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，這些嵌入式控制系統(tǒng)中的很大一部分都要用到非易失性存儲(chǔ)器。由于串行EEPROM 具有封裝尺寸小，存儲(chǔ)容量靈活，對(duì)I/O 引腳要求低，和低功耗低成本等特點(diǎn)，已成為非易失性存儲(chǔ)器的首選。 為了滿足市場(chǎng)需求， Microchip Technology 已經(jīng)推出了一整套符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行EEPROM，覆蓋了2 線式（I2C™）、3 線式（Microwire）和SPI 通信標(biāo)準(zhǔn)，并提供了不同的存儲(chǔ)容量、工作電壓范圍和封裝形式。
標(biāo)簽： Microwire EEPROM C18 PIC
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：crazyer
SDRAM的原理和時(shí)序 SDRAM內(nèi)存模組與基本結(jié)構(gòu) 我們平時(shí)看到的SDRAM都是以模組形式出現(xiàn)，為什么要做成這種形式呢？這首先要接觸到兩個(gè)概念：物理Bank與芯片位寬。1、 物理Bank 傳統(tǒng)內(nèi)存系統(tǒng)為了保證CPU的正常工作，必須一次傳輸完CPU在一個(gè)傳輸周期內(nèi)所需要的數(shù)據(jù)。而CPU在一個(gè)傳輸周期能接受的數(shù) 據(jù)容量就是CPU數(shù)據(jù)總線的位寬，單位是bit（位）。當(dāng)時(shí)控制內(nèi)存與CPU之間數(shù)據(jù)交換的北橋芯片也因此將內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)位寬 等同于CPU數(shù)據(jù)總線的位寬，而這個(gè)位寬就稱之為物理Bank（Physical Bank，下文簡(jiǎn)稱P-Bank）的位寬。所以，那時(shí)的內(nèi)存必須要組織成P-Bank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應(yīng)該還記 得Pentium剛上市時(shí)，需要兩條72pin的SIMM才能啟動(dòng)，因?yàn)橐粭l72pin -SIMM只能提供32bit的位寬，不能滿足Pentium的64bit數(shù)據(jù)總線的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一條內(nèi)存開機(jī)。不過要強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，P-Bank是SDRAM及以前傳統(tǒng)內(nèi)存家族的特有概念，RDRAM中將以通道（Channel）取代，而對(duì) 于像Intel E7500那樣的并發(fā)式多通道DDR系統(tǒng)，傳統(tǒng)的P-Bank概念也不適用。2、 芯片位寬 上文已經(jīng)講到SDRAM內(nèi)存系統(tǒng)必須要組成一個(gè)P-Bank的位寬，才能使CPU正常工作，那么這個(gè)P-Bank位寬怎么得到呢 ？這就涉及到了內(nèi)存芯片的結(jié)構(gòu)。 每個(gè)內(nèi)存芯片也有自己的位寬，即每個(gè)傳輸周期能提供的數(shù)據(jù)量。理論上，完全可以做出一個(gè)位寬為64bit的芯片來滿足P-Ban k的需要，但這對(duì)技術(shù)的要求很高，在成本和實(shí)用性方面也都處于劣勢(shì)。所以芯片的位寬一般都較小。臺(tái)式機(jī)市場(chǎng)所用的SDRAM芯片 位寬最高也就是16bit，常見的則是8bit。這樣，為了組成P-Bank所需的位寬，就需要多顆芯片并聯(lián)工作。對(duì)于16bi t芯片，需要4顆（4×16bit=64bit）。對(duì)于8bit芯片，則就需要8顆了。以上就是芯片位寬、芯片數(shù)量與P-Bank的關(guān)系。P-Bank其實(shí)就是一組內(nèi)存芯片的集合，這個(gè)集合的容量不限，但這個(gè)集合的 總位寬必須與CPU數(shù)據(jù)位寬相符。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用的發(fā)展，
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶：zhuimenghuadie
PIC單片機(jī)實(shí)用教程基礎(chǔ)篇+提高篇 PIC單片機(jī)（Peripheral Interface Controller）是一種用來開發(fā)的去控制外圍設(shè)備的集成電路（IC）。一種具有分散作用（多任務(wù)）功能的CPU。與人類相比，大腦就是CPU，PIC 共享的部分相當(dāng)于人的神經(jīng)系統(tǒng)。 PIC 單片機(jī)是一個(gè)小的計(jì)算機(jī) PIC單片機(jī)有計(jì)算功能和記憶內(nèi)存像CPU并由軟件控制允行。然而，處理能力—存儲(chǔ)器容量卻很有限，這取決于PIC的類型。但是它們的最高操作頻率大約都在20MHz左右，存儲(chǔ)器容量用做寫程序的大約1K—4K字節(jié)。 時(shí)鐘頻率與掃描程序的時(shí)間和執(zhí)行程序指令的時(shí)間有關(guān)系。但不能僅以時(shí)鐘頻率來判斷程序處理能力，它還隨處理裝置的體系結(jié)構(gòu)改變（1*）。如果是同樣的體系結(jié)構(gòu)，時(shí)鐘頻率較高的處理能力會(huì)較強(qiáng)。 這里用字來解釋程序容量。用一個(gè)指令（2*）表示一個(gè)字。通常用字節(jié)（3*）來表示存儲(chǔ)器（4*）容量。一個(gè)字節(jié)有8位，每位由1或0組成。PIC16F84A單片機(jī) 的指令由14位構(gòu)成。當(dāng)把1K個(gè)子轉(zhuǎn)換成位為：1 x 1,024 x 14 = 14,336位。再轉(zhuǎn)換為字節(jié)為：14,336/(8 x 1,024) = 1.75K。在計(jì)算存儲(chǔ)器的容量時(shí)，我們規(guī)定 1G 字節(jié) = 1,024M 字節(jié), 1M 字節(jié) = 1,024K 字節(jié), 1K 字節(jié)= 1,024 字節(jié). 它們不是以1000為倍數(shù)，因?yàn)檫@是用二進(jìn)制計(jì)算的緣故。 1*計(jì)算機(jī)的物理結(jié)構(gòu),包括組織結(jié)構(gòu)、容量、該計(jì)算機(jī)的CPU、存儲(chǔ)器以及輸入輸出設(shè)備間的互連。經(jīng)常特指CPU的組織結(jié)構(gòu),包括它的寄存器、標(biāo)志、總線、算術(shù)邏輯部件、指令譯碼與執(zhí)行機(jī)制以及定時(shí)和控制部件。 2*指出某種操作并標(biāo)識(shí)其操作數(shù)(如果有操作數(shù)的話)的一種語言構(gòu)造 3*作為一個(gè)單位來操作(運(yùn)算)的一個(gè)二進(jìn)制字符串,通常比計(jì)算機(jī)的一個(gè)字短。 4*處理機(jī)內(nèi)的所有可尋址存儲(chǔ)空間以及用于執(zhí)行指令的其它內(nèi)存儲(chǔ)器。 在計(jì)算存儲(chǔ)器的容量時(shí)，我們規(guī)定 1G 字節(jié) = 1,024M 字節(jié), 1M 字節(jié) = 1,024K 字節(jié), 1K 字節(jié)= 1,024 字節(jié). 它們不是以1000為倍數(shù)，因?yàn)檫@是用二進(jìn)制計(jì)算的緣故。 用PIC單片機(jī)使電路做的很小巧變得可能。 因?yàn)镻IC單片機(jī)可以把計(jì)算部分、內(nèi)存、輸入和輸出等都做在一個(gè)芯片內(nèi)。所以她工作起來效率很高、功能也自由定義還可以靈活的適應(yīng)不同的控制要求，而不必去更換不同的IC。這樣電路才有可能做的很小巧。
標(biāo)簽： PIC 單片機(jī) 實(shí)用教程
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：sxdtlqqjl
目前市場(chǎng)上有許多種單片機(jī)用在嵌入式控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，這些嵌入式控制系統(tǒng)中的很大一部分都要用到非易失性存儲(chǔ)器。由于串行EEPROM 具有封裝尺寸小，存儲(chǔ)容量靈活，對(duì)I/O 引腳要求低，和低功耗低成本等特點(diǎn)，已成為非易失性存儲(chǔ)器的首選。
標(biāo)簽： PICmicro EEPROM SPI 串行
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：invtnewer
用單片機(jī)AT89C51改造普通雙桶洗衣機(jī)：AT89C2051作為AT89C51的簡(jiǎn)化版雖然去掉了P0、P2等端口，使I/O口減少了，但是卻增加了一個(gè)電壓比較器，因此其功能在某些方面反而有所增強(qiáng)，如能用來處理模擬量、進(jìn)行簡(jiǎn)單的模數(shù)轉(zhuǎn)換等。本文利用這一功能設(shè)計(jì)了一個(gè)數(shù)字電容表，可測(cè)量容量小于2微法的電容器的容量，采用3位半數(shù)字顯示，最大顯示值為1999，讀數(shù)單位統(tǒng)一采用毫微法（nf），量程分四檔，讀數(shù)分別乘以相應(yīng)的倍率。電路工作原理 本數(shù)字電容表以電容器的充電規(guī)律作為測(cè)量依據(jù)，測(cè)試原理見圖1。電源電路圖。 壓E+經(jīng)電阻R給被測(cè)電容CX充電，CX兩端原電壓隨充電時(shí)間的增加而上升。當(dāng)充電時(shí)間t等于RC時(shí)間常數(shù)τ時(shí)，CX兩端電壓約為電源電壓的63.2%，即0.632E+。數(shù)字電容表就是以該電壓作為測(cè)試基準(zhǔn)電壓，測(cè)量電容器充電達(dá)到該電壓的時(shí)間，便能知道電容器的容量。例如，設(shè)電阻R的阻值為1千歐，CX兩端電壓上升到0.632E+所需的時(shí)間為1毫秒，那么由公式τ=RC可知CX的容量為1微法。 測(cè)量電路如圖2所示。A為AT89C2051內(nèi)部構(gòu)造的電壓比較器，AT89C2051 圖2 的P1.0和P1.1口除了作I/O口外，還有一個(gè)功能是作為電壓比較器的輸入端，P1.0為同相輸入端，P1.1為反相輸入端，電壓比較器的比較結(jié)果存入P3.6口對(duì)應(yīng)的寄存器，P3.6口在AT89C2051外部無引腳。電壓比較器的基準(zhǔn)電壓設(shè)定為0.632E+，在CX兩端電壓從0升到0.632E+的過程中，P3.6口輸出為0，當(dāng)電池電壓CX兩端電壓一旦超過0.632E+時(shí)，P3.6口輸出變?yōu)?。以P3.6口的輸出電平為依據(jù)，用AT89C2051內(nèi)部的定時(shí)器T0對(duì)充電時(shí)間進(jìn)行計(jì)數(shù)，再將計(jì)數(shù)結(jié)果顯示出來即得出測(cè)量結(jié)果。整機(jī)電路見圖3。電路由單片機(jī)電路、電容充電測(cè)量電路和數(shù)碼顯示電路等 圖3 部分組成。AT89C2051內(nèi)部的電壓比較器和電阻R2-R7等組成測(cè)量電路，其中R2-R5為量程電阻，由波段開關(guān)S1選擇使用，電壓比較器的基準(zhǔn)電壓由5V電源電壓經(jīng)R6、RP1、R7分壓后得到，調(diào)節(jié)RP1可調(diào)整基準(zhǔn)電壓。當(dāng)P1.2口在程序的控制下輸出高電平時(shí)，電容CX即開始充電。量程電阻R2-R5每檔以10倍遞減，故每檔顯示讀數(shù)以10倍遞增。由于單片機(jī)內(nèi)部P1.2口的上拉電阻經(jīng)實(shí)測(cè)約為200K，其輸出電平不能作為充電電壓用，故用R5兼作其上拉電阻，由于其它三個(gè)充電電阻和R5是串聯(lián)關(guān)系，因此R2、R3、R4應(yīng)由標(biāo)準(zhǔn)值減去1K，分別為999K、99K、9K。由于999K和1M相對(duì)誤差較小，所以R2還是取1M。數(shù)碼管DS1-DS4、電阻R8-R14等組成數(shù)碼顯示電路。本機(jī)采用動(dòng)態(tài)掃描顯示的方式，用軟件對(duì)字形碼譯碼。P3.0-P3.5、P3.7口作數(shù)碼顯示七段筆劃字形碼的輸出，P1.3-P1.6口作四個(gè)數(shù)碼管的動(dòng)態(tài)掃描位驅(qū)動(dòng)碼輸出。這里采用了共陰數(shù)碼管，由于AT89C2051的P1.3-P1.6口有25mA的下拉電流能力，所以不用三極管就能驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管。R8-R14為P3.0-P3.5、P3.7口的上拉電阻，用以驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管的各字段，當(dāng)P3的某一端口輸出低電平時(shí)其對(duì)應(yīng)的字段筆劃不點(diǎn)亮，而當(dāng)其輸出高電平時(shí)，則對(duì)應(yīng)的上拉電阻即能點(diǎn)亮相應(yīng)的字段筆劃。
上傳時(shí)間： 2013-12-31
上傳用戶：ming529
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
