本文只介紹AVR ISP下載線在AVR Studio環(huán)境下的下載方法，推薦使用。 并口下載線主要優(yōu)點(diǎn)是電路簡單，缺點(diǎn)主要有下載速度慢、不能在AVR Studio環(huán)境下使用。具體差別在用了AVR ISP之后就知道了，現(xiàn)在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的下載線也只要幾十塊錢和并口下載線沒什么差別了。此處所說的STK500下載線和AVR ISP下載線同屬一類，它們使用相同的通信協(xié)議，STK500確切的說是一個(gè)學(xué)習(xí)板，AVR ISP才是真正意義上的下載線。
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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雙線性變換的頻率對應(yīng)關(guān)系雙線性變換法雖然避免了“頻率混疊效應(yīng)”，但出現(xiàn)了模擬頻率與數(shù)字頻率為一種非線性的關(guān)系情形。即：可見：模擬濾波器與數(shù)字濾波器的響應(yīng)在對應(yīng)的頻率關(guān)系上發(fā)生了“畸變”，也造成了相位的非線性變化，這是雙線性變換法的主要缺點(diǎn)。具體而言，在上刻度為均勻的頻率點(diǎn)映射到上時(shí)變成了非均勻的點(diǎn)，而且隨頻率增加越來越密。 雙線性變換法除了不能用于線性相位濾波器設(shè)計(jì)外，仍然是應(yīng)用最為廣泛的設(shè)計(jì)IIR數(shù)字濾波器的方法。
標(biāo)簽： IIR 雙線性變換 數(shù)字濾波器
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：aysyzxzm
設(shè)計(jì)工程師通常在FPGA上實(shí)現(xiàn)FIFO(先進(jìn)先出寄存器)的時(shí)候，都會(huì)使用由芯片提供商所提供的FIFO。但是，由于其通用性使得其針對性變差，某些情況下會(huì)變得不方便或者將增加硬件成本。此時(shí)，需要進(jìn)行自行FIFO設(shè)計(jì)。本文提供了一種基于信元的FIFO設(shè)計(jì)方法以供設(shè)計(jì)者在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候選用。這種方法也適合于不定長包的處理。
標(biāo)簽： FPGA FIFO 信元 設(shè)計(jì)方法
上傳時(shí)間： 2014-01-13
上傳用戶：mengmeng444425
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請問專家：1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：han_zh
同軸電纜知識(shí)介紹一、概述1、基帶同軸電纜同軸電纜以硬銅線為芯,外包一層絕緣材料。這層絕緣材料用密織的網(wǎng)狀導(dǎo)體環(huán)繞,網(wǎng)外又覆蓋一層保護(hù)性材料。有兩種廣泛使用的同軸電纜。一種是50歐姆電纜,用于數(shù)字傳輸,由于多用于基帶傳輸,也叫基帶同軸電纜;另一種是75歐姆電纜,用于模擬傳輸,即下一節(jié)要講的寬帶同軸電纜。這種區(qū)別是由歷史原因造成的,而不是由于技術(shù)原因或生產(chǎn)廠家。同軸電纜的這種結(jié)構(gòu),使它具有高帶寬和極好的噪聲抑制特性。同軸電纜的帶寬取決于電纜長度。1km的電纜可以達(dá)到1Gb/s~2Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。還可以使用更長的電纜,但是傳輸率要降低或使用中間放大器。目前,同軸電纜大量被光纖取代,但仍廣泛應(yīng)用于有線電視和某些局域網(wǎng)。2、寬帶同軸電纜使用有限電視電纜進(jìn)行模擬信號(hào)傳輸?shù)耐S電纜系統(tǒng)被稱為寬帶同軸電纜。“寬帶”這個(gè)詞來源于電話業(yè),指比4kHz寬的頻帶。然而在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)中,“寬帶電纜”卻指任何使用模擬信號(hào)進(jìn)行傳輸?shù)碾娎|網(wǎng)。由于寬帶網(wǎng)使用標(biāo)準(zhǔn)的有線電視技術(shù),可使用的頻帶高達(dá)300MHz（常常到450MHz）;由于使用模擬信號(hào),需要在接口處安放一個(gè)電子設(shè)備,用以把進(jìn)入網(wǎng)絡(luò)的比特流轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),并把網(wǎng)絡(luò)輸出的信號(hào)再轉(zhuǎn)換成比特流。寬帶系統(tǒng)又分為多個(gè)信道,電視廣播通常占用6MHz信道。每個(gè)信道可用于模擬電視、CD質(zhì)量聲音(1.4Mb/s)或3Mb/s的數(shù)字比特流。電視和數(shù)據(jù)可在一條電纜上混合傳輸。寬帶系統(tǒng)和基帶系統(tǒng)的一個(gè)主要區(qū)別是：寬帶系統(tǒng)由于覆蓋的區(qū)域廣,因此,需要模擬放大器周期性地加強(qiáng)信號(hào)。這些放大器僅能單向傳輸信號(hào),因此,如果計(jì)算機(jī)間有放大器,則報(bào)文分組就不能在計(jì)算機(jī)間逆向傳輸。為了解決這個(gè)問題,人們已經(jīng)開發(fā)了兩種類型的寬帶系統(tǒng)：雙纜系統(tǒng)和單纜系統(tǒng)。 1)雙纜系統(tǒng)雙纜系統(tǒng)有兩條并排鋪設(shè)的完全相同的電纜。為了傳輸數(shù)據(jù),計(jì)算機(jī)通過電纜1將數(shù)據(jù)傳輸?shù)诫娎|數(shù)根部的設(shè)備,即頂端器(head-end),隨后頂端器通過電纜2將信號(hào)沿電纜數(shù)往下傳輸。所有的計(jì)算機(jī)都通過電纜1發(fā)送,通過電纜2接收。2)單纜系統(tǒng)另一種方案是在每根電纜上為內(nèi)、外通信分配不同的頻段。低頻段用于計(jì)算機(jī)到頂端器的通信,頂端器收到的信號(hào)移到高頻段,向計(jì)算機(jī)廣播。在子分段(subsplit)系統(tǒng)中,5MHz~30MHz頻段用于內(nèi)向通信,40MHz~300MHz頻段用于外向通信。在中分(midsplit)系統(tǒng)中,內(nèi)向頻段是5MHz~116MHz,而外向頻段為168MHz~300MHz。這一選擇是由歷史的原因造成的。3)寬帶系統(tǒng)有很多種使用方式在一對計(jì)算機(jī)間可以分配專用的永久性信道;另一些計(jì)算機(jī)可以通過控制信道,申請建立一個(gè)臨時(shí)信道,然后切換到申請到的信道頻率;還可以讓所有的計(jì)算機(jī)共用一條或一組信道。從技術(shù)上講,寬帶電纜在發(fā)送數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)上比基帶（即單一信道）電纜差,但它的優(yōu)點(diǎn)是已被廣泛安裝。
標(biāo)簽： 同軸電纜
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：段璇琮*
AL-FGB系列復(fù)合式過電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過電壓保護(hù)器（簡稱AL-FGB）是我公司針對現(xiàn)行各類過電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專利產(chǎn)品，將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起，專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中，主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過電壓，同時(shí)具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過電壓保護(hù)器無法比擬的優(yōu)點(diǎn)。可廣泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破，是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國家產(chǎn)業(yè)政策及國家電氣產(chǎn)品無油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢，具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益，是我國電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變（配）電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害，功能強(qiáng)大，保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中，由于真空電器產(chǎn)品（真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開關(guān)、真空重合器等）的滅弧能力特別強(qiáng)，在關(guān)、合感性負(fù)載（發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等）時(shí)，容易引發(fā)截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時(shí)開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達(dá)105～106HZ），對感性負(fù)載的危害性極大，被稱為“電機(jī)殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護(hù)器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值，只限幅不限頻，用來防雷能起到好的效果，但對操作過電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn)，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn)，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì)，功能互補(bǔ)，相互保護(hù) 操作過電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合，保護(hù)功能互不干涉，還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí)，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實(shí)線路徑，經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地；同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器，避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過電壓侵入時(shí)，則按虛線路徑，經(jīng)阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù)，保護(hù)閥片，延長產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險(xiǎn)性； 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過電壓陡度極高，對匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現(xiàn)場許多事故實(shí)例都證明，在操作過電壓作用下，電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進(jìn)線端的匝間為主，這說明高陡度對帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機(jī)率，成功抑制高陡度對電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過電壓保護(hù)設(shè)備，如避雷器、各類組合式過電壓保護(hù)器等，對改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力，即不能防治高陡度對感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環(huán)保節(jié)能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運(yùn)行時(shí)僅通過μA級(jí)電流，不僅節(jié)約電能，而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流，保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng)，保護(hù)即時(shí)，而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對消除諧振過電壓（注：不超過AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當(dāng)諧振過電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí)，AL-FGB接入電網(wǎng)，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_，適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣； 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過熱，對過電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統(tǒng)過電壓，持續(xù)時(shí)間長、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過電壓極易損壞過電壓保護(hù)設(shè)備，出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過電壓超過AL-FGB的承受能力時(shí)，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護(hù)本體，避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象，控制事故范圍，延長使用壽命，運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對地，又可保護(hù)相間； 四極式聯(lián)接（如圖2-2），具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證：不僅能保護(hù)相對地絕緣，而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu)，體積小，性能穩(wěn)定，而價(jià)格不高。 8、吸收容量大，保護(hù)范圍更廣； 針對35KV電網(wǎng)系統(tǒng)，AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF，保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備，且裕量充足；針對35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng)，其電容容量高達(dá)0.1μF，吸收容量更大，保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級(jí)阻燃材質(zhì)； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求，該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長期運(yùn)行，在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿；極間選用國外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì)；各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹脂灌封；電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性，使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應(yīng)特性，殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì)，使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄，清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況； 可根據(jù)用戶要求選裝放電動(dòng)作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。
標(biāo)簽： AL-FGB 過電壓保護(hù)器
上傳時(shí)間： 2013-10-17
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AL-FGB系列復(fù)合式過電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過電壓保護(hù)器（簡稱AL-FGB）是我公司針對現(xiàn)行各類過電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專利產(chǎn)品，將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起，專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中，主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過電壓，同時(shí)具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過電壓保護(hù)器無法比擬的優(yōu)點(diǎn)。可廣泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破，是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國家產(chǎn)業(yè)政策及國家電氣產(chǎn)品無油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢，具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益，是我國電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變（配）電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害，功能強(qiáng)大，保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中，由于真空電器產(chǎn)品（真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開關(guān)、真空重合器等）的滅弧能力特別強(qiáng)，在關(guān)、合感性負(fù)載（發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等）時(shí)，容易引發(fā)截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時(shí)開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達(dá)105～106HZ），對感性負(fù)載的危害性極大，被稱為“電機(jī)殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護(hù)器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值，只限幅不限頻，用來防雷能起到好的效果，但對操作過電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn)，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn)，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì)，功能互補(bǔ)，相互保護(hù) 操作過電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合，保護(hù)功能互不干涉，還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí)，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實(shí)線路徑，經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地；同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器，避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過電壓侵入時(shí)，則按虛線路徑，經(jīng)阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù)，保護(hù)閥片，延長產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險(xiǎn)性； 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過電壓陡度極高，對匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現(xiàn)場許多事故實(shí)例都證明，在操作過電壓作用下，電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進(jìn)線端的匝間為主，這說明高陡度對帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機(jī)率，成功抑制高陡度對電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過電壓保護(hù)設(shè)備，如避雷器、各類組合式過電壓保護(hù)器等，對改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力，即不能防治高陡度對感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環(huán)保節(jié)能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運(yùn)行時(shí)僅通過μA級(jí)電流，不僅節(jié)約電能，而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流，保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng)，保護(hù)即時(shí)，而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對消除諧振過電壓（注：不超過AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當(dāng)諧振過電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí)，AL-FGB接入電網(wǎng)，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_，適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣； 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過熱，對過電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統(tǒng)過電壓，持續(xù)時(shí)間長、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過電壓極易損壞過電壓保護(hù)設(shè)備，出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過電壓超過AL-FGB的承受能力時(shí)，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護(hù)本體，避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象，控制事故范圍，延長使用壽命，運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對地，又可保護(hù)相間； 四極式聯(lián)接（如圖2-2），具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證：不僅能保護(hù)相對地絕緣，而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu)，體積小，性能穩(wěn)定，而價(jià)格不高。 8、吸收容量大，保護(hù)范圍更廣； 針對35KV電網(wǎng)系統(tǒng)，AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF，保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備，且裕量充足；針對35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng)，其電容容量高達(dá)0.1μF，吸收容量更大，保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級(jí)阻燃材質(zhì)； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求，該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長期運(yùn)行，在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿；極間選用國外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì)；各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹脂灌封；電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性，使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應(yīng)特性，殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì)，使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄，清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況； 可根據(jù)用戶要求選裝放電動(dòng)作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。
標(biāo)簽： AL-FGB 過電壓保護(hù)器
上傳時(shí)間： 2013-10-16
上傳用戶：sz_hjbf
設(shè)計(jì)工程師通常在FPGA上實(shí)現(xiàn)FIFO(先進(jìn)先出寄存器)的時(shí)候，都會(huì)使用由芯片提供商所提供的FIFO。但是，由于其通用性使得其針對性變差，某些情況下會(huì)變得不方便或者將增加硬件成本。此時(shí)，需要進(jìn)行自行FIFO設(shè)計(jì)。本文提供了一種基于信元的FIFO設(shè)計(jì)方法以供設(shè)計(jì)者在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候選用。這種方法也適合于不定長包的處理。
標(biāo)簽： FPGA FIFO 信元 設(shè)計(jì)方法
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶：ch3ch2oh
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請問專家：1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：jjq719719
slickeditv10.0linuxcrackz.w.t.zip SlickEdit v10.0 for linux 注冊機(jī) 在國內(nèi)網(wǎng)站上找了N天都沒找到，在國外一家網(wǎng)站找到。雖然不是源代碼，但是SlickEdit是Linux下最好用的30多種編程IDE。這個(gè)是注冊機(jī)安裝文件在百度裡找吧
標(biāo)簽： 10.0 linuxcrackz slickeditv SlickEdit
上傳時(shí)間： 2013-12-10
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