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汽車轉(zhuǎn)(zhuǎn)向燈

  • FPGA向SRAM中寫入數(shù)據(jù)

    FPGA向SRAM中寫入數(shù)據(jù),VHDL編程

    標(biāo)簽: FPGA SRAM 數(shù)據(jù)

    上傳時間: 2013-08-28

    上傳用戶:zhliu007

  • 使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴(kuò)展為128KB的628128,FlashRom擴(kuò)展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標(biāo)簽: 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時間: 2013-08-30

    上傳用戶:cainaifa

  • 自己現(xiàn)在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現(xiàn)在用的CPLD下載線,用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式

    標(biāo)簽: CPLD 244 74 HC

    上傳時間: 2013-08-31

    上傳用戶:dancnc

  • cpld的入門交流:CPLD的跑馬燈一個簡易型cpld試驗(yàn)電路用VHDL語言

    cpld的入門交流:CPLD的跑馬燈一個簡易型cpld試驗(yàn)電路用VHDL語言遍的

    標(biāo)簽: cpld CPLD VHDL 交流

    上傳時間: 2013-09-06

    上傳用戶:blacklee

  • <快學(xué)易用Protel99se>\r\n

    \r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程,孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版

    標(biāo)簽: Protel 99 se

    上傳時間: 2013-09-11

    上傳用戶:Yukiseop

  • Protel99se SDK

    Protel99se SDK\r\n\r\nProtel向用戶提供SDK軟件包。SDK軟件包包括:服務(wù)器生成向?qū)Ш蚉rotel API及相關(guān)文檔資料。\r\n\r\n 服務(wù)器生成向?qū)且粋€運(yùn)行于設(shè)計(jì)資源管理器的插入式服務(wù)器,它為用戶生成第三方EDA軟件模板的原代碼和安裝文件(.INS文件),安裝文件用于將用戶開發(fā)的第三方EDA軟件安裝在設(shè)計(jì)資源管理器平臺上。服務(wù)器生成向?qū)Э梢詾橛脩羯蓛煞N格式的原代碼:Delphi和C++ Builder。\r\n\r\n為方便用戶開發(fā)第三方EDA軟件,Protel向用戶

    標(biāo)簽: Protel SDK 99 se

    上傳時間: 2013-09-18

    上傳用戶:txfyddz

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)

    標(biāo)簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計(jì)與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計(jì)與制作

    標(biāo)簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計(jì)

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

    對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu), Rdson與BV存在矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢? 對于常規(guī)VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié),對于一個PN結(jié),耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積,也就是下圖中的淺綠色部分,就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS,P body濃度要大于N EPI, PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散,所以此結(jié)構(gòu)下,P body區(qū)域一側(cè),耗盡區(qū)擴(kuò)展很小,基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn),承壓主要是P body--N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域,這個區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的,越是靠近PN結(jié)面(a圖的A結(jié)),電場強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

    標(biāo)簽: CoolMos 制造

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:小眼睛LSL

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

    計(jì)數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器,并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行,運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽: 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

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