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產(chǎn)(chǎn)生器

  • 基于cpld的hdb3編碼器

    基于cpld的hdb3編碼器\r\n

    標簽: cpld hdb3 編碼器

    上傳時間: 2013-08-29

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  • 分頻器 FPGA程序設(shè)計 二分頻

    分頻器 FPGA程序設(shè)計 二分頻 對硬件設(shè)計有很大用處\r\n

    標簽: FPG 分頻器 二分頻 程序設(shè)計

    上傳時間: 2013-08-31

    上傳用戶:lhc9102

  • dsp下載器cpld程序

    dsp下載器cpld程序\r\n感興趣的朋友可以下來

    標簽: cpld dsp 下載器 程序

    上傳時間: 2013-09-02

    上傳用戶:tedo811

  • 數(shù)控振蕩器的頻率控制字寄存器、相位控制字寄存器、累加器和加法器可以用VHDL語言描述

    數(shù)控振蕩器的頻率控制字寄存器、相位控制字寄存器、累加器和加法器可以用VHDL語言描述,集成在一個模塊中,提供VHDL源程序供大家學(xué)習(xí)和討論。\r\n

    標簽: VHDL 寄存器 數(shù)控振蕩器 加法器

    上傳時間: 2013-09-04

    上傳用戶:a471778

  • VHDL源程序:半整數(shù)分頻器電路

    半整數(shù)分頻器電路的VHDL源程序,供大家學(xué)習(xí)和討論。\r\n

    標簽: VHDL 源程序 整數(shù) 分頻器

    上傳時間: 2013-09-04

    上傳用戶:fdfadfs

  • viterbi譯碼器的一種fpga實現(xiàn)

    viterbi譯碼器的一種fpga實現(xiàn).是一個cs252\r\n的project的result\r\n供大家研究用

    標簽: viterbi fpga 譯碼器

    上傳時間: 2013-09-06

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標控制上,進行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴,阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當時正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:7891

  • cad字體查看工具SHX查看器

    很多使用CAD的朋友因為找不到自己需要的字體而煩惱,網(wǎng)上各種可供下載的CAD字庫也不少。之前我也將我收集的600多種字體上傳到百度網(wǎng)盤了,最近又下載了一個1000多種字體的字體庫。 不過發(fā)現(xiàn)一個問題:字體名可以隨便改,同一字體也可能有好多不同的版本。從下載的字體庫中就可以看到txt1\2\3\....等多種字體,這些字體到底有什么區(qū)別。hztxt.shx是國內(nèi)使用很廣泛的一種字體文件,但這個文件我就見過多個版本,每個版本文件大小不同,字符顯示效果也不完全相同。因此要找到自己需要的字體說容易,也不容易,最保險的方法就是找到繪圖者使用的原始字體,到網(wǎng)上下載各種字庫都不是很保險。 不過我用過一個SHX字體查看工具,可以直接看到字體文件中的字符,給大家共享一下,但愿能給大家一些幫助。 利用SHX查看器,點“打開”按鈕,可以直接打開SHX文件,看到字體文件中包含的字符及字體效果,如下圖所示: 使用這個工具有下面三個用處: 1、在找到一個字體后,可以先用這個工具檢查一下,是否是自己所需要的字體,不要找到字體就盲目地復(fù)制到CAD的字體目錄下。 2、分別打開txt.shx、hztxt.shx、ltypeshp.shx這幾個形文件,可以了解一下字體、大字體和符號形文件里到底里面放了寫什么東西。 3、如果你想更深入了解字體,你可以將SHX在保存為字體源文件*.shp,這是一個純文本文件,你可以了解形文件的定義形式,如果你有興趣的話,甚至可以根據(jù)一些教程的指導(dǎo)自己來定義或修改字體文件。 cad字體查看工具SHX查看器注冊碼 Name: (Anything) s/n: sv89356241 Code: LLJL6Y2L

    標簽: cad SHX 字體

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:dreamboy36

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • (N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展,通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大,系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中,傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發(fā)達的國家,各大通信運營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。

    標簽: 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時間: 2014-03-24

    上傳用戶:alan-ee

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