高頻PCB設計中傳輸線的阻抗控制非常重要，此軟件很方便的計算各種類型阻抗值，方便PCB設計，此軟件版權所有，建議購買正版。
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：yuhaihua_tony
電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術 ICT維修技術 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經驗及技術不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨 投資大量維修設備,操作複雜,績效不彰
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：chengxin
15.2 已經加入了有關貫孔及銲點的Z軸延遲計算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets 下的 DRC 選項. 點選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄.
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：Late_Li
“地”通常被定義為一個等位點，用來作為兩個或更多系統的參考電平。信號地的較好定義是一個低阻抗的路徑，信號電流經此路徑返回其源。我們主要關心的是電流，而不是電壓。在電路中具有有限阻抗的兩點之間存在電壓差，電流就產生了。在接地結構中的電流路徑決定了電路之間的電磁耦合。因為閉環回路的存在，電流在閉環中流動，所以產生了磁場。閉環區域的大小決定著磁場的輻射頻率，電流的大小決定著噪聲的幅度。在實施接地方法時存在兩類基本方法：單點接地技術和多點接地技術。在每套方案中，又可能采用混合式的方法。針對某一個特殊的應用，如何選擇最好的信號接地方法取決于設計方案。只要設計者依據電流流量和返回路徑的概念，就可以以同時采用幾種不同的方法綜合加以考慮
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：pioneer_lvbo
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設計目標：當客戶使用內存條時，8片分立器件不焊接；當使用直接貼片分立內存顆粒時，SODIMM內存條不安裝。請問專家：1、在設計中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調換？ 2、對DDR2數據、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時，那些參數必須要達到那些指標DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實際使用時，只安裝內存條或只安裝8片內存顆粒，是否會造成信號完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時使用，構成一個(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實際工作電流有多大？工作時候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進疊層？
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：jjq719719
數字與模擬電路設計技巧IC與LSI的功能大幅提升使得高壓電路與電力電路除外，幾乎所有的電路都是由半導體組件所構成，雖然半導體組件高速、高頻化時會有EMI的困擾，不過為了充分發揮半導體組件應有的性能，電路板設計與封裝技術仍具有決定性的影響。 模擬與數字技術的融合由于IC與LSI半導體本身的高速化，同時為了使機器達到正常動作的目的，因此技術上的跨越競爭越來越激烈。雖然構成系統的電路未必有clock設計，但是毫無疑問的是系統的可靠度是建立在電子組件的選用、封裝技術、電路設計與成本，以及如何防止噪訊的產生與噪訊外漏等綜合考慮。機器小型化、高速化、多功能化使得低頻/高頻、大功率信號/小功率信號、高輸出阻抗/低輸出阻抗、大電流/小電流、模擬/數字電路，經常出現在同一個高封裝密度電路板，設計者身處如此的環境必需面對前所未有的設計思維挑戰，例如高穩定性電路與吵雜(noisy)性電路為鄰時，如果未將噪訊入侵高穩定性電路的對策視為設計重點，事后反復的設計變更往往成為無解的夢魘。模擬電路與高速數字電路混合設計也是如此，假設微小模擬信號增幅后再將full scale 5V的模擬信號，利用10bit A/D轉換器轉換成數字信號，由于分割幅寬祇有4.9mV，因此要正確讀取該電壓level并非易事，結果造成10bit以上的A/D轉換器面臨無法順利運作的窘境。另一典型實例是使用示波器量測某數字電路基板兩點相隔10cm的ground電位，理論上ground電位應該是零，然而實際上卻可觀測到4.9mV數倍甚至數十倍的脈沖噪訊(pulse noise)，如果該電位差是由模擬與數字混合電路的grand所造成的話，要測得4.9 mV的信號根本是不可能的事情，也就是說為了使模擬與數字混合電路順利動作，必需在封裝與電路設計有相對的對策，尤其是數字電路switching時，ground vance noise不會入侵analogue ground的防護對策，同時還需充分檢討各電路產生的電流回路(route)與電流大小，依此結果排除各種可能的干擾因素。以上介紹的實例都是設計模擬與數字混合電路時經常遇到的瓶頸，如果是設計12bit以上A/D轉換器時，它的困難度會更加復雜。
上傳時間： 2014-02-12
上傳用戶：wenyuoo
今天，電視機與視訊轉換盒應用中的大多數調諧器采用的都是傳統單變換MOPLL概念。這種調諧器既能處理模擬電視訊號也能處理數字電視訊號，或是同時處理這兩種電視訊號(即所謂的混合調諧器)。在設計這種調諧器時需考慮的關鍵因素包括低成本、低功耗、小尺寸以及對外部組件的選擇。本文將介紹如何用英飛凌的MOPLL調諧芯片TUA6039-2或其影像版TUA6037實現超低成本調諧器參考設計。這種單芯片ULC調諧器整合了射頻和中頻電路，可工作在5V或3.3V，功耗可降低34%。設計采用一塊單層PCB，進一步降低了系統成本，同時能處理DVB-T/PAL/SECAM、ISDB-T/NTSC和ATSC/NTSC等混合訊號，可支持幾乎全球所有地區標準。圖1為采用TUA6039-2/TUA6037設計單變換調諧器架構圖。該調諧器實際上不僅是一個射頻調諧器，也是一個half NIM，因為它包括了中頻模塊。射頻輸入訊號透過一個簡單的高通濾波器加上中頻與民間頻段(CB)陷波器的組合電路進行分離。該設計沒有采用PIN二極管進行頻段切換，而是采用一個非常簡單的三工電路進行頻段切換。天線阻抗透過高感抗耦合電路變換至已調諧的輸入電路。然后透過英飛凌的高增益半偏置MOSFET BF5030W對預選訊號進行放大。BG5120K雙MOSFET可以用于兩個VHF頻段。在接下來的調諧后帶通濾波器電路中，則進行信道選擇和鄰道與影像頻率等多余訊號的抑制。前級追蹤陷波器和帶通濾波器的容性影像頻率補償電路就是專門用來抑制影像頻率。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：時代將軍
LVDS(低壓差分信號)標準ANSI/TIA /E IA26442A22001廣泛應用于許多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探討了LVDS的特點及其PCB (印制電路板)設計,糾正了某些錯誤認識。應用傳輸線理論分析了單線阻抗、雙線阻抗及LVDS差分阻抗計算方法,給出了計算單線阻抗和差分阻抗的公式,通過實際計算說明了差分阻抗與單線阻抗的區別,并給出了PCB布線時的幾點建議。關鍵詞: LVDS, 阻抗分析, 阻抗計算, PCB設計 LVDS (低壓差分信號)是高速、低電壓、低功率、低噪聲通用I/O接口標準,其低壓擺幅和差分電流輸出模式使EM I (電磁干擾)大大降低。由于信號輸出邊緣變化很快,其信號通路表現為傳輸線特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件進行PCB (印制電路板)設計時,超高速PCB設計和差分信號理論就顯得特別重要。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：adada
第二部分：DRAM 內存模塊的設計技術..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內存的比較..........................................................................143第二章 內存模塊的疊層設計.............................................................................145第三章 內存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內存模塊時序分析...................................154第四章 內存模塊信號設計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設計...............................................................................1634.4 數據信號線的設計...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內存采用阻抗受控制的串行連接技術,在這里我們將不做進一步探討，本文所總結的內存設計技術就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動態內存，其核心技術是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進，所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數據傳輸率，但是其時鐘頻率沒有增加，只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數據的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應的DDR內存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：宋桃子
現代的電子設計和芯片制造技術正在飛速發展，電子產品的復雜度、時鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢，但系統的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產品投放市場的時間要求給設計師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產品的一次性成功就必須能預見設計中可能出現的各種問題，并及時給出合理的解決方案，對于高速的數字電路來說，最令人頭大的莫過于如何確保瞬時跳變的數字信號通過較長的一段傳輸線，還能完整地被接收，并保證良好的電磁兼容性，這就是目前頗受關注的信號完整性（SI）問題。本章就是圍繞信號完整性的問題，讓大家對高速電路有個基本的認識，并介紹一些相關的基本概念。 第一章 高速數字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設計流程剖析...............................................................61.3 相關的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質.................................................................................142.3.2 特征阻抗相關計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導.............................................................................182.5 趨膚效應和集束效應.................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章 串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設計.............................................................................................855.3 同步開關噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內部開關噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統...........................................................................................1006.1.1 時序參數的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時序系統.......................................................................................1086.2.1 源同步系統的基本結構...................................................................1096.2.2 源同步時序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設計理論在實際中的運用.............................................................1228.1 疊層設計方案...........................................................................................1228.2 過孔對信號傳輸的影響...........................................................................1278.3 一般布局規則...........................................................................................1298.4 接地技術...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134
標簽： 信號完整性
上傳時間： 2013-11-01
上傳用戶：xitai
