引言伺服電機屬于一類控制電機，分為直流伺服電機和交流伺服電機兩種。由于交流伺服電機具有體積小、重量輕、大轉矩輸出、低慣量和良好的控制性能等優點，故被廣泛地應用于自動控制系統和自動檢測系統中作為執行元件，將控制電信號轉換為轉軸的機械轉動，由于伺服電機定位精度相當高，現代位置控制系統已越來越多地采用以交流伺服電機為主要部件的位置控制系統，本文的設計也正是用于噴印機的位置控制系統之中。1總體設計方案本控制系統選用松下MSMA082AIC型交流伺服電機，通過以單片機控制器實現對伺服電機的控制。同服電機的控制方式主要有位置控制、速度控制兩種，為了提高其帶動噴頭運行的平穩性，選用了速度控制方式實現對伺服電機的控制，以利用伺服電機系統自帶的s型曲線控制模型，達到理想的控制效果。系統組成框圖如圖1所示，其中單片機控制器向伺服驅動器輸出控制信號，再通過伺服驅動器驅動伺服電機按要求動作，同時，控制器接收固定在祠服電機轉軸上的光電編碼盤隨著電機轉動而產生的反饋脈沖信號，以實現對伺服電機帶動的噴頭運行位置的檢測控制，形成團環控制系統。為了實現對噴印位置的精確控制，所以選用了分辨率為2000p/r的光電編碼盤作位置傳感單元，將伺服電機轉軸的轉角位置變換成電脈沖信號，以供單片機控制器對噴印位置進行跟蹤控制。
上傳時間： 2022-06-01
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（一）電機問題(1) 電動機竄動：在進給時出現竄動現象，測速信號不穩定，如編碼器有裂紋;接線端子接觸不良，如螺釘松動等;當竄動發生在由正方向運動與反方向運動的換向瞬間時，一般是由于進給傳動鏈的反向問隙或伺服驅動增益過大所致;(2) 電動機爬行： 大多發生在起動加速段或低速進給時， 一般是由于進給傳動鏈的潤滑狀態不良，伺服系統增益低及外加負載過大等因素所致。尤其要注意的是，伺服電動機和滾珠絲杠聯接用的聯軸器，由于連接松動或聯軸器本身的缺陷，如裂紋等，造成滾珠絲杠與伺服電動機的轉動不同步，從而使進給運動忽快忽慢;(3) 電動機振動：機床高速運行時，可能產生振動，這時就會產生過流報警。機床振動問題一般屬于速度問題，所以應尋找速度環問題;(4) 電動機轉矩降低： 伺服電動機從額定堵轉轉矩到高速運轉時， 發現轉矩會突然降低，這時因為電動機繞組的散熱損壞和機械部分發熱引起的。高速時，電動機溫升變大，因此，正確使用伺服電動機前一定要對電動機的負載進行驗算;(5) 電動機位置誤差：當伺服軸運動超過位置允差范圍時(KNDSD100 出廠標準設置PA17 ：400 ，位置超差檢測范圍)，伺服驅動器就會出現“ 4”號位置超差報警。主要原因有：系統設定的允差范圍小;伺服系統增益設置不當;位置檢測裝置有污染;進給傳動鏈累計誤差過大等;(6) 電動機不轉：數控系統到伺服驅動器除了聯結脈沖+ 方向信號外，還有使能控制信號，一般為DC+24 V 繼電器線圈電壓。伺服電動機不轉，常用診斷方法有：檢查數控系統是否有脈沖信號輸出;檢查使能信號是否接通;通過液晶屏觀測系統輸入/ 出狀態是否滿足進給軸的起動條件;對帶電磁制動器的伺服電動機確認制動已經打開;驅動器有故障;伺服電動機有故障;伺服電動機和滾珠絲杠聯結聯軸節失效或鍵脫開等。
標簽： 伺服系統
上傳時間： 2022-06-01
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全部都是個人珍藏開關電源書籍，學習完不成大牛你們來找我~1、《反激式開關電源設計、制作、調試》_2014年版2、《交換式電源供給器之理論與實務設計》3、《精通開關電源設計》_2008年版4、《開關電源的原理與設計》_2001年版5、《開關電源故障診斷與排除》_2011年版6、《開關電源設計》第2版_2005年版7、《開關電源設計與優化》_2006年版8、《開關電源設計指南》_2004年版9、《開關電源手冊》第2版_2006年10、《新型開關電源優化設計與實例詳解》_2006版11、開關電源專業英語
標簽： 開關電源
上傳時間： 2022-06-01
上傳用戶：默默
1-1前言一般人所能夠感受到聲音的頻率約介於5H2-20KHz，超音波（Ultrasonic wave）即爲頻率超過20KHz以上的音波或機械振動，因此超音波馬達就是利用超音波的彈性振動頻率所構成的制動力。超音波馬達的內部主要是以壓電陶瓷材料作爲激發源，其成份是由鉛（Pb）、結（Zr）及鈦（Ti）的氧化物皓鈦酸鉛（Lead zirconate titanate，PZT）製成的。將歷電材料上下方各黏接彈性體，如銅或不銹鋼，並施以交流電壓於壓電陶瓷材料作爲驅動源，以激振彈性體，稱此結構爲定子（Stator），將其用彈簧與轉子Rotor）接觸，將所産生摩擦力來驅使轉子轉動，由於壓電材料的驅動能量很大，並足以抗衡轉子與定子間的正向力，雖然伸縮振幅大小僅有數徵米（um）的程度，但因每秒之伸縮達數十萬次，所以相較於同型的電磁式馬達的驅動能量要大的許多。超音波馬達的優點爲：1，轉子慣性小、響應時間短、速度範圍大。2，低轉速可產生高轉矩及高轉換效率。3，不受磁場作用的影響。4，構造簡單，體積大小可控制。5，不須經過齒輸作減速機構，故較爲安靜。實際應用上，超音波馬達具有不同於傳統電磁式馬達的特性，因此在不適合應用傳統馬達的場合，例如：間歇性運動的裝置、空間或形狀受到限制的場所；另外包括一些高磁場的場合，如核磁共振裝置、斷層掃描儀器等。所以未來在自動化設備、視聽音響、照相機及光學儀器等皆可應用超音波馬達來取代。
標簽： 超聲波電機
上傳時間： 2022-06-17
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一種新穎的正弦正交編碼器細分方法摘要，提出了一種不用查詢表的正弦正交編碼器細分方法利用控制系統臨界穩定原理生成一個高頻數字正弦載波與采樣得到的正弦編碼信號實時比較來獲取相位信息，與傳統查詢表細分方法相比，節省了大量的存儲空間而且整個細分過程通過軟件實現，不需要添加額外的硬件，同時闡述了影響細分分辨率的因素，推導出了防止電機高速運行時細分混登的條件；最后，以一臺7kw的電梯用永磁同步電機配套海德漢的ERN487-2048正弦增量式編碼器為平臺，驗證了該細分方法用于轉子初始位置識別及速度控制的可行性.關鍵詞，正弦編碼器，細分，永磁同步電機，電梯，轉子初始位置隨著社會的發展人們對電梯的體積載重量功耗調速精度及調速范圍等提出了越來越高的要求永磁同步電機以功率密度大氣隙密度高轉矩電流比高轉矩慣量比大壽命長及結構簡單等優點成為無齒輪電引機的首選 對于正弦波永磁同0步電機矢量控制系統坐標變換中的轉子位置角是否能準確實時地檢測直接影響到整個系統的性能因此高性能要求的系統一般采用分辨率高的光電式編碼器檢測轉子位置.
標簽： 正弦正交編碼器
上傳時間： 2022-06-18
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在一般較低性能的三相電壓源逆變器中， 各種與電流相關的性能控制， 通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動轉矩補償、轉差率補償等。同時， 這一檢測結果也可以用來完成對逆變單元中IGBT 實現過流保護等功能。因此在這種逆變器中， 對IGBT 驅動電路的要求相對比較簡單， 成本也比較低。這種類型的驅動芯片主要有東芝公司生產的TLP250，夏普公司生產的PC923等等。這里主要針對TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個GaAlAs 光發射二極管和一個集成光探測器， 8腳雙列封裝結構。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅動電路。圖2為TLP250 的內部結構簡圖， 表1 給出了其工作時的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 輸入閾值電流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 電源電流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 電源電壓（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 輸出電流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 開關時間（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔離電壓： 2500 Vpms（最小）。表2 給出了TLP250 的開關特性，表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注： 使 用 TLP250 時 應 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來穩定高增益線性放大器的工作， 提供的旁路作用失效會損壞開關性能， 電容和光耦之間的引線長度不應超過1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應用電路。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
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一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協會所訂立的內嵌式存儲器標準規格，主要是針對手機產品為主。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器， 它提供標準接口并管理閃存， 使得手機廠商就能專注于產品開發的其它部分，并縮短向市場推出產品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優點eMMC目前是最當紅的移動設備本地存儲解決方案，目的在于簡化手機存儲器的設計，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時，都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計，過去并沒有哪個技術能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術改朝換代，包括70 納米演進至50 納米，再演進至40 納米或30 納米制程技術，手機客戶也都要重新設計， 但半導體產品每1 年制程技術都會推陳出新， 存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風行起來。eMMC的設計概念，就是為了簡化手機內存儲器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設計成1 顆MCP芯片，手機客戶只需要采購eMMC芯片，放進新手機中，不需處理其它繁復的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優點是縮短新產品的上市周期和研發成本，加速產品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術變化很快，特別是TLC 技術和制程下降到20nm階段后，對Flash 的管理是個巨大挑戰，使用eMMC產品，主芯片廠商和客戶就無需關注Flash 內部的制成和產品變化，只要通過eMMC的標準接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產品開發的難度和加快產品上市時間。eMMC可以很好的解決對MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯機制(Error Correcting Code) 、區塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲存區塊技術 (Wear Leveling) 、區塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優點在于生產廠商可節省許多管理NAND Flash 芯片的時間，不必關心NAND Flash 芯片的制程技術演變和產品更新換代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產品上市的時間，保證產品的穩定性和一致性。
標簽： emmc
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：jiabin
本書著眼于現代永磁同步電機控制原理分析及 MATLAB 仿真應用，系統地介紹了永磁同步電機控 制 系統的基本理論、基本方法和應用技術 。全 書分為 3 部分共 10 章，主要內容包括 三 相永磁同步電 機 的數學建模及矢量控制技術、 三 相電壓源逆變器 PWM 技術、 三 相永磁同步電機的直接轉矩控制、 三 相永磁同步電機的無傳感器控制技術、六相永磁同步電機的數學建模及矢量控制技術、六相電壓源逆變器 PWM 技術和五相永磁同步電機的數學建模及矢量控制技術等。每種控制技術都通過了 MATLAB 仿真建模并進行了仿真分析 。 本書各部分既有聯系又相互獨立，讀者可 根據自己的需要選擇學習 。本書可作為從事電氣傳動自動化、永磁同步電機控制、電力電子技術的工程技術人員的參考書，也可作為大專院校相關專業的教師、研究生和高年級本科生的參考書 。
上傳時間： 2022-06-21
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1前言萊鋼型鋼廠大型生產線傳動系統采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結構；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產以來，冷床傳輸鏈運行較為穩定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現象，具體故障情況統計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現過IGBT損壞的現象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現IGBT損壞的現象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現了IGBT損壞現象，如果是由于負荷分配不均造成，應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數：額定功率90kw，額定電流186A，負載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉矩波形如圖1所示。
上傳時間： 2022-06-22
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N-Thread簡介RT-Thread，來自中國的開源實時操作系統延生于2006年：硬實時操作系統核心；，低資源占用的軟件系統平臺；o RTThread本自依賴于社區方式發展，開源、永遠開源：（GPv2許可證）社區多樣性的發展萬式支持眾多的處理器：ARM7TDMI.ARM920T.ARM926EJ-SEIARM Cortex；MIPS外理器：PowerPC/x86/NIOSIII眾多發展方向：微處理器：帶MMU的處理器；甚至是多核處理器N-Thread目前驅動框架。基于名 對象化設備模型：上層應用A 查找相應設備名獲得設備句柄即可采用標準的設備接口進行硬件 的訪問操作；NThread目前驅動框架口通過 套設備模型，可以做到應用與底層設備的無關性。口當前支持：符設備，塊設備、網絡設備、聲音設備等。改進需水，實際設備 還有很多；，隨著支持平臺增多，驅動維護變得困難；>如何得到一個剪表方便，驅動容易編寫的框架；，更多的面向對象特性，H象操作方法形成ops列表；? 改進目標，設備驅動模型應能夠覆蓋大多數設例如串D，CAN，以太網，USB，SPI設備，SDIO設備，Fas備，LCD圖形設備。針對于上層應用，其操作接口精簡而統一；針勸底層驅動，易于編寫，要輯結構清晰。能夠重用已有的設備驅動；
標簽： RT-Thread
上傳時間： 2022-06-22
上傳用戶：jason_vip1
