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Cool<b>MOS</b>

  • Quectel Wireless Solutions BC20-TE-B 原理圖 V1.2

    BC20-TE-B NB-Iot 評估板評估板原廠原理圖V1.2。完整對應實物裝置。

    標簽: BC20 NB-Iot Quectel

    上傳時間: 2022-06-17

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  • ASR M08-B資料

    ASR M08-B設置軟件 V3.2  arduino 2560+ASRM08-B測試程序  arduino UNO+ASRM08-B測試程序語音控制臺燈電路圖及C51源碼(不帶校驗碼) 繼電器模塊設置。   ASR M08-B是一款語音識別模塊。首先對模塊添加一些關鍵字,對著該模塊說出關鍵字,串口會返回三位的數,如果是返回特定的三位數字,還會引起ASR M08-B的相關引腳電平的變化。【測試】①打開“ASR M08-B設置軟件 V3.2.exe”。②選擇“串口號”、“打開串口”、點選“十六進制顯示”。③將USB轉串口模塊連接到語音識別模塊上。接線方法如下:語音模塊TXD --> USB模塊RXD語音模塊RXD --> USB模塊TXD語音模塊GND --> USB模塊GND語音模塊3V3 --> USB模塊3V3(此端為3.3V電源供電端。)④將模塊的開關撥到“A”端,最好再按一次上面的大按鈕(按一次即可,為了確保模塊工作在正確的模式)。⑤對著模塊說“開燈”、“關燈”模塊會返回“0B”、“0A”,表示正常(注意:0B對應返回值010,0B對應返回值010,返回是16進制顯示的嘛,設置的時候是10進制設置的)。

    標簽: ASR M08-B

    上傳時間: 2022-07-06

    上傳用戶:aben

  • CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。

    標簽: CoolMOS VDMOS 導通電阻

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:1427796291

  • 關于PCB封裝的資料收集整理.pdf

    關于PCB封裝的資料收集整理. 大的來說,元件有插裝和貼裝.零件封裝是指實際零件焊接到電路板時所指示的外觀和焊點的位置。是純粹的空間概念.因此不同的元件可共用同一零件封裝,同種元件也可有不同的零件封裝。像電阻,有傳統的針插式,這種元件體積較大,電路板必須鉆孔才能安置元件,完成鉆孔后,插入元件,再過錫爐或噴錫(也可手焊),成本較高,較新的設計都是采用體積小的表面貼片式元件(SMD)這種元件不必鉆孔,用鋼膜將半熔狀錫膏倒入電路板,再把SMD 元件放上,即可焊接在電路板上了。晶體管是我們常用的的元件之一,在DEVICE。LIB庫中,簡簡單單的只有NPN與PNP之分,但實際上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是鐵殼子的TO—3,如果它是NPN的2N3054,則有可能是鐵殼的TO-66或TO-5,而學用的CS9013,有TO-92A,TO-92B,還有TO-5,TO-46,TO-52等等,千變萬化。還有一個就是電阻,在DEVICE 庫中,它也是簡單地把它們稱為RES1 和RES2,不管它是100Ω 還是470KΩ都一樣,對電路板而言,它與歐姆數根本不相關,完全是按該電阻的功率數來決定的我們選用的1/4W 和甚至1/2W 的電阻,都可以用AXIAL0.3 元件封裝,而功率數大一點的話,可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。現將常用的元件封裝整理如下:電阻類及無極性雙端元件:AXIAL0.3-AXIAL1.0無極性電容:RAD0.1-RAD0.4有極性電容:RB.2/.4-RB.5/1.0二極管:DIODE0.4及DIODE0.7石英晶體振蕩器:XTAL1晶體管、FET、UJT:TO-xxx(TO-3,TO-5)可變電阻(POT1、POT2):VR1-VR5這些常用的元件封裝,大家最好能把它背下來,這些元件封裝,大家可以把它拆分成兩部分來記如電阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3,AXIAL 翻譯成中文就是軸狀的,0.3 則是該電阻在印刷電路板上的焊盤間的距離也就是300mil(因為在電機領域里,是以英制單位為主的。同樣的,對于無極性的電容,RAD0.1-RAD0.4也是一樣;對有極性的電容如電解電容,其封裝為RB.2/.4,RB.3/.6 等,其中“.2”為焊盤間距,“.4”為電容圓筒的外徑。對于晶體管,那就直接看它的外形及功率,大功率的晶體管,就用TO—3,中功率的晶體管,如果是扁平的,就用TO-220,如果是金屬殼的,就用TO-66,小功率的晶體管,就用TO-5,TO-46,TO-92A等都可以,反正它的管腳也長,彎一下也可以。對于常用的集成IC電路,有DIPxx,就是雙列直插的元件封裝,DIP8就是雙排,每排有4個引腳,兩排間距離是300mil,焊盤間的距離是100mil。SIPxx 就是單排的封裝。等等。值得我們注意的是晶體管與可變電阻,它們的包裝才是最令人頭痛的,同樣的包裝,其管腳可不一定一樣。例如,對于TO-92B之類的包裝,通常是1 腳為E(發射極),而2 腳有可能是B 極(基極),也可能是C(集電極);同樣的,3腳有可能是C,也有可能是B,具體是那個,只有拿到了元件才能確定。因此,電路軟件不敢硬性定義焊盤名稱(管腳名稱),同樣的,場效應管,MOS 管也可以用跟晶體管一樣的封裝,它可以通用于三個引腳的元件。Q1-B,在PCB 里,加載這種網絡表的時候,就會找不到節點(對不上)。在可變電阻

    標簽: PCB 封裝

    上傳時間: 2013-11-03

    上傳用戶:daguogai

  • (LTSpice)以反相器為例學習仿真MOSFET

    <h2>原理圖schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos(pmos)和nmos4(pmos4)兩種nmos(pmos)。其中nmos(pmos)表示襯底(B)和源極(S)相連。mos和mos4能調整的屬性不同,如圖:本例中要設置mos管的W-0.18u,L=0.18u,選用nmos4和pmos4.<h3>布線<h3>如圖1,其中,mos管Gate靠近的那一極好像是 Source,所以PMOS要ctrl+R,ctrl+R,Ctr+.2,注意加電路名稱,功能(如果需要),參數設定。<h2>封裝<h2>電路設計采用層次化的方式,為了上層電路的調用,往往把底層的電路做好后進行封裝,其實進行封裝不僅有利于上層電路調用,還有利于測試。建一個New Symbol,該Symbol里的pin的名稱必須和封裝電路中的一樣。ctrl + A(Attribute Editor中Symbol Type選Block,其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意:令.asy和.asc文件命名相同,并放在一個文件夾下即可,不需特別關聯。

    標簽: ltspice mosfet

    上傳時間: 2022-06-27

    上傳用戶:1208020161

  • 三極管,MOS管 樣本

    三極管,MOS管 樣本

    標簽: MOS 三極管 樣本

    上傳時間: 2013-04-15

    上傳用戶:eeworm

  • 實用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應用

    實用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應用

    標簽: IGBT SCR MOS GTR

    上傳時間: 2013-06-13

    上傳用戶:eeworm

  • 實用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應用

    實用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應用

    標簽: IGBT SCR MOS GTR

    上傳時間: 2013-06-08

    上傳用戶:eeworm

  • MOS運算放大器-原理、設計與應用

    MOS運算放大器-原理、設計與應用

    標簽: MOS 運算放大器

    上傳時間: 2013-07-17

    上傳用戶:eeworm

  • 三極管,MOS管-樣本-150M.rar

    專輯類----元器件樣本專輯 三極管,MOS管-樣本-150M.rar

    標簽: MOS 150 三極管

    上傳時間: 2013-06-17

    上傳用戶:CETM008

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