半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC）材料及器件測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料被稱為第三代半導(dǎo)體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測(cè)量技術(shù)，對(duì)樣品形狀沒(méi)有要求， 且不需要測(cè)量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個(gè)條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。? 所有四個(gè)觸點(diǎn)必須位于樣品的邊緣。
上傳時(shí)間： 2022-01-03
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模塊化電源系統(tǒng)采用三相五線制交流輸入（可兼容單相三線制交流輸入），可根據(jù)用戶需求配置成單 路輸入形式或雙路輸入形式，系統(tǒng)交流輸入防雷的標(biāo)準(zhǔn)配置為 C 級(jí)（20kA，8/20μS），可根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景在 C 級(jí)防雷之前配置不同規(guī)格的 B 級(jí)防雷（30kA、40kA、60kA，8/20μS）三相四線制輸入（380Vac），可兼容單相輸入（220Vac）。 交流輸入斷路器為 63A/3P，可調(diào)整為 100A/4P。系統(tǒng)終局 450A（50A×9）系統(tǒng)可接入 1～4 組蓄電池（可擴(kuò)展至 6 組）；電池通過(guò)斷路器（或熔斷器）、分流器（檢測(cè)電池電流）和直流接觸器（下電控制）與整流器的輸出并聯(lián)，由直流配電單元為客戶直流負(fù)載供電。系統(tǒng)具有電池溫 度補(bǔ)償功能；
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-02-06
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PCB聯(lián)盟網(wǎng)-科普知識(shí)--《電子封裝材料與工藝》 學(xué)習(xí)筆記 54頁(yè)本人主要從事 IC 封裝化學(xué)材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動(dòng)態(tài)和技術(shù)，自學(xué)了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯(cuò)的教材，在此總結(jié)出一些個(gè)人的學(xué)習(xí)筆記和大家分享。此筆記原發(fā)在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發(fā)展與制造 1、原子結(jié)構(gòu)：原子是由高度密集的質(zhì)子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級(jí)）上旋 轉(zhuǎn)的荷負(fù)電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當(dāng)原子彼此靠近時(shí)，它們之間發(fā)生交互作用 的形成所謂的化學(xué)鍵，化學(xué)鍵可以分成離子鍵、共價(jià)鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問(wèn)世于 1883 年 Edison（愛(ài)迪生）發(fā)明白熾燈時(shí)，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發(fā)現(xiàn)了真 空管類似極管的作用。在愛(ài)迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽(yáng)極； b.當(dāng)電子管含有兩個(gè)電極（陽(yáng)極和陰極）時(shí)，這種電路被稱為二極管，1906 年美國(guó)發(fā)明家 Lee DeForest 在陰極和陽(yáng)極之間加入了一個(gè)柵極（一個(gè)精細(xì)的金屬絲網(wǎng)），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴(kuò)大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應(yīng)用于工業(yè)已有半個(gè)多世紀(jì)，但是有很多缺點(diǎn)，包括體積大，產(chǎn)生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態(tài)器件的進(jìn)展消除了真空管的缺點(diǎn)，真空管開(kāi)始從許多電子產(chǎn)品的使 用中退出； 3、半導(dǎo)體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導(dǎo)體材料有元素半導(dǎo)體硅、鍺、硒，半導(dǎo)體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個(gè) p-n 結(jié)），當(dāng)結(jié)上為正向偏壓時(shí)可以導(dǎo)通電流，當(dāng)反向偏壓時(shí)則電流停止； c.結(jié)型雙極晶體管：把兩個(gè)或兩個(gè)以上的 p-n 結(jié)組合成一個(gè)器件，導(dǎo)致了之！
上傳時(shí)間： 2022-02-06
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硬件工程師 電子工程師必備知識(shí)手冊(cè)關(guān)鍵字： 電阻 基礎(chǔ)知識(shí) 線繞電阻器 薄膜電阻器 實(shí)心電阻器 電阻 導(dǎo)電體對(duì)電流的阻礙作用稱著電阻，用符號(hào) R 表示，單位為歐姆、千歐、兆歐， 分別用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、電阻的型號(hào)命名方法： 國(guó)產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成（不適用敏感電阻） 第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如 R 表示電阻，W 表示電位 器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有機(jī)實(shí)心、N-無(wú)機(jī)實(shí)心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、 X-線繞。 第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類 型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6- 精密、7-精密、8-高壓、 9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。 第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以
上傳時(shí)間： 2022-02-17
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好用啊時(shí)光飛逝，一轉(zhuǎn)眼，一個(gè)學(xué)期又進(jìn)尾聲了，本學(xué)期的單片機(jī)課程設(shè)計(jì)終于完成了。俗話說(shuō)“好的開(kāi)始是成功的一半”。說(shuō)起課程設(shè)計(jì)，我認(rèn)為最重要的就是做好設(shè)計(jì)的預(yù)習(xí)，認(rèn)真的研究老師給的題目，選一個(gè)自己有興趣的題目。其次，老師對(duì)實(shí)驗(yàn)的講解要一絲不茍的去聽(tīng)去想，因?yàn)橹挥卸济靼琢耍銎鹪O(shè)計(jì)就會(huì)事半功倍，如果沒(méi)弄明白，就迷迷糊糊的去選題目做設(shè)計(jì)，到頭來(lái)一點(diǎn)收獲也沒(méi)有。最后，要重視程序的模塊化，修改的方便，也要注重程序的調(diào)試，掌握其方法。硬件的連接需要自己動(dòng)手去做，軟件的編程也要不斷的調(diào)試，最終一個(gè)能完成課程設(shè)計(jì)的勞動(dòng)成果出來(lái)了，很高興它能按著設(shè)計(jì)的思想與要求運(yùn)行起來(lái)。當(dāng)然，這其中也有很多問(wèn)題，第一、不夠細(xì)心比如由于粗心大意接錯(cuò)了線，由于對(duì)課本理論的不熟悉導(dǎo)致編程出現(xiàn)錯(cuò)誤。第二，是在學(xué)習(xí)態(tài)度上，這次課設(shè)是對(duì)我的學(xué)習(xí)態(tài)度的一次檢驗(yàn)。對(duì)于這次單片機(jī)課程設(shè)計(jì)，我的第一大心得體會(huì)就是作為一名工程技術(shù)人員，要求具備的首要素質(zhì)絕對(duì)應(yīng)該是嚴(yán)謹(jǐn)。我們這次實(shí)習(xí)所遇到的多半問(wèn)題多數(shù)都是由于我們不夠嚴(yán)謹(jǐn)。第三，在做人上，我認(rèn)識(shí)到，無(wú)論做什么事情，只要你足夠堅(jiān)強(qiáng)，有足夠的毅力與決心，有足夠的挑戰(zhàn)困難的勇氣，就沒(méi)有什么辦不到的。在這次難得的課程設(shè)計(jì)過(guò)程中我鍛煉了自己的思考能力和動(dòng)手能力。通過(guò)題目選擇和軟件編程的過(guò)程中，加強(qiáng)了我思考問(wèn)題的完整性和實(shí)際生活聯(lián)系的可行性。還鍛煉我們個(gè)人的查閱技術(shù)資料的能力，動(dòng)手能力，發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，解決問(wèn)題的能力。并且對(duì)單片機(jī)的各個(gè)管腳的功能也有了進(jìn)一步的認(rèn)識(shí)。
標(biāo)簽： 燃?xì)庠羁刂葡到y(tǒng)
上傳時(shí)間： 2022-02-27
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5G傳輸網(wǎng)（中移動(dòng)解析版）5G 已經(jīng)成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)，目標(biāo)是實(shí)現(xiàn) 2020 年規(guī)模商用。大家最關(guān)心的是 5G 新空口 和新核心網(wǎng)，新空口要滿足低頻的、高頻的、高通量的各種場(chǎng)景，而為了完全滿足 5G 新空 口的要求，還需要構(gòu)建一張新的核心網(wǎng)。 在傳輸層面，國(guó)外很多運(yùn)營(yíng)商都在想能不能沿用 3G、4G 的網(wǎng)絡(luò)。3G、4G 主要是以 IP 化 驅(qū)動(dòng)，將以前的 SDH 時(shí)代（同步數(shù)字體系，適合非爆發(fā)性業(yè)務(wù)，如語(yǔ)音）的網(wǎng)絡(luò)升級(jí)到 PTN 時(shí)代（分組傳送網(wǎng)，適合“語(yǔ)音+數(shù)據(jù)”傳輸）。在 5G 時(shí)代，中國(guó)移動(dòng)是率先提出 5G 需 要新的傳輸技術(shù)，引起了重要的反響。 今天我們探討一下三個(gè)議題：1、5G 技術(shù)新的需要，為什么用一個(gè)新的傳輸網(wǎng)絡(luò)；2、用什 么樣的技術(shù)才能滿足將來(lái) 5G 傳輸?shù)陌l(fā)展，也和大家介紹一下我們新的技術(shù)——SPN 技術(shù)， 包括整個(gè)的協(xié)議，技術(shù)框架等等；3、面向 100 倍的帶寬，真正的成本還是在光這一塊，如 何降低光產(chǎn)品成本是核心。
上傳時(shí)間： 2022-03-01
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準(zhǔn)確量化和預(yù)測(cè)陸地生態(tài)系統(tǒng)碳水通量對(duì)于理解陸氣間相互作用，預(yù)測(cè)未來(lái)氣候變化和控制溫室效應(yīng)具有重要意義。通量觀測(cè)和模型模擬是目前研究碳水通量的兩種主要方法。通量觀測(cè)精度較高，但觀測(cè)范圍局限、站點(diǎn)分布不均勻，易受環(huán)境影響，難以區(qū)域擴(kuò)展；模型模擬可實(shí)現(xiàn)不同尺度參量估算，但由于理想化假設(shè)、模型參數(shù)和驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)等限制，導(dǎo)致其模擬結(jié)果往往與真實(shí)值存在較大偏差。模型-數(shù)據(jù)融合方法主要是通過(guò)參數(shù)估計(jì)和數(shù)據(jù)同化兩種技術(shù)集成觀測(cè)和模型信息，建立兩者相互制約調(diào)節(jié)的優(yōu)化關(guān)系，以提高模型結(jié)果與真實(shí)值之間的匹配程度。基于該思路，本研究在地面觀測(cè)數(shù)據(jù)、遙感衛(wèi)星資料以及相關(guān)氣候環(huán)境數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上，重點(diǎn)突破全球動(dòng)態(tài)植被模型（Lund-Potsdam-Jena Dynamic Globa Vegetation Model.LPJ-DGVM）敏感參數(shù)優(yōu)化方法，獲取適宜中國(guó)的參數(shù)化方案：在此基礎(chǔ)上，引入數(shù)據(jù)同化算法，將遙感衛(wèi)星產(chǎn)品信息與模型相融合，在模擬過(guò)程中不斷校正原有模型模擬軌跡，提高模型適用性。將以上改進(jìn)的模型推廣至中國(guó)區(qū)域，實(shí)現(xiàn)對(duì)20002015年中國(guó)地區(qū)總初級(jí)生產(chǎn)力（Gross Primary Productivity GPP）和敬發(fā)（Evapotranspiration，ET的空間格局模擬及分析。主要結(jié)論如下1）將LP」DGwM中所選出的22個(gè)可調(diào)參數(shù)（涉及光合、呼吸、水平衡異速生長(zhǎng)、死亡、建立以及土壤和掉落物分解共七個(gè)作用領(lǐng)域）在各自取值范圍內(nèi)隨機(jī)獲得不同的參數(shù)組合，結(jié)果表明22個(gè)參數(shù)可引起GPP和ET模擬結(jié)果產(chǎn)生較大的不確定性，尤其集中在生長(zhǎng)季。所有站點(diǎn)GPP相對(duì)不確定性（Relative Uncertainty，RU）基本保持在09-1.25之間，不具有明顯的年際變異性：ET相對(duì)不確定性RU月變化趨勢(shì)明顯，且基本處于0.5以下，明顯低于GPP，說(shuō)明所篩選的22個(gè)參數(shù)對(duì)GP模擬產(chǎn)生的影響更為顯著。
標(biāo)簽： 數(shù)據(jù)融合
上傳時(shí)間： 2022-03-16
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中興通訊_電子元器件正確選擇與使用 講課用.pdf1. 概述 1.1 控制電子元器件選擇與使用的重要性 一個(gè)系統(tǒng)由多個(gè)組件、部件組成，而每一個(gè)部件、組件均由元器件組成，因此，元器 件是一個(gè)系統(tǒng)的基礎(chǔ)。如果將一個(gè)系統(tǒng)比作金字塔的話，那么元器件則是這個(gè)金字塔的塔 基。從可靠性角度出發(fā)，如果沒(méi)有可靠的元器件，則沒(méi)有可靠的系統(tǒng)。元器件的可靠性通 常從兩個(gè)方面來(lái)理解：一方面是元器件本身所固有的由設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中所確定的質(zhì)量、 可靠性特性，即固有可靠性；另一方面是元器件在使用過(guò)程中實(shí)際所展現(xiàn)出來(lái)的可靠性特 性，稱之為使用可靠性。 當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外電子設(shè)備所用元器件的使用可靠性問(wèn)題比較突出，我公司也不例外，從 失效分析數(shù)據(jù)可以看出，80％左右損壞的元器件是由于使用不當(dāng)造成的。從 80 年代國(guó)外資 料看由于元器件使用不當(dāng)，造成設(shè)備或系統(tǒng)故障占總故障數(shù)的一半以上。由于公司目前采 用的元器件有一定數(shù)量的國(guó)產(chǎn)元器件（另外為進(jìn)口元件），國(guó)產(chǎn)元器件在質(zhì)量和可靠性方 面有一定差距，進(jìn)口元器件也沒(méi)有非常明確的可靠性要求。因此，為了達(dá)到國(guó)外電子設(shè)備 的整機(jī)可靠性水平，我們公司必須下大力抓元器件的使用可靠性。元器件的使用可靠性工 作是一項(xiàng)涉及方面非常廣的工作，它始終貫穿于元器件的選取、采購(gòu)到生產(chǎn)的全過(guò)程。本 企標(biāo) 《電子元器件的正確選擇與使用》，從元器件的可靠性工作的主要環(huán)節(jié)，元器件的選 擇與正確使用入手，詳細(xì)闡述了不同種類元器件的正確選擇與正確使用應(yīng)注意的事項(xiàng)。
上傳時(shí)間： 2022-03-20
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數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)+標(biāo)準(zhǔn)集成電路數(shù)據(jù)手冊(cè)--TTL電路 高速CMOS電路接口電路 電子書(shū)4本合集電子、通信、計(jì)算機(jī)、信息與自動(dòng)控制等專業(yè)開(kāi)設(shè)的《數(shù)字電子技術(shù) 基礎(chǔ)》及其實(shí)驗(yàn)等專業(yè)基礎(chǔ)課，旨在加深學(xué)生對(duì)理論知識(shí)的理解，培養(yǎng)學(xué) 生分析、設(shè)計(jì)、組裝和調(diào)試數(shù)字電路的基本技能，掌握科學(xué)的實(shí)驗(yàn)方法， 為以后其它專業(yè)課的學(xué)習(xí)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。為此，應(yīng)加強(qiáng)各種形式的實(shí)踐 活動(dòng)。 隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，尤其是微電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字電 路的實(shí)驗(yàn)手段不斷得到更新、完善和發(fā)展。除了采用常規(guī)的 TTL、COMS 器件 （邏輯門(mén)電路，觸發(fā)器，計(jì)數(shù)器等）進(jìn)行實(shí)驗(yàn)外，以后將逐步走向使用 PLD （可編程邏輯器件）進(jìn)行實(shí)驗(yàn)、開(kāi)發(fā)。采用 CPLD/FPGA 可編程邏輯器件，借 助計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件進(jìn)行數(shù)字電路的設(shè)計(jì)，這種硬件軟件化的方法具有設(shè) 計(jì)容易，修改和調(diào)試方便的優(yōu)點(diǎn)，有效的提高了實(shí)驗(yàn)效率。 本書(shū)根據(jù)教育部啟動(dòng)的“面向 21 世紀(jì)高等工程教育教學(xué)內(nèi)容和課程體 系改革計(jì)劃”的要求，在廠家所提供的資料及設(shè)備基礎(chǔ)上編寫(xiě)而成，涵蓋了 《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程全部實(shí)驗(yàn)內(nèi)容，建立一種綜合性、開(kāi)放性、設(shè)計(jì) 性和創(chuàng)造性的實(shí)驗(yàn)教學(xué)模式，可根據(jù)專業(yè)教學(xué)要求選擇實(shí)驗(yàn)內(nèi)容。 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容的安排遵循由淺入深，由易到難的原則，考慮不同層次需要， 既有測(cè)試、驗(yàn)證的內(nèi)容，也有設(shè)計(jì)、研究的內(nèi)容，可以充分發(fā)揮學(xué)生的主動(dòng) 性和創(chuàng)造性，進(jìn)一步提高學(xué)生的實(shí)驗(yàn)技能和理論分析能力。
標(biāo)簽： 數(shù)字電子 集成電路 ttl cmos 接口
上傳時(shí)間： 2022-03-20
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靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD）是構(gòu)成集成電路可靠性的主要因素之一，存在于生產(chǎn)到使用的每一個(gè)環(huán)節(jié)，并成為開(kāi)發(fā)新一代工藝技術(shù)的難點(diǎn)之一，近年來(lái)，對(duì)ESD的研究也因而越來(lái)越受到重視，仿真工具在ESD領(lǐng)域的應(yīng)用使得ESD防護(hù)的研究變得更為便利，可大幅縮短研發(fā)周期然而，由于ESD現(xiàn)象復(fù)雜的物理機(jī)制，極端的電場(chǎng)及溫度條件，以及ESD仿真中頻繁的不收斂現(xiàn)象，都使得FSD的仿真變得極為困難本文詳細(xì)闡述了ESD的來(lái)源、造成的危害以及如何測(cè)試集成電路的防靜電沖擊能力，并基于 Sentaurus軟件，對(duì)ESD防護(hù)器件展開(kāi)了的分析、研究，內(nèi)容包括1）掌握ESD保護(hù)的基本理論、測(cè)試方法和防護(hù)機(jī)理2）研究了工藝仿真流程的步驟以及網(wǎng)格定義在工藝仿真中的重要性，并對(duì)網(wǎng)格定義的方法進(jìn)行了探討3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函數(shù)，并對(duì)描述同一物理機(jī)制的的各種不同模型展開(kāi)對(duì)比分析.主要包括傳輸方程模型、能帶模型、各種遷移率退化模型、雪崩離化模型和復(fù)合模型4）研究了雙極型晶體管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防護(hù)器件的仿真，并通過(guò)對(duì)仿真結(jié)果的分析，研究了ESD保護(hù)器件在ESD應(yīng)力作用下的工作機(jī)理關(guān)鍵詞：靜電放電；網(wǎng)格；器件仿真；雙極型晶體管；可控硅
上傳時(shí)間： 2022-03-30
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