用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
標簽: THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間: 2014-01-22
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基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間: 2014-08-01
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計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能?;诩捎嫈灯鞯腘進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽: 歸零法 N進制計數器原
上傳時間: 2013-10-11
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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間: 2013-10-31
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FPC背光源軟板設計規范
標簽: FPC 背光源 軟板 設計規范
上傳時間: 2013-10-16
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽: PT-IGBT 緩沖層
上傳時間: 2013-11-12
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摘要:主要是研究機器人視覺中的LED光源控制器,即基于單片機的恒流源控制器。該恒流源以AT89S51為控制核心,采用了集成運放負反饋型的場效應管恒流源的基本結構。它的整體設計思路是運用負反饋原理,使整個閉環反饋系統處于動態的平衡中,從而達到穩定輸出電流的目的。出于對LED背光源和場效應管的保護,系統中添加了短路保護和過流保護電路。系統采用了12位的A/D 芯片MAX197和l2位的D/A 芯片MAX532,以完成單片機對輸出電流的實時檢測和實時控制。人機接口采用LED數碼管顯示器、獨立鍵盤、外接串口,控制界面直觀、簡潔,具有良好的人機交互性能。
標簽: LED 機器視覺 光源 控制器
上傳時間: 2013-11-21
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主要探討LED光源與傳統光源在光電轉換效率、亮度、燈具形態等方面的比較
標簽: LED 光源 問題探討
上傳時間: 2013-12-17
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本發明的LED 光源包含矩形的LED 芯片和內藏該芯片的透明樹脂封裝體。樹脂封裝體具有用于將LED 芯片發出的光射出到封裝體的外部的鏡界面。
標簽: LED 樹脂 封裝 光源
上傳時間: 2013-12-14
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隨著我國通信、電力事業的發展,通信、電力網絡的規模越來越大,系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中,傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發達的國家,各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
標簽: 熱插拔 模塊 并聯 應用前景
上傳時間: 2014-03-24
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