將各種元器件的封裝集成到一起,做了PDF文件,對Protel畫電路板的人很有幫助
標簽: 元器件 封裝 集成
上傳時間: 2013-09-13
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集成運放開發應用電路設計360例
標簽: 360 集成運放 應用電路
上傳時間: 2014-08-21
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由于模擬電路的多樣性、非線性和離散性等特點,模擬電路的故障診斷呈現復雜、難以辨識等問題。針對已有方法的數據不平衡,提出了一種支持向量機集成的故障診斷方法。使用小波變換方法提取特征向量,在多類別支持向量機的基礎上,設計了模擬電路的最小二乘支持向量機預測模型,實現了對模擬電路的狀態的故障預測。將該方法應用于Sallen-Key帶通電路進行故障預測試驗,結果表明,該方法比單一支持向量機、徑向基神經網絡、BP神經網絡和APSVM有更好的分類和泛化性能,故障診斷準確率更高。
標簽: LS-SVM 集成 模擬電路 故障檢測
上傳時間: 2013-10-31
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用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
標簽: THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間: 2014-01-22
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基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間: 2014-08-01
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集成運算放大器原理和運用
標簽: 集成運算放大器
上傳時間: 2013-10-09
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§4.1 概述 §4.2 集成運放中的電流源電路 §4.3 集成運放電路簡介 §4.4 集成運放的性能指標及低頻等效電路 §4.5 集成運放的種類及選擇 §4.6 集成運放的使用
標簽: 集成運算 放大電路
上傳時間: 2013-11-24
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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
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集成運算放大器是一種高倍率的直流放大器。當選取不同的反饋電路時,它就可以對信號進行放大以及加,減微分,積分等運算。
標簽: 集成運算放大器 可靠性
上傳時間: 2013-10-25
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實驗八 集成運算放大器一、實驗目的1.學習集成運算放大器的使用方法。2.掌握集成運算放大器的幾種基本運算方法。二、預習內容及要求集成運算放大器是具有高開環放大倍數的多級直接耦合放大電路。在它外部接上負反饋支路和一定的外圍元件便可組成不同運算形式的電路。本實驗只對反相比例、同相比例、反相加法和積分運算進行應用研究。1.圖1是反相比例運算原理圖。反相比例運算輸出電壓 和輸入電壓 的關系為:
上傳時間: 2013-11-10
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