亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲蟲首頁| 資源下載| 資源專輯| 精品軟件
登錄| 注冊

角點(diǎn)

  • 使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標簽： 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時間： 2013-08-30

    上傳用戶：cainaifa

  • 自己現在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式

    標簽： CPLD 244 74 HC

    上傳時間： 2013-08-31

    上傳用戶：dancnc

  • <快學易用Protel99se>\r\n

    \r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版

    標簽： Protel 99 se

    上傳時間： 2013-09-11

    上傳用戶：Yukiseop

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽： 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

  • 一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準電壓源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。

    標簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源

    上傳時間： 2014-12-03

    上傳用戶：88mao

  • （N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源應用前景

    隨著我國通信、電力事業的發展，通信、電力網絡的規模越來越大，系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中，傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。

    標簽： 熱插拔 模塊 并聯 應用前景

    上傳時間： 2014-03-24

    上傳用戶：alan-ee

主站蜘蛛池模板： 米脂县| 阿城市| 淳安县| 高唐县| 高陵县| 红原县| 梧州市| 贵德县| 县级市| 菏泽市| 六安市| 屯昌县| 抚州市| 巨野县| 岳普湖县| 通山县| 恩施市| 贺州市| 天全县| 新宾| 威远县| 宜兰市| 阜新市| 华安县| 清涧县| 无棣县| 东乡族自治县| 松原市| 赞皇县| 昌乐县| 伊川县| 哈尔滨市| 交口县| 涿州市| 信丰县| 泗阳县| 苍南县| 淅川县| 庄河市| 赫章县| 嘉峪关市|