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瞬時(shí)

板級模擬電路仿真收斂性技術(shù)研究

電路仿真不僅應(yīng)用于電路設(shè)計階段，也用于電路故障診斷中。電路仿真結(jié)果能夠為建立電路測試診斷知識庫提供重要的參考信息。本文簡要介紹了電路仿真收斂性的相關(guān)理論，分析了板級模擬電路直流分析和瞬態(tài)分析的仿真收斂性問題，深入探討了電路仿真技術(shù)的原理和發(fā)展，重點研究了新的電路仿真算法，并將其應(yīng)用于模擬電路仿真系統(tǒng)中。

標簽： 板級仿真收斂性技術(shù)研究

上傳時間： 2014-12-23

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工業(yè)監(jiān)控和便攜式儀器的6通道SAR型ADC

14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC，具有 6 個同時采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源，並具有 6 個獨立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個 ADC。

標簽： SAR ADC 工業(yè)監(jiān)控便攜式

上傳時間： 2013-11-16

上傳用戶：dbs012280
MT-011 找出那些難以琢磨、稍縱即逝的ADC閃碼和亞穩(wěn)狀態(tài)

數(shù)字通信系統(tǒng)設(shè)計關(guān)注的一個主要問題是誤碼率(BER)。ADC噪聲對系統(tǒng)BER的影響可以分析得出，但前提是該噪聲須為高斯噪聲。遺憾的是，ADC可能存在非高斯誤碼，簡單分析根本無法預(yù)測其對BER的貢獻。在數(shù)字示波器等儀表應(yīng)用中，誤碼率也可能造成問題，尤其是當器件工作于“單發(fā)”模式時，或者當器件嘗試捕獲偶爾出現(xiàn)的瞬變脈沖時。誤碼可能被誤解為瞬變脈沖，從而導(dǎo)致錯誤的結(jié)果。本指南介紹ADC中可能貢獻誤差率的基本因素，減少問題的辦法，以及BER的測量方法。

標簽： 011 ADC MT 狀態(tài)

上傳時間： 2014-01-01

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聲卡虛擬示波器

功能簡介虛儀聲卡萬用儀是一個功能強大的基于個人電腦的虛擬儀器。它由聲卡實時雙蹤示波器、聲卡實時雙蹤頻譜分析儀和聲卡雙蹤信號發(fā)生器組成，這三種儀器可同時使用。本儀器內(nèi)含一個獨特設(shè)計的專門適用于聲卡信號采集的算法，它能連續(xù)監(jiān)視輸入信號，只有當輸入信號滿足觸發(fā)條件時，才采集一幀數(shù)據(jù)，即先觸發(fā)后采集，因而不會錯過任何觸發(fā)事件。這與同類儀器中常用的先采集一長段數(shù)據(jù)，然后再在其中尋找觸發(fā)點的方式，即先采集后觸發(fā)，截然不同。因此本儀器能達到每秒50幀的快速屏幕刷新率，從而實現(xiàn)了真正的實時信號采集、分析和顯示。本儀器還支持各種復(fù)雜的觸發(fā)方式包括超前觸發(fā)和延遲觸發(fā)。虛儀聲卡萬用儀發(fā)揮了以電腦屏幕作為顯示的虛擬儀器的優(yōu)點，支持圖形顯示的放大和滾動，并將屏幕的絕大部分面積用于數(shù)據(jù)顯示，使您能夠深入研究被測信號的任何細節(jié)。而市面上有些同類儀器則在人機界面上過分追求“形”似，將傳統(tǒng)儀器的面板簡單地模擬到電腦屏幕上，占用了大量寶貴的屏幕資源，僅留下較小面積供數(shù)據(jù)顯示用。虛儀聲卡萬用儀提供了一套完整的信號測試與分析功能，包括：雙蹤波形、波形相加、波形相減、李莎如圖、電壓表、瞬態(tài)信號捕捉、RMS絕對幅度譜、相對幅度譜、八度分析（1/1、1/3、1/6、1/12、1/24）、THD、THD+N、SNR、SINAD、頻率響應(yīng)、阻抗測試、相位譜、自相關(guān)函數(shù)、互相關(guān)函數(shù)、函數(shù)發(fā)生器、任意波形發(fā)生器、白噪聲發(fā)生器、粉紅噪聲發(fā)生器、多音合成發(fā)生器和掃頻信號發(fā)生器等。虛儀聲卡萬用儀將采集到的數(shù)據(jù)和分析后的數(shù)據(jù)保存為標準的WAV波形文件或TXT文本文件。它也支持WAV波形文件的輸入和BMP圖像文件的輸出和打印。支持24比特采樣分辨率。支持WAV波形文件的合并和數(shù)據(jù)抽取。

標簽： 聲卡虛擬示波器

上傳時間： 2013-10-25

上傳用戶：silenthink
LDO線性穩(wěn)壓器動態(tài)頻率補償電路設(shè)計

摘要：對LDO線性穩(wěn)壓器關(guān)鍵技術(shù)進行了分析，重點分析了LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問題，在此基礎(chǔ)上提出了一種新型的動態(tài)頻率補償電路，利用MOS管的開關(guān)電阻、寄生電容等構(gòu)成的電阻電容網(wǎng)絡(luò)，通過采樣負載電流而改變MOS開關(guān)管的工作點或工作狀態(tài)，即改變開關(guān)電阻、寄生電容的值，從而實現(xiàn)動態(tài)的頻率補償。與傳統(tǒng)方法相比，該電路大大提高了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)性能。關(guān)鍵詞：LDo；穩(wěn)定性；ESR；動態(tài)頻率補償

標簽： LDO 線性穩(wěn)壓器動態(tài) 電路設(shè)計

上傳時間： 2013-11-14

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信號放大電路

2-1 何謂測量放大電路？對其基本要求是什么？在測量控制系統(tǒng)中，用來放大傳感器輸出的微弱電壓，電流或電荷信號的放大電路稱為測量放大電路，亦稱儀用放大電路。對其基本要求是：①輸入阻抗應(yīng)與傳感器輸出阻抗相匹配；②一定的放大倍數(shù)和穩(wěn)定的增益；③低噪聲；④低的輸入失調(diào)電壓和輸入失調(diào)電流以及低的漂移；⑤足夠的帶寬和轉(zhuǎn)換速率（無畸變的放大瞬態(tài)信號）；⑥高輸入共模范圍（如達幾百伏）和高共模抑制比；⑦可調(diào)的閉環(huán)增益；⑧線性好、精度高；⑨成本低。 2-2 圖2-2a所示斬波穩(wěn)零放大電路中，為什么采用高、低頻兩個通道，即R3、C3組成的高頻通道和調(diào)制、解調(diào)、交流放大器組成的低頻通道？采用高頻通道是為了使斬波穩(wěn)零放大電路能在較寬的頻率范圍內(nèi)工作，而采用低頻通道則能對微弱的直流或緩慢變化的信號進行低漂移和高精度的放大。 2-3 請參照圖2-3，根據(jù)手冊中LF347和CD4066的連接圖（即引腳圖），將集成運算放大器LF347和集成模擬開關(guān)CD4066接成自動調(diào)零放大電路。 LF347和CD4066接成的自動調(diào)零放大電路如圖X2-1。

標簽： 信號放大電路

上傳時間： 2013-10-09

上傳用戶：ysjing
PCB LAYOUT設(shè)計規(guī)范手冊

　　PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範內(nèi)容如附件所示, 其中分為: 　　(1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範”:為R&D Layout時必須遵守的事項, 否則SMT,DIP,裁板時無法生產(chǎn). 　　(2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. 　　(3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. 　　(4) ”零件選用建議規(guī)範”: Connector零件在未來應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.

標簽： LAYOUT PCB 設(shè)計規(guī)范

上傳時間： 2013-10-28

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Pspice教程(基礎(chǔ)篇)

Pspice教程課程內(nèi)容：在這個教程中，我們沒有提到關(guān)于網(wǎng)絡(luò)表中的Pspice 的網(wǎng)絡(luò)表文件輸出，有關(guān)內(nèi)容將會在后面提到!而且我想對大家提個建議：就是我們不要只看波形好不好，而是要學(xué)會分析，分析不是分析的波形，而是學(xué)會分析數(shù)據(jù)，找出自己設(shè)計中出現(xiàn)的問題!有時候大家可能會看到，其實電路并沒有錯，只是有時候我們的仿真設(shè)置出了問題，需要修改。有時候是電路的參數(shù)設(shè)計的不合理，也可能導(dǎo)致一些莫明的錯誤!我覺得大家做一個分析后自己看看OutFile文件!點,就可以看到詳細的情況了!基本的分析內(nèi)容：1．直流分析2．交流分析3．參數(shù)分析4．瞬態(tài)分析進階分析內(nèi)容：1．最壞情況分析.2．蒙特卡洛分析3．溫度分析4．噪聲分析5．傅利葉分析6．靜態(tài)直注工作點分析數(shù)字電路設(shè)計部分淺談附錄A: 關(guān)于Simulation Setting的簡介附錄B：關(guān)于測量函數(shù)的簡介附錄C：關(guān)于信號源的簡介

標簽： Pspice 教程

上傳時間： 2014-12-24

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信號完整性知識基礎(chǔ)(pdf)

現(xiàn)代的電子設(shè)計和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的復(fù)雜度、時鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢，但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場的時間要求給設(shè)計師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預(yù)見設(shè)計中可能出現(xiàn)的各種問題，并及時給出合理的解決方案，對于高速的數(shù)字電路來說，最令人頭大的莫過于如何確保瞬時跳變的數(shù)字信號通過較長的一段傳輸線，還能完整地被接收，并保證良好的電磁兼容性，這就是目前頗受關(guān)注的信號完整性（SI）問題。本章就是圍繞信號完整性的問題，讓大家對高速電路有個基本的認識，并介紹一些相關(guān)的基本概念。第一章高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設(shè)計流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計.............................................................................................855.3 同步開關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章系統(tǒng)時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)...................................................................1096.2.2 源同步時序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構(gòu)成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關(guān)工具及鏈接..............................................................................120第八章高速設(shè)計理論在實際中的運用.............................................................1228.1 疊層設(shè)計方案...........................................................................................1228.2 過孔對信號傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術(shù)...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134

標簽： 信號完整性

上傳時間： 2014-05-15

上傳用戶：dudu1210004
pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗

PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

標簽： layout design pcb 硬件工程師

上傳時間： 2013-10-22

上傳用戶：pei5

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