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遠(yuǎn)(yuǎn)紅外

<快學(xué)易用Protel99se>\r\n

\r\n經(jīng)典的Protel99se入門(mén)教程，孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版

標(biāo)簽： Protel 99 se

上傳時(shí)間： 2013-09-11

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有關(guān)Atmega8的protues的仿真部分

有關(guān)Atmega8的protues的仿真部分，除前言外共六部分：\r\n1.基本IO的學(xué)習(xí)Led部分；\r\n2.基本IO：按鍵部分；\r\n3.外部中斷；\r\n4.定時(shí)，計(jì)數(shù)器；\r\n5.串口通信；\r\n6.IIC通信。\r\n\r\n我是老楊，該文檔的作者，這份文檔是在學(xué)習(xí)單片機(jī)的時(shí)候?qū)懙模瑳](méi)有把計(jì)劃寫(xiě)的寫(xiě)完，但這是當(dāng)時(shí)寫(xiě)的最全的一份了。

標(biāo)簽： Atmega8 protues 仿真分

上傳時(shí)間： 2013-09-26

上傳用戶：喵米米米
MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無(wú)雜散動(dòng)態(tài) 范圍)

標(biāo)簽： THD SINAD ENOB SFDR

上傳時(shí)間： 2014-01-22

上傳用戶：魚(yú)哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2014-08-01

上傳用戶：1109003457
采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

上傳時(shí)間： 2013-10-11

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p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時(shí)間： 2013-10-31

上傳用戶：summery
一種無(wú)片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容穩(wěn)定性分析

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：wangjin2945
N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
MSTS靜態(tài)切換開(kāi)關(guān)

MSTS是一款快速負(fù)荷轉(zhuǎn)移開(kāi)關(guān)，它的最小轉(zhuǎn)移負(fù)荷時(shí)間為6ms,它適應(yīng)在同相與不同相情況下使用。能真正意義上起到負(fù)荷轉(zhuǎn)移的目的。MSTS除上述快速轉(zhuǎn)移負(fù)荷外還可多臺(tái)連接組合成n+1=1路輸出，能更大的增強(qiáng)供電的安全性。MSTS體積小，擁有友好人機(jī)交互界面給人一種小巧和諧的感覺(jué)。

標(biāo)簽： MSTS 靜態(tài)切換開(kāi)關(guān)

上傳時(shí)間： 2013-12-27

上傳用戶：stella2015
AWG線規(guī)—導(dǎo)線外徑(MM)與電流(A)對(duì)照

據(jù)線的外徑，了解載流量是多大，

標(biāo)簽： AWG MM 導(dǎo)線外徑對(duì)照

上傳時(shí)間： 2013-11-10

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