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微電子所

  • TDSCDMA頻點(diǎn)拉遠(yuǎn)系統(tǒng)的FPGA設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    隨著TD—SCDMA技術(shù)的不斷發(fā)展,TD—SCDMA系統(tǒng)產(chǎn)品也逐步成熟并隨之完善。產(chǎn)品家族日益豐富,室內(nèi)型宏基站、室外型宏基站、分布式基站(BBU+RRU)、微基站等系列化基站產(chǎn)品逐步問世,可以滿足不同場景的建網(wǎng)需求。而分布式基站(BBU+RRU)越來越多地受到業(yè)界的關(guān)注和重視。 本文主要從TD—SCDMA頻點(diǎn)拉遠(yuǎn)系統(tǒng)(RRU)和軟件無線電技術(shù)的發(fā)展入手,重點(diǎn)研究TD—SCDMA頻點(diǎn)拉遠(yuǎn)系統(tǒng)的FPGA設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。TD—SCDMA通信系統(tǒng)通過靈活分配不同的上下行時(shí)隙,實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)的不對稱性,但是多路數(shù)字中頻所構(gòu)成的系統(tǒng)成本高和控制的復(fù)雜性,以及TDD雙工模式下,系統(tǒng)的峰均比隨時(shí)隙數(shù)增加而增加,對整個(gè)頻點(diǎn)拉遠(yuǎn)系統(tǒng)的前端放大器線性輸入提出了很高的要求。TD—SCDMA系統(tǒng)使用軟件無線電平臺,一方面軟件算法可以有效保證時(shí)隙分配的準(zhǔn)確性,保證對前端控制器的開關(guān)控制,以及對上下行功率讀取計(jì)算和子幀的靈活提取,另一方面靈活的DUC/CFR算法可以有效的提高頻帶利用率和抗干擾能力,有效的控制TDD系統(tǒng)的峰均比,有效降低系統(tǒng)對前端放大器線性輸出能力的要求。 本文主要研究軟件無線電中DUC和CFR的關(guān)鍵技術(shù)以及FPGA實(shí)現(xiàn),DUC主要由3倍FIR內(nèi)插成型濾波器、2倍插值補(bǔ)償濾波器以及5級CIC濾波器級聯(lián)組成;而CFR主要采用類似基帶削峰的加窗濾波的中頻削峰算法,可以降低相鄰信道的溢出,更有效的降低CF值。將DUC/CFR以單片F(xiàn)PGA實(shí)現(xiàn),能很好提高RRU性能,減少其硬件結(jié)構(gòu),降低成本,降低功耗,增加外部環(huán)境的穩(wěn)定性。

    標(biāo)簽: TDSCDMA FPGA 頻點(diǎn)

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:18752787361

  • 濾波器設(shè)計(jì)

    濾波器是一種二端口網(wǎng)絡(luò)。它具有選擇頻率的特性,即可以讓某些頻率順利通過,而對其它頻率則加以阻攔,目前由于在雷達(dá)、微波、通訊等部門,多頻率工作越來越普遍,對分隔頻率的要求也相應(yīng)提高;所以需用大量的濾波器。再則,微波固體器件的應(yīng)用對濾波器的發(fā)展也有推動(dòng)作用,像參數(shù)放大器、微波固體倍頻器、微波固體混頻器等一類器件都是多頻率工作的,都需用相應(yīng)的濾波器。更何況,隨著集成電路的迅速發(fā)展,近幾年來,電子電路的構(gòu)成完全改變了,電子設(shè)備日趨小型化。原來為處理模擬信號所不可缺少的LC型濾波器,在低頻部分,將逐漸為有源濾波器和陶瓷濾波器所替代。在高頻部分也出現(xiàn)了許多新型的濾波器,例如:螺旋振子濾波器、微帶濾波器、交指型濾波器等等。雖然它們的設(shè)計(jì)方法各有自己的特殊之點(diǎn),但是這些設(shè)計(jì)方法仍是以低頻“綜合法濾波器設(shè)計(jì)”為基礎(chǔ),再從中演變而成,我們要講的波導(dǎo)濾波器就是一例。

    標(biāo)簽: 濾波器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-08-04

    上傳用戶:eclipse

  • DN463 - 將您的微控制器ADC升級至真正的12位性能

    LTC®2366 及其較慢速的版本提供了一種高性能的替代方案,如表 1 中的 AC 規(guī)格所示。您不妨將這些有保證的規(guī)格與自己現(xiàn)用微控制器內(nèi)置的 ADC 進(jìn)行一番比較。

    標(biāo)簽: 463 ADC DN 微控制器

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶:15527161163

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 工業(yè)級微功率DC-DC電源模塊及應(yīng)用

    廣州致遠(yuǎn)電子有限公司近期推出了系列的工業(yè)級微功率DC-DC電源模塊,能夠廣泛應(yīng)用于低頻模擬電路,大功率IGBT驅(qū)動(dòng),純數(shù)字電路,模擬前端隔離電路,RS232/RS485/D422隔離通訊接口,CAN-BUS隔離通訊接口,運(yùn)算放大器電源和手持便攜儀表等多種場合。其全面性與成熟可靠的設(shè)計(jì),可以解決用戶在電源和模擬前端部分設(shè)計(jì)中所遇到的較多難題,并可以節(jié)省開發(fā)時(shí)間,使用戶的產(chǎn)品更快推出市場.

    標(biāo)簽: DC-DC 工業(yè)級 微功率 電源模塊

    上傳時(shí)間: 2013-10-17

    上傳用戶:妄想演繹師

  • LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應(yīng)用

    LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應(yīng)用 在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng),該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲。它在整個(gè)存儲器中所處的位置在最起始的位置,一般其起始地址從零開始。

    標(biāo)簽: Flash LM3S 微控制器 存儲器

    上傳時(shí)間: 2013-10-09

    上傳用戶:aix008

  • 利用LPC微控制器進(jìn)行低成本的模/數(shù)轉(zhuǎn)換 AN10187

    利用LPC微控制器進(jìn)行低成本的模/數(shù)轉(zhuǎn)換  AN10187 datasheet 要想利用數(shù)字計(jì)算機(jī)來處理連續(xù)變化的數(shù)據(jù),就必須將模擬值轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)根據(jù)不同的原理工作,其性能、效果和成本都會發(fā)生變化。某些微控制器具有能夠提供10位及更高分辨率的集成ADC,但所需的芯片面積和為了保證要求精度而進(jìn)行的全面試驗(yàn)增加了此類裝置的成本。

    標(biāo)簽: 10187 LPC AN 微控制器

    上傳時(shí)間: 2013-12-26

    上傳用戶:清山綠水

  • LPC13XX系列微控制器USB使用指南

    LPC1311/13/42/43是基于第二代ARM Cortex-M3內(nèi)核的微控制器,其系統(tǒng)性能大大提高,增強(qiáng)了調(diào)試特性,令所支持模塊的集成級別更高,其最大亮點(diǎn)在于具有極高的代碼集成度和極低的功耗。

    標(biāo)簽: LPC USB 13 XX

    上傳時(shí)間: 2014-12-27

    上傳用戶:chfanjiang

  • 改善基于微控制器的應(yīng)用的瞬態(tài)免疫性能

    家電制造業(yè)的競爭日益激烈,市場調(diào)整壓力越來越大,原始設(shè)備制造商們(OEM)為了面對這一挑戰(zhàn),必須在滿足電磁兼容性的條件下,不斷降低產(chǎn)品的成本。由于強(qiáng)調(diào)成本控制,為防止由電源和信號線的瞬變所產(chǎn)生的電器故障而實(shí)施必要的瞬態(tài)免疫保護(hù),對于家電設(shè)計(jì)者來說變得更具挑戰(zhàn)性。由于傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)和電磁干擾(EMI)控制措施為節(jié)約成本讓路,家電設(shè)計(jì)者必須開發(fā)出新的技術(shù)來滿足不斷調(diào)整的電磁兼容(EMC)需求。本應(yīng)用筆記探討了瞬態(tài)電氣干擾對嵌入式微控制器(MCU)的影響,并提供了切實(shí)可行的硬件和軟件設(shè)計(jì)技術(shù),這些技術(shù)可以為電快速瞬變(EFT)、靜電放電(ESD)以及其它電源線或信號線的短時(shí)瞬變提供低成本的保護(hù)措施。雖然這種探討是主要針對家電制造商,但是也適用于消費(fèi)電子、工業(yè)以及汽車電子方面的應(yīng)用。 低成本的基于MCU 的嵌入式應(yīng)用特別容易受到ESD 和EFT 影響降低性能。即使是運(yùn)行在較低時(shí)鐘頻率下的微控制器,通常對快速上升時(shí)間瞬變也很敏感。這種敏感性歸咎于所使用的工藝技術(shù)。如今針對低成本8/16位的MCU的半導(dǎo)體工藝技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的晶體管柵極長度在0.65 μm~0.25 μm范圍內(nèi)。此范圍內(nèi)的柵極長度能產(chǎn)生和響應(yīng)上升時(shí)間在次納秒范圍內(nèi)(或超過300 MHz 的等同帶寬)的信號。因此, MCU 能夠響應(yīng)進(jìn)入其引腳的ESD 或EFT 信號。除上述工藝技術(shù)之外, MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能還會受到IC 設(shè)計(jì)及其封裝、印刷電路板(PCB)的設(shè)計(jì)、MCU 上運(yùn)行的軟件、系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及ESD 或EFT 波形特征的影響。各因素的相對影響(強(qiáng)調(diào)對最大影響的貢獻(xiàn))如圖1 所示。

    標(biāo)簽: 微控制器 瞬態(tài)免疫 性能

    上傳時(shí)間: 2013-11-09

    上傳用戶:Jerry_Chow

  • 子空間模式識別方法

    提出了一種改進(jìn)的LSM-ALSM子空間模式識別方法,將LSM的旋轉(zhuǎn)策略引入ALSM,使子空間之間互不關(guān)聯(lián)的情況得到改善,提高了ALSM對相似樣本的區(qū)分能力。討論中以性能函數(shù)代替經(jīng)驗(yàn)函數(shù)來確定拒識規(guī)則的參數(shù),實(shí)現(xiàn)了識別率、誤識率與拒識率之間的最佳平衡;通過對有限字符集的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,LSM-ALSM算法有效地改善了分類器的識別率和可靠性。關(guān) 鍵 詞 學(xué)習(xí)子空間; 性能函數(shù); 散布矩陣; 最小描述長度在子空間模式識別方法中,一個(gè)線性子空間代表一個(gè)模式類別,該子空間由反映類別本質(zhì)的一組特征矢量張成,分類器根據(jù)輸入樣本在各子空間上的投影長度將其歸為相應(yīng)的類別。典型的子空間算法有以下三種[1, 2]:CLAFIC(Class-feature Information Compression)算法以相關(guān)矩陣的部分特征向量來構(gòu)造子空間,實(shí)現(xiàn)了特征信息的壓縮,但對樣本的利用為一次性,不能根據(jù)分類結(jié)果進(jìn)行調(diào)整和學(xué)習(xí),對樣本信息的利用不充分;學(xué)習(xí)子空間方法(Leaning Subspace Method, LSM)通過旋轉(zhuǎn)子空間來拉大樣本所屬類別與最近鄰類別的距離,以此提高分類能力,但對樣本的訓(xùn)練順序敏感,同一樣本訓(xùn)練的順序不同對子空間構(gòu)造的影響就不同;平均學(xué)習(xí)子空間算法(Averaged Learning Subspace Method, ALSM)是在迭代訓(xùn)練過程中,用錯(cuò)誤分類的樣本去調(diào)整散布矩陣,訓(xùn)練結(jié)果與樣本輸入順序無關(guān),所有樣本平均參與訓(xùn)練,其不足之處是各模式的子空間之間相互獨(dú)立。針對以上問題,本文提出一種改進(jìn)的子空間模式識別方法。子空間模式識別的基本原理1.1 子空間的分類規(guī)則子空間模式識別方法的每一類別由一個(gè)子空間表示,子空間分類器的基本分類規(guī)則是按矢量在各子空間上的投影長度大小,將樣本歸類到最大長度所對應(yīng)的類別,在類x()iω的子空間上投影長度的平方為()211,2,,()argmax()jMTkkjpg===Σx􀀢 (1)式中 函數(shù)稱為分類函數(shù);為子空間基矢量。兩類的分類情況如圖1所示。

    標(biāo)簽: 子空間 模式 識別方法

    上傳時(shí)間: 2013-12-25

    上傳用戶:熊少鋒

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