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遠(yuǎn)(yuǎn)程<b>調(diào)(diào)試</b>

CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。

標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻分

上傳時間： 2013-10-21

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采用歸零法的N進(jìn)制計數(shù)器原理

計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進(jìn)制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進(jìn)制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進(jìn)制計數(shù)的功能?；诩捎嫈?shù)器的N進(jìn)制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計數(shù)器原

上傳時間： 2013-10-11

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p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時間： 2013-10-31

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磁芯電感器的諧波失真分析

磁芯電感器的諧波失真分析摘要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)，磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。一、歷史回顧總諧波失真（Total harmonic distortion），簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器，阻抗 150Ω，增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。測量時，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝，（線架為一格），其空心電感值為 318μH（誤差1％）被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz，使輸出電平值為+17.4 dB，即選頻表在 22′端子測得的主波電平（P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3），則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證，就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求，必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制）轉(zhuǎn)換時期，日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

標(biāo)簽： 磁芯電感器分諧波失真

上傳時間： 2014-12-24

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IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

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浩辰CAD 2012專業(yè)版下載

附件附帶破解補(bǔ)丁浩辰CAD 2012專業(yè)版破解方法：按正常安裝浩辰CAD 2012專業(yè)版，點擊安裝KeyGen.exe。浩辰CAD2012，以增強(qiáng)軟件實用性、易用性為主要目標(biāo)，新增了大量實用功能，改進(jìn)了著色、消隱的正確性，提升了大幅面光柵圖像處理的性能，同時改進(jìn)了LISP\VBA二次開發(fā)接口的正確性和兼容性。浩辰CAD 2012根據(jù)國內(nèi)外用戶的需求，增加了大量實用功能，例如動態(tài)塊、DWF文件插入、隔離隱藏對象、轉(zhuǎn)換EXCEL表格、塊屬性管理器、放樣、超級填充等。浩辰cad2012新增功能： 1、動態(tài)塊（bedit）　　　　動態(tài)塊具有靈活性和智能性。用戶在操作時可以輕松地更改圖形中的動態(tài)塊參照。可以通過自定義夾點或自定義特性來操作動態(tài)塊參照中的幾何圖形。　　a)通過設(shè)置圖塊中元素的可見性，一個圖塊中可以包含一種圖形的多種形態(tài)，如下圖的汽車模塊就包含跑車、轎車和卡車的各向視圖，只需在可見性列表中選擇一個選項，就可以顯示相應(yīng)的圖形。　　還可對圖塊中的圖形設(shè)置參數(shù)和動作，可對圖塊的整體或部分圖形進(jìn)行移動、旋轉(zhuǎn)、翻轉(zhuǎn)、縮放、陣列等；并可建立查詢列表，對圖塊進(jìn)行參數(shù)化控制。通過圖塊的動作設(shè)置，一個圖塊可以派生出數(shù)個圖塊，如下圖所示：　　2、DWF參考底圖（dwfattach）　　　　可以將dwf文件插入到當(dāng)前圖中作為參考底圖，并可以捕捉到底圖的端點、中點，如下圖所示：　　3、對象隔離、對象隱藏、取消對象隔離　　　　可將選擇的對象暫時隱藏，也可將選擇對象以外的其他所有對象隱藏。當(dāng)圖中對象較多，利用此命令可以簡化圖紙，方便后續(xù)操作，操作起來比圖層隔離更加簡便、直觀。　　4、凍結(jié)其它圖層和鎖定其它圖層　　　　浩辰CAD 之前版本提供了圖層隔離的功能，凍結(jié)其他圖層和鎖定其它圖層與圖層隔離功能類似，可以通過選擇需要顯示或可編輯對象，將其他圖層進(jìn)行凍結(jié)和鎖定。　　　　5、CAD表格轉(zhuǎn)EXCEL表格　　　　可以直接選擇CAD中由直線、多段線和單行文字、多行文字組成的表格輸出為EXCEL表格。　　6、文字遞增　　　　可以對序號、編號、數(shù)值進(jìn)行遞增復(fù)制，間距、數(shù)量和增量均可隨心所欲地控制。　　7、多段線布爾運算　　　　可直接對封閉的多段線進(jìn)行差并交計算，無需轉(zhuǎn)換面域，有時比修剪更簡便。　　8、拼寫檢查（spell）　　　　此功能實現(xiàn)對用戶輸入的單詞或文章進(jìn)行單詞校驗，提示匹配的單詞列表，方便用戶進(jìn)行正確的單詞填寫工作。可以實現(xiàn)不同語言的單詞校驗工作，包括英文，德文，等8種語言。　　　　可以對全部實體（包括布局，模型中的所有實體）進(jìn)行校驗。　　　　可以分別對布局或模型中的實體進(jìn)行校驗。　　　　可以單獨對一個實體或一個選擇集進(jìn)行校驗。　　　　方便用戶自定義詞典。　　　　兼容的自定義詞典。　　　　支持文字，塊內(nèi)文字，塊屬性，屬性，標(biāo)注的校驗。　　　　9、放樣（Loft）　　　　通過對包含兩條或者兩條以上的橫截面曲線的一組曲線進(jìn)行放樣（繪制實體或曲面）來創(chuàng)建三維實體或曲面。　　10、塊屬性管理器（battman）　　　　創(chuàng)建帶屬性的塊后，執(zhí)行 battman 對塊中屬性定義進(jìn)行查詢和修改，如果將修改應(yīng)用到所有塊參照，則對應(yīng)塊的塊參照中屬性實體也會做對應(yīng)修改。　　11、超級填充（superhatch）　　　　超級填充命令有點像hatch命令，不同的是，可以使用該命令將光柵圖像、塊、外部參照和擦除這些實體作為填充實體對閉合區(qū)域進(jìn)行填充。　　12、線上寫字　　　　可以在選擇線上書寫文字，線會被自動打斷，文字會放到線中間。 ◆ 重要功能改進(jìn) 　　　　1、超鏈接　　　　浩辰CAD 2012版的超鏈接不僅修改了以前存在的一些錯誤，而且提供了更為豐富的功能。　　a)支持web鏈接的瀏覽和連接的設(shè)置。　　　　b)支持打開操作系統(tǒng)可打開的所有文件。　　　　c)支持dwg圖紙的視圖定位。　　　　d)支持超鏈接的復(fù)制粘貼。　　　　e)可以通過鼠標(biāo)光標(biāo)狀態(tài)來判斷是否存在鏈接，方便用戶判斷是否存在鏈接。　　　　f)可以通過ctrl+鼠標(biāo)點擊打開設(shè)置的文件，方便用戶的操作。　　　　g)可以通過右鍵打開塊內(nèi)實體的鏈接。　　　　2、光柵圖像　　　　浩辰CAD 2012版不僅增加了圖像格式的支持，同時提升了大分辨率光柵圖像的插入、顯示和打印的效果和速度。　　a) 增加了對多種圖像格式的支持，諸如：CALS-1(*.cal,*.mil,*.rst,*.cg4)、RLC、GEOSPORT(.bil)、PICT(.pct/.pict)、IG4、Autodesk Animator(.fil/.flc)。　　　　b) 內(nèi)存使用問題，可以插入多張圖片，內(nèi)存不會增加。　　　　c) 光柵圖像打印問題（不清晰）。　　　　d) 插入大圖像時，預(yù)覽速度大幅提升。　　　　3、二次開發(fā)改進(jìn) 　　　　浩辰CAD 2012版針對二次開發(fā)商和用戶提出的一些LISP及VBA與AutoCAD存在的兼容性問題進(jìn)行了系統(tǒng)梳理，兼容性有明顯提升，此外還針對國外二次開發(fā)商的需求開發(fā)了Lisp調(diào)試器。　　　　a) Lisp改進(jìn) 　　　　處理了線程問題、命令范圍值問題、VLX解析問題，對Lisp程序執(zhí)行速度進(jìn)行了優(yōu)化。　　　　b) VBA改進(jìn) 　　　　處理了VBA的文檔管理、接口不全、接口錯誤、類派生關(guān)系錯誤問題。　　　　c) Lisp調(diào)試器　　　　用戶在使用浩辰CAD時，由于LISP與AutoCAD不完全兼容，用戶需要一個工具進(jìn)行調(diào)試，以協(xié)助用戶解決及分析報告LISP問題。此系統(tǒng)以完成調(diào)試功能為主，不處理詞法分析前的映射。適用于中級以上開發(fā)用戶。

標(biāo)簽： 2012 CAD 浩辰

上傳時間： 2013-11-10

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N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

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PC電源測試系統(tǒng)chroma8000

PC電源測試系統(tǒng)chroma8000簡介

標(biāo)簽： chroma 8000 電源測試系統(tǒng)

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：xiehao13
（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。

標(biāo)簽： 熱插拔模塊并聯(lián) 應(yīng)用前景

上傳時間： 2014-03-24

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