采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽:
NIP
非晶硅
薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間:
2013-11-21
上傳用戶:wanqunsheng
這里介紹的一款多功能編程器,功能強(qiáng)大,支持大多數(shù)常用的EPROM, EEPROM, FLASH, I2C,PIC, MCS-51,AVR, 93Cxx等系列芯片(超過(guò)400種)。硬件成本較低,性價(jià)比很高。既適合于電子和電腦愛(ài)好者使用,也適合家電維修人員維修家電和單片機(jī)開(kāi)發(fā)人員使用。圖1為多功能編程器的主機(jī),中間是32腳ZIF(零插力)鎖緊插座, 用于27系列、28系列、29系列、39/49系列等BIOS芯片。左邊是25芯并口插座,通過(guò)并口電纜連接計(jì)算機(jī)并口。左下方是電源插座。32腳ZIF插座下方是12位的DIP開(kāi)關(guān),對(duì)EPROM芯片進(jìn)行讀寫等操作前,需將此開(kāi)關(guān)撥至相應(yīng)位置。具體開(kāi)關(guān)位置可以參照軟件提示。鎖緊插座右側(cè)依次排列3個(gè)DIP8插座和一個(gè)DIP18插座,分別用于25系列、24系列、93系列存儲(chǔ)器和PIC系列單片機(jī)等;綠色電源指示燈(Power)用于指示編程器電源狀態(tài);紅色指示燈(Vpp)用于指示芯片Vpp電源狀態(tài);黃色指示燈(Vcc)用于指示芯片編程狀態(tài)?!?一、 主要功能: ★ 可用此編程器升級(jí)、維修電腦主板,顯卡等BIOS芯片??芍С?.3V低電壓BIOS芯片。 ★ 用來(lái)寫網(wǎng)卡啟動(dòng)芯片:用于組建無(wú)盤站寫網(wǎng)卡啟動(dòng)芯片或制作硬盤還原卡等。 ★ 可用于復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、打印機(jī)主板維護(hù)和維修。★ 可用于讀寫用來(lái)寫汽車儀表、安全氣囊、里程表數(shù)據(jù)?!?可用于維修顯示器、彩電、VCD、DVD 上面的存儲(chǔ)芯片。可修改開(kāi)機(jī)畫面。 ★ 用來(lái)開(kāi)發(fā)單片機(jī): 通過(guò)添加不同適配器,可以支持 MCS-51 系列, AVR 系列和 PIC 系列的MCU。 ★ 用來(lái)寫大容量存儲(chǔ)芯片:大容量的存儲(chǔ)芯片,一般在衛(wèi)星接收機(jī)上使用較多,可以用編程器直接來(lái)升級(jí)或改寫。
二、電路簡(jiǎn)介圖2是這臺(tái)編程器的完整電路圖,可以看到編程器電路由完全分離的兩部分組成:串行部分和并行EPROM部分電路。限于篇幅,原理部分不再詳述。對(duì)原理感興趣的讀者可以參考本文配套文件包中的“電路原理參考.PDF”文件。圖2三、電路板設(shè)計(jì)與制作 圖3是編程器參考元件布局圖,雙面PCB尺寸為160X100毫米,厚度1.6毫米。具體的PCB設(shè)計(jì)可以參考配套文件中的“PCB參考設(shè)計(jì).PDF”。這個(gè)文件中包括電路板的頂層和低層布線和頂層絲印層。如果業(yè)余自制電路板,建議使用雙面感光電路板制作,以確保精度。
標(biāo)簽:
多功能編程器
上傳時(shí)間:
2013-10-14
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