信號(hào)完整性是高速數(shù)字系統(tǒng)中要解決的一個(gè)首要問(wèn)題之一，如何在高速PCB 設(shè)計(jì)過(guò)程中充分考慮信號(hào)完整性因素,并采取有效的控制措施,已經(jīng)成為當(dāng)今系統(tǒng)設(shè)計(jì)能否成功的關(guān)鍵。在這方面，差分線對(duì)具有很多優(yōu)勢(shì)，比如更高的比特率 ,更低的功耗 ,更好的噪聲性能和更穩(wěn)定的可靠性等。目前，差分線對(duì)在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，電路中最關(guān)鍵的信號(hào)往往都要采用差分線對(duì)設(shè)計(jì)。介紹了差分線對(duì)在PCB 設(shè)計(jì)中的一些要點(diǎn)，并給出具體設(shè)計(jì)方案。
上傳時(shí)間： 2013-10-26
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討論了高速PCB 設(shè)計(jì)中涉及的定時(shí)、反射、串?dāng)_、振鈴等信號(hào)完整性( SI)問(wèn)題,結(jié)合CA2DENCE公司提供的高速PCB設(shè)計(jì)工具Specctraquest和Sigxp,對(duì)一采樣率為125MHz的AD /DAC印制板進(jìn)行了仿真和分析,根據(jù)布線前和布線后的仿真結(jié)果設(shè)置適當(dāng)?shù)募s束條件來(lái)控制高速PCB的布局布線,從各個(gè)環(huán)節(jié)上保證高速電路的信號(hào)完整性。
上傳時(shí)間： 2013-12-26
上傳用戶：niumeng16
為解決目前高速信號(hào)處理中的數(shù)據(jù)傳輸速度瓶頸以及傳輸距離的問(wèn)題，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種基于FPGA 的高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，本系統(tǒng)借助Altera Cyclone III FPGA 的LVDS I/O 通道產(chǎn)生LVDS 信號(hào)，穩(wěn)定地完成了數(shù)據(jù)的高速、遠(yuǎn)距離傳輸。系統(tǒng)所需的8B/10B 編解碼、數(shù)據(jù)時(shí)鐘恢復(fù)(CDR)、串/并行轉(zhuǎn)換電路、誤碼率計(jì)算模塊均在FPGA 內(nèi)利用VHDL 語(yǔ)言設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，大大降低了系統(tǒng)互聯(lián)的復(fù)雜度和成本，提高了系統(tǒng)集成度和穩(wěn)定性。
上傳時(shí)間： 2013-11-25
上傳用戶：爺?shù)臍赓|(zhì)
本文對(duì)數(shù)字基帶信號(hào)脈沖成型濾波的應(yīng)用、原理及實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了研究。首先介紹了數(shù)字成型濾波的應(yīng)用意義并分析了模擬和數(shù)字兩種硬件實(shí)現(xiàn)方法，接著介紹了成形濾波器設(shè)計(jì)所需要MATLAB軟件，以及利用ISE system generator在FPGA上進(jìn)行濾波器實(shí)現(xiàn)的優(yōu)勢(shì)。文中給出了成形濾波函數(shù)的數(shù)學(xué)模型，討論了幾種常用成形濾波函數(shù)的傳輸特性以及對(duì)傳輸系統(tǒng)信號(hào)誤碼率的影響。然后介紹了本次設(shè)計(jì)中使用到的數(shù)字成形濾波器設(shè)計(jì)的幾種FIR濾波器結(jié)構(gòu)。把各種設(shè)計(jì)方案進(jìn)行仿真，比較仿真結(jié)果，最后根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的情況并結(jié)合設(shè)計(jì)仿真中出現(xiàn)的問(wèn)題進(jìn)行分析，得出各種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)以及適合應(yīng)用的場(chǎng)合。
標(biāo)簽： FPGA 數(shù)字 成形 濾波器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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目前通信領(lǐng)域正處于急速發(fā)展階段，由于新的需 求層出不窮，促使新的業(yè)務(wù)不斷產(chǎn)生，因而導(dǎo)致頻率資源越來(lái)越緊張。在有限的帶寬里要傳輸大量的多媒體數(shù)據(jù)，提高頻譜利用率成為當(dāng)前至關(guān)重要的課題，否則將 很難容納如此眾多的業(yè)務(wù)。正交幅度調(diào)制(QAM)由于具有很高的頻譜利用率被DVB-C等標(biāo)準(zhǔn)選做主要的調(diào)制技術(shù)。與多進(jìn)制PSK(MPSK)調(diào)制不 同，OAM調(diào)制采取幅度與相位相結(jié)合的方式，因而可以更充分地利用信號(hào)平面，從而在具有高頻譜利用效率的同時(shí)可以獲得比MPSK更低的誤碼率。 但仔細(xì)分析可以發(fā)現(xiàn)QAM調(diào)制仍存在著頻繁的相位跳變，相位跳變會(huì)產(chǎn)生較大的諧波分量，因此如果能夠在保證QAM調(diào)制所需的相位區(qū)分度的前提下，盡量減少 或消除這種相位跳變，就可以大大抑制諧波分量，從而進(jìn)一步提高頻譜利用率，同時(shí)又不影響QAM的解調(diào)性能。文獻(xiàn)中提出了針對(duì)QPSK調(diào)制的相位連續(xù)化方 法，本文借鑒該方法，提出連續(xù)相位QAM調(diào)制技術(shù)，并針對(duì)QAM調(diào)制的特點(diǎn)在電路設(shè)計(jì)時(shí)作了改進(jìn)。
標(biāo)簽： FPGA QAM 相位 調(diào)制技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-17
上傳用戶：lalaruby
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................1493.1 無(wú)緩沖（Unbuffered）內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號(hào)設(shè)計(jì).................................................................................1594.1 時(shí)鐘信號(hào)的設(shè)計(jì).......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號(hào)的設(shè)計(jì)..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計(jì)...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號(hào)線的設(shè)計(jì)...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討，本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對(duì)SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存，其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn)，所以DDR 有時(shí)也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率，但是其時(shí)鐘頻率沒(méi)有增加，只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)操作。對(duì)于SDR 來(lái)說(shuō),市面上常見(jiàn)的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計(jì)技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：宋桃子
本文將接續(xù)介紹電源與功率電路基板，以及數(shù)字電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)。寬帶與高頻電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)a.輸入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構(gòu)成的高輸入阻抗OP 增幅電路，它的gain取決于R1、R2，本電路圖的電路定數(shù)為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設(shè)置可以加大噪訊gain，抑制gain-頻率特性高頻領(lǐng)域時(shí)峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要，所以本電路的浮游容量設(shè)計(jì)目標(biāo)低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話，會(huì)成為高頻領(lǐng)域的頻率特性產(chǎn)生峰值的原因，嚴(yán)重時(shí)頻率甚至?xí)驗(yàn)閒eedback 阻抗與浮游容量，造成feedback 信號(hào)的位相延遲，最后導(dǎo)致頻率特性產(chǎn)生波動(dòng)現(xiàn)象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問(wèn)題，圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無(wú)full ground設(shè)計(jì)，如果有外部噪訊干擾之虞時(shí)，接地可設(shè)計(jì)成網(wǎng)格狀(mesh)。圖28 是根據(jù)圖26 制成的OP 增幅器Gain－頻率特性測(cè)試結(jié)果，由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑，-3dB cutoff頻率大約是133MHz。
標(biāo)簽： PCB
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：z754970244
•1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問(wèn)題的時(shí)域分析 •1-3 正弦狀的行進(jìn)波 •1-4 傳輸線問(wèn)題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問(wèn)題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：fhzm5658
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶：372825274
為了對(duì)航空發(fā)動(dòng)機(jī)裝配過(guò)程進(jìn)行有效地監(jiān)控與控制，提高產(chǎn)品的裝配質(zhì)量與效率，降低出錯(cuò)率，本文提出了一種裝配過(guò)程控制的管理平臺(tái)，建立了裝配技術(shù)狀態(tài)的數(shù)據(jù)模型， 實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)裝配數(shù)據(jù)的管理與跟蹤，采用三維裝配工藝可視化提高了裝配的理解性，并對(duì)物料的流轉(zhuǎn)狀態(tài)進(jìn)行控制，從而對(duì)整個(gè)航空發(fā)動(dòng)機(jī)裝配過(guò)程進(jìn)行有效的控制。
標(biāo)簽： 航空發(fā)動(dòng)機(jī) 控制 關(guān)鍵技術(shù) 裝配
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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