高通濾波為實(shí)現(xiàn)高頻信號(hào)能正常通過(guò)，而低于設(shè)定臨界值的低頻信號(hào)則被阻隔、減弱。但是阻隔、減弱的幅度則會(huì)依據(jù)不同的頻率以及不同的濾波程序而改變。文中闡述了對(duì)電壓轉(zhuǎn)移函數(shù)推導(dǎo)分析及電路性能的要求，并利用Multisim仿真軟件對(duì)其頻幅特性的分析進(jìn)行。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：liufei
Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： Butterworth 函數(shù) 低通濾波器 有源
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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針對(duì)傳統(tǒng)第二代電流傳輸器（CCII）電壓跟隨不理想的問(wèn)題，提出了新型第二代電流傳輸器（CCCII）并通過(guò)采用新型第二代電流傳輸器（CCCII）構(gòu)成二階電流模式帶通濾波器，此濾波器只需使用2個(gè)電流傳輸器和2個(gè)電容即可完成設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗(yàn)證了理論設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性和可行性。
標(biāo)簽： CCCII 電流模式 二階 帶通濾波器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶：jqy_china
為了解決聲表面波濾波器插損太大，造成有用信號(hào)衰減嚴(yán)重，彌補(bǔ)插損又會(huì)引起底部噪聲抬高的問(wèn)題。該文設(shè)計(jì)了一種用LC集總元件實(shí)現(xiàn)的窄帶帶通濾波器，其特點(diǎn)是插入損耗小，成本低，帶外衰減大，較好解決了因聲表面波濾波器插損大而引起的一系列問(wèn)題，不會(huì)引起通道底部噪聲的抬高。仿真結(jié)果證明了該設(shè)計(jì)方案的可行性。
標(biāo)簽： 窄帶 帶通濾波器 設(shè)計(jì)實(shí)例
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：13517191407
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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低通濾波器設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 低通 濾波器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：lyson
用MATLAB編寫低通濾波器
標(biāo)簽： 低通 濾波器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-24
上傳用戶：lijinchuan
平行耦合微帶線帶通濾波器在微波電路系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用。為了提高帶通濾波器性能，縮短設(shè)計(jì)周期，采用奇偶模原理分析與ADS（Advanced Design System）仿真相結(jié)合的方法，設(shè)計(jì)出一個(gè)中心頻率為2.5 GHz，相對(duì)帶寬為10%的平行耦合微帶線帶通濾波器。進(jìn)一步優(yōu)化參數(shù)，得到電路版圖。最終結(jié)果證明，這種方法具有設(shè)計(jì)周期短、可靠性高的特點(diǎn)，且各項(xiàng)參數(shù)滿足設(shè)計(jì)要求。
上傳時(shí)間： 2013-10-12
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設(shè)計(jì)一種壓控電壓源型二階有源低通濾波電路,并利用Multisim10仿真軟件對(duì)電路的頻率特性、特征參量等進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果與理論設(shè)計(jì)一致,為有源濾波器的電路設(shè)計(jì)提供了EDA手段和依據(jù)。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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磁珠由氧磁體組成，電感由磁心和線圈組成，磁珠把交流信號(hào)轉(zhuǎn)化為熱能，電感把交流存儲(chǔ)起來(lái)，緩慢的釋放出去。 磁珠對(duì)高頻信號(hào)才有較大阻礙作用，一般規(guī)格有100歐/100mMHZ ,它在低頻時(shí)電阻比電感小得多。電感的等效電阻可有Z=2X3.14xf 來(lái)求得。 鐵氧體磁珠 (Ferrite Bead) 是目前應(yīng)用發(fā)展很快的一種抗干擾元件，廉價(jià)、易用，濾除高頻噪聲效果顯著。 在電路中只要導(dǎo)線穿過(guò)它即可（我用的都是象普通電阻模樣的，導(dǎo)線已穿過(guò)并膠合，也有表面貼裝的形式，但很少見(jiàn)到賣的）。當(dāng)導(dǎo)線中電流穿過(guò)時(shí)，鐵氧體對(duì)低頻電流幾乎沒(méi)有什么阻抗，而對(duì)較高頻率的電流會(huì)產(chǎn)生較大衰減作用。高頻電流在其中以熱量形式散發(fā)，其等效電路為一個(gè)電感和一個(gè)電阻串聯(lián)，兩個(gè)元件的值都與磁珠的長(zhǎng)度成比例。 磁珠種類很多，制造商應(yīng)提供技術(shù)指標(biāo)說(shuō)明，特別是磁珠的阻抗與頻率關(guān)系的曲線。 有的磁珠上有多個(gè)孔洞，用導(dǎo)線穿過(guò)可增加元件阻抗（穿過(guò)磁珠次數(shù)的平方），不過(guò)在高頻時(shí)所增加的抑制噪聲能力不可能如預(yù)期的多，而用多串聯(lián)幾個(gè)磁珠的辦法會(huì)好些。 鐵氧體是磁性材料，會(huì)因通過(guò)電流過(guò)大而產(chǎn)生磁飽和，導(dǎo)磁率急劇下降。大電流濾波應(yīng)采用結(jié)構(gòu)上專門設(shè)計(jì)的磁珠，還要注意其散熱措施。 鐵氧體磁珠不僅可用于電源電路中濾除高頻噪聲（可用于直流和交流輸出），還可廣泛應(yīng)用于其他電路，其體積可以做得很小。特別是在數(shù)字電路中，由于脈沖信號(hào)含有頻率很高的高次諧波，也是電路高頻輻射的主要根源，所以可在這種場(chǎng)合發(fā)揮磁珠的作用。 鐵氧體磁珠還廣泛應(yīng)用于信號(hào)電纜的噪聲濾除。 以常用于電源濾波的HH-1H3216-500為例，其型號(hào)各字段含義依次為：HH 是其一個(gè)系列，主要用于電源濾波，用于信號(hào)線是HB系列；1 表示一個(gè)元件封裝了一個(gè)磁珠，若為4則是并排封裝四個(gè)的；H 表示組成物質(zhì)，H、C、M為中頻應(yīng)用（50－200MHz），T低頻應(yīng)用（<50MHz），S高頻應(yīng)用（>200MHz）；3216 封裝尺寸，長(zhǎng)3.2mm，寬1.6mm，即1206封裝；500 阻抗（一般為100MHz時(shí)），50 ohm。 其產(chǎn)品參數(shù)主要有三項(xiàng)：阻抗[Z]@100MHz (ohm) : Typical 50, Minimum 37;直流電阻DC Resistance (m ohm): Maximum 20;額定電流Rated Current (mA): 2500. 磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率， 他等效于電阻和電感串聯(lián)， 但電阻值和電感值都隨頻率變化。 他比普通的電感有更好的高頻濾波特性，在高頻時(shí)呈現(xiàn)阻性，所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗，從而提高調(diào)頻濾波效果。 磁珠主要用于高頻隔離，抑制差模噪聲等。
標(biāo)簽： 電感
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶：貓愛(ài)薛定諤
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