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EWB-v

用12位阻抗轉換器實現高精度阻抗測量

AD5933/AD5934的電流-電壓（I-V）放大級還可能輕微增加信號鏈的不準確性。I-V轉換級易受放大器的偏置電流、失調電壓和CMRR影響。通過選擇適當的外部分立放大器來執行I-V轉換，用戶可挑選一個具有低偏置電流和失調電壓規格、出色CMRR的放大器，提高I-V轉換的精度。該內部放大器隨后可配置成一個簡單的反相增益級。

標簽： 阻抗轉換器阻抗測量高精度

上傳時間： 2013-10-27

上傳用戶：wangzeng
利用數字電位計AD5292構建30V低成本DAC

圖1所示電路采用digiPOT+系列數字電位計AD5292、雙通道運算放大器ADA4091-2和基準電壓源ADR512，提供一種低成本、高電壓、單極性DAC。該電路提供10位分辨率，輸出電壓范圍為0 V至30 V，能夠提供最高±20 mA的輸出電流。AD5292可以通過SPI兼容型串行接口編程。

標簽： 5292 30V DAC AD

上傳時間： 2013-11-23

上傳用戶：yuhaihua_tony
一種基于gm_ID方法設計的可變增益放大器

提出了一種基于gm /ID方法設計的可變增益放大器。設計基于SMIC90nmCMOS工藝模型，可變增益放大器由一個固定增益級、兩個可變增益級和一個增益控制器構成。固定增益級對輸入信號預放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可變性由兩個受增益控制器控制的可變增益級實現。運用gm /ID的綜合設計方法，優化了任意工作范圍內，基于gm /ID和VGS關系的晶體管設計，實現了低電壓低功耗。為得到較寬的增益范圍，應用了一種新穎的偽冪指函數。利用Cadence中spectre工具仿真，結果表明，在1.2 V的工作電壓下，具有76 dB的增益，控制電壓范圍超過0.8 V，帶寬范圍從34 MHz到183.6 MHz，功耗為0.82 mW。

標簽： gm_ID 可變增益放大器

上傳時間： 2013-11-10

上傳用戶：笨小孩
多種溫度傳感器信號調理電路設計

為了測量某試件多點溫度，且溫度跨度很大，還要達到要求精度，本文利用幾種不同類型的傳感器（AD590、PT1000和K型熱電偶）進行采集，其輸出形式（電流源、電阻和熱電勢）和大小均不相同，設計了電源電路、信號轉換電路和放大抬升電路，使各種傳感器的輸出達到統一的1～5 V的標準信號；在實驗室利用高精度電壓、電流源和電阻箱分別對熱電偶、AD590和PT1000進行模擬，結果表明該方法可行，調理電路的相對精度可達到0.1級。

標簽： 溫度傳感器信號調理電路設計

上傳時間： 2013-12-11

上傳用戶：回電話#
更改ADM1073的電流限值

ADM1073 –48 V熱插拔控制器，可通過動態控制置于電源路徑中外部N溝道FET上的柵極電壓，精確限制該電源產生的電流。內部檢測放大器可以檢測連接在電源VEE和SENSE引腳之間的檢測電阻上的電壓。該電平體現了負載電流水平。檢測放大器具有100 mV (±3%)的預設控制環路閾值。這意味著當檢測電阻上檢測到100 mV的電壓時，電流控制環路就會調節負載電流。這樣檢測電阻值可以設置促使環路進行調節的電流水平。100 mV除以RSENSE可以得到電流值，此時檢測電阻會促使環路進行調節。

標簽： 1073 ADM 電流限值

上傳時間： 2013-10-30

上傳用戶：packlj
用于UHF RFID閱讀器的無電感巴倫LNA設計

設計了一款用于UHF RFID射頻前端接收機的高線性度LNA。該低噪聲放大器采用噪聲消除技術，具有單端輸入差分輸出的功能，能夠同時實現輸出平衡，噪聲消除和非線性失真抵消，具有高的線性度。該電路采用TSMC 0.18 μm工藝設計，芯片面積只有0.02 mm2。電源電壓為1.8 V，總電流為8 mA，后仿真結果增益為19.2 dB，噪聲因子為2.5 dB，輸入1 dB壓縮點為-5.2 dBm。

標簽： RFID UHF LNA 閱讀器

上傳時間： 2014-01-21

上傳用戶：kachleen
基于第二代電流傳輸器的積分器設計

介紹了一種基于低壓、寬帶、軌對軌、自偏置CMOS第二代電流傳輸器（CCII）的電流模式積分器電路，能廣泛應用于無線通訊、射頻等高頻模擬電路中。通過采用0.18 μm工藝參數，進行Hspice仿真，結果表明：電流傳輸器電壓跟隨的線性范圍為-1.04～1.15 V，電流跟隨的線性范圍為-9.02～6.66 mA，iX/iZ的-3 dB帶寬為1.6 GHz。輸出信號的幅度以20dB/decade的斜率下降，相位在低于3 MHz的頻段上保持在90°。

標簽： 電流傳輸器積分器

上傳時間： 2014-06-20

上傳用戶：lvchengogo
CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。

標簽： CoolMOS VDMOS 導通電阻分

上傳時間： 2013-10-21

上傳用戶：1427796291
帶有增益提高技術的高速CMOS運算放大器設計

設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵結構，利用增益提高和三支路電流基準技術實現一個可用于12~14 bit精度，100 MS/s采樣頻率的高速流水線（Pipelined）ADC的運放。設計基于SMIC 0.25 μm CMOS工藝，在Cadence環境下對電路進行Spectre仿真。仿真結果表明，在2.5 V單電源電壓下驅動2 pF負載時，運放的直流增益可達到124 dB，單位增益帶寬720 MHz，轉換速率高達885 V/μs，達到0.1%的穩定精度的建立時間只需4 ns，共模抑制比153 dB。

標簽： CMOS 增益提高運算放大器設計

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：jiiszha
基于ADS4249的RGB視頻編碼器電路設計

現代信息處理應用中，對模數轉換器的速度、精度、功耗和動態性能等關鍵性能指標不斷提出更高的要求。針對模數轉換的實際應用，提出并設計了一種基于TI公司生產的雙通道14 位 250MSPS 低功耗A / D轉換器 ADS4249的RGB視頻編碼器電路設計。這款A / D轉換器的技術創新點在于其完美的實現高動態性能的同時又能擁有1.8 V超低功耗。這一特性使得ADS4249非常適合多載波，寬帶通信的信號處理應用。

標簽： 4249 ADS RGB 視頻編碼器

上傳時間： 2013-10-28

上傳用戶：kiklkook

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