半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術，對樣品形狀沒有要求， 且不需要測量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。
標簽：
半導體
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上傳時間：
2022-01-03
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