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轉(zhuǎn)接技術(shù)

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 各種接插件封裝

    常用的和不常用的各種接插件的封裝尺寸資料,可作PCB參考。【奇文共欣賞】

    標簽: 接插件封裝

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:88mao

  • 書上永遠學不到的接插件知識(附電路圖詳解)

    書上永遠學不到的接插件知識(附電路圖詳解)

    標簽: 插件 電路圖

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:大灰狼123456

  • PCB板設計中的接地方法與技巧

    “地”通常被定義為一個等位點,用來作為兩個或更多系統的參考電平。信號地的較好定義是一個低阻抗的路徑,信號電流經此路徑返回其源。我們主要關心的是電流,而不是電壓。在電路中具有有限阻抗的兩點之間存在電壓差,電流就產生了。在接地結構中的電流路徑決定了電路之間的電磁耦合。因為閉環回路的存在,電流在閉環中流動,所以產生了磁場。閉環區域的大小決定著磁場的輻射頻率,電流的大小決定著噪聲的幅度。在實施接地方法時存在兩類基本方法:單點接地技術和多點接地技術。在每套方案中,又可能采用混合式的方法。針對某一個特殊的應用,如何選擇最好的信號接地方法取決于設計方案。只要設計者依據電流流量和返回路徑的概念,就可以以同時采用幾種不同的方法綜合加以考慮

    標簽: PCB 法與技巧

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:498732662

  • PCB技朮大全

    設計流程 在pcb的設計中,其實在正式布線前,還要經過很漫長的步驟,以下就是主要設計的流程: 系統規格 首先要先規劃出該電子設備的各項系統規格。包含了系統功能,成本限制,大小,運作情形等等。 系統功能區塊圖 接下來必須要制作出系統的功能方塊圖。方塊間的關系也必須要標示出來。 將系統分割幾個pcb 將系統分割數個pcb的話,不僅在尺寸上可以縮小,也可以讓系統具有升級與交換零件的能力。系統功能方塊圖就提供了我們分割的依據。像是計 算機就可以分成主機板、顯示卡、聲卡、軟盤驅動器和電源等等。 決定使用封裝方法,和各pcb的大小  

    標簽: PCB

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:yimoney

  • DN497 -為敏感電路提供過壓及電源反接保護

    假如有人將 24V 電源連接到您的 12V 電路上,將發生什么? 倘若電源線和接地線因疏忽而反接,電路還能安然無恙嗎? 您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環境中?即使此類事件的發生概率很低,但只要出現任何一種就將徹底損壞電路板。

    標簽: 497 DN 敏感電路 保護

    上傳時間: 2013-12-29

    上傳用戶:黃酒配奶茶

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

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