\r\n經典的Protel99se入門教程,孫輝著北京郵電大學出版社出版
標簽: Protel 99 se
上傳時間: 2013-09-11
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有關Atmega8的protues的仿真部分,除前言外共六部分:\r\n1.基本IO的學習Led部分;\r\n2.基本IO:按鍵部分;\r\n3.外部中斷;\r\n4.定時,計數器;\r\n5.串口通信;\r\n6.IIC通信。\r\n\r\n我是老楊,該文檔的作者,這份文檔是在學習單片機的時候寫的,沒有把計劃寫的寫完,但這是當時寫的最全的一份了。
標簽: Atmega8 protues 仿真 分
上傳時間: 2013-09-26
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用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
標簽: THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間: 2014-01-22
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基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間: 2014-08-01
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計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽: 歸零法 N進制計數器原
上傳時間: 2013-10-11
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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間: 2013-10-31
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電路如果存在不穩定性因素,就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點,運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時,最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz
標簽: LDO 無片外電容 穩定性分析
上傳時間: 2014-12-24
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽: PT-IGBT 緩沖層
上傳時間: 2013-11-12
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MSTS是一款快速負荷轉移開關,它的最小轉移負荷時間為6ms,它適應在同相與不同相情況下使用。能真正意義上起到負荷轉移的目的。MSTS除上述快速轉移負荷外還可多臺連接組合成n+1=1路輸出,能更大的增強供電的安全性。MSTS體積小,擁有友好人機交互界面給人一種小巧和諧的感覺。
標簽: MSTS 靜態切換開關
上傳時間: 2013-12-27
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據線的外徑,了解載流量是多大,
標簽: AWG MM 導線外徑 對照
上傳時間: 2013-11-10
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